ZHCSYO6 July   2024 MSPM0C1106-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      10
    3. 6.3 信号说明
      1.      12
      2.      13
      3.      14
      4.      15
      5.      16
      6.      17
      7.      18
      8.      19
      9.      20
      10.      21
      11.      22
      12.      23
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 电源斜坡
      2. 7.6.2 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 高频晶体/时钟
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电气特性
      2. 7.14.2 电压特性
    15. 7.15 比较器 (COMP)
      1. 7.15.1 比较器电气特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C 特性
      2. 7.16.2 I2C 滤波器
      3. 7.16.3 I2C 时序图
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI 时序图
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 仿真和调试
      1. 7.20.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA_B
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 低频子系统 (LFSS)
    16. 8.16 VREF
    17. 8.17 COMP
    18. 8.18 安全性
    19. 8.19 CRC
    20. 8.20 UART
    21. 8.21 I2C
    22. 8.22 SPI
    23. 8.23 IWDT
    24. 8.24 WWDT
    25. 8.25 RTC_B
    26. 8.26 计时器 (TIMx)
    27. 8.27 器件模拟连接
    28. 8.28 输入/输出图
    29. 8.29 串行线调试接口
    30. 8.30 器件出厂常量
    31. 8.31 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

MSPM0C1105/6 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的超低功耗 32 位 MSPM0 MCU 系列，该 MCU 系列基于 Arm®Cortex®-M0+ 32 位内核平台，工作频率最高可达 32MHz。这些低成本 MCU 提供高性能模拟外设集成，支持 -40°C 至 125°C 的工作温度范围，并在 1.62V 至 3.6V 的电源电压下运行。

MSPM0C1105/6 器件提供高达 64KB 的嵌入式闪存程序存储器和 8KB SRAM。这些 MCU 包含精度为 -2.1% 至 +1.6% 的高速片上振荡器，无需外部晶体。其他特性包括 3 通道 DMA、CRC-16 加速器和各种高性能模拟外设，例如一个以 VDD 作为电压基准的 12 位 1.6Msps ADC、具有 8 位基准 DAC 的比较器和片上温度传感器。这些器件还提供智能数字外设，例如一个具有死区支持且计时器频率高达 64MHz 的 16 位高级计时器、四个 16 位通用计时器、一个窗口化看门狗计时器和各种通信外设（包括三个 UART、一个 SPI 和两个 I2C）。这些通信外设为 LIN、IrDA、DALI、Manchester、Smart Card、SMBus 和 PMBus 提供协议支持。

TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件，可让客户找到满足其工程需求的 MCU。MSPM0 MCU 平台将 Arm Cortex-M0+ 平台与超低功耗整体系统架构相结合，使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。

MSPM0C1105/6 MCU 由广泛的硬件和软件生态系统提供支持，随附参考设计和代码示例，便于您快速开始设计。开发套件包括可供购买的 LaunchPad。TI 还提供免费的 MSP 软件开发套件 (SDK)，该套件在 TI Resource Explorer 中作为 Code Composer Studio™ IDE 桌面版和云版组件提供。MSPM0 MCU 还通过 MSP Academy 提供广泛的在线配套资料、培训，并通过 TI E2E™ 支持论坛提供在线支持。

有关完整的模块说明，请参阅 MSPM0 C 系列微控制器技术参考手册。

表 3-1 封装信息
器件名称 封装(1) 封装尺寸(2)
M0C1106QPTRQ1 48 LQFP 9mm × 9mm
M0C1105QPTRQ1 48 LQFP 9mm × 9mm
M0C1106QRGZRQ1 48 VQFN 7mm × 7mm
M0C1105QRGZRQ1 48 VQFN 7mm × 7mm
M0C1106QRHBRQ1 32 VQFN 5mm × 5mm
M0C1105QRHBRQ1 32 VQFN 5mm × 5mm
M0C1106QDGS32RQ1 32 VSSOP 8.1mm × 4.9mm
M0C1105QDGS32RQ1 32 VSSOP 8.1mm × 4.9mm
M0C1106QDGS28RQ1 28 VSSOP 7.1mm × 4.9mm
M0C1105QDGS28RQ1 28 VSSOP 7.1mm × 4.9mm
M0C1106QRGERQ1 24 VQFN 4mm × 4mm
M0C1105QRGERQ1 24 VQFN 4mm × 4mm
M0C1106QDGS20RQ1 20VSSOP 5.1mm × 4.9mm
M0C1105QDGS20RQ1 20VSSOP 5.1mm × 4.9mm
M0C1106QRUKRQ1 20 WQFN 3mm × 3mm
M0C1105QRUKRQ1 20 WQFN 3mm × 3mm
(1) 有关更多信息，请参阅 机械、封装和可订购信息
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
警告：

系统级静电放电 (ESD) 保护必须符合器件级 ESD 规范，以防发生电过应力或对数据或代码存储器造成干扰。有关更多信息，请参阅 MSP430™ 系统级 ESD 注意事项。本应用手册中的准则适用于 MSPM0 MCU。