ZHCSP15 December   2021 REF20-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 8 参数测量信息
    1. 8.1 焊接热漂移
    2. 8.2 长期稳定性
    3. 8.3 热迟滞
    4. 8.4 噪声性能
  9. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 VREF 和 VBIAS 跟踪
      2. 9.3.2 低温漂
      3. 9.3.3 负载电流
    4. 9.4 器件功能模式
  10. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 低侧电流检测应用
        1. 10.2.1.1 设计要求
        2. 10.2.1.2 详细设计过程
          1. 10.2.1.2.1 分流电阻器
          2. 10.2.1.2.2 差分放大器
          3. 10.2.1.2.3 电压基准
          4. 10.2.1.2.4 误差计算
          5. 10.2.1.2.5 应用曲线
  11. 11电源相关建议
  12. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 文档支持
      1. 13.1.1 相关文档
    2. 13.2 接收文档更新通知
    3. 13.3 支持资源
    4. 13.4 商标
    5. 13.5 静电放电警告
    6. 13.6 术语表
  14. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.1 概述

REF20xx-Q1 系列可提供 VREF 和 VBIAS (VREF/2) 双路输出、带隙电压基准。#GUID-C3F54BE6-39E9-4530-B122-0C4415A16C98 提供了基本带隙拓扑的方框图，以及用于实现 VREF 和 VBIAS 输出的两个缓冲器。晶体管 Q1 和 Q2 被偏置，使 Q1 的电流密度大于 Q2 的电流密度。两个基极发射极电压之差 (VBE1 – VBE2) 具有正温度系数，并被强制施加在电阻器 R5 两端。该电压被放大并添加到具有负温度系数的 Q2 的基极发射极电压。由此产生的带隙输出电压几乎与温度无关。两个独立的缓冲器用于从带隙电压生成 VREF 和 VBIAS。电阻器 R1、R2 和 R3、R4 的阻值应确保 VBIAS = VREF/2。

e-Trim™ 是一种对 VREF 和 VBIAS 的初始精度和温度系数进行封装级修整的方法，在塑模成型工艺之后的最终制造阶段实施。该方法尽可能地减小了固有晶体管失配的影响，以及封装成型过程中引入的误差。REF20xx-Q1 中采用了 e-Trim 技术，从而更大程度降低温漂并提高 VREF 和 VBIAS 输出的初始精度。