ZHCSRI4B August 2024 – January 2025 LMR51625 , LMR51635
PRODUCTION DATA
LMR51635 需要一个高频输入去耦电容器,并且需要一个大容量电容器(取决于应用)。高频去耦电容器的典型建议值为 2.2μF 或更高。TI 建议使用具有足够电压等级的 X5R 或 X7R 类高品质陶瓷电容。额定电压必须大于最大输入电压。为补偿陶瓷电容的容值下降,通常建议使用额定电压为最大输入电压两倍的电容器。此设计使用两个额定电压为 100V 的 2.2μF、X7R 电介质电容器作为输入去耦电容器。等效串联电阻 (ESR) 约为 10mΩ,额定电流为 1A。此设计还包含一个值为 0.1µF 的电容器,用于高频滤波,并且应尽可能靠近器件引脚放置。