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ZHCSRR6F November 2023 – November 2025 LMKDB1102 , LMKDB1104 , LMKDB1108 , LMKDB1112 , LMKDB1120

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RKP|40
- MPQF261B

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RKP|40
- QFND309E

订购信息

9.2 LMKDB1112 寄存器

表 9-29 列出了 LMKDB1112 寄存器的存储器映射寄存器。表 9-29 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 9-29 LMKDB1112 寄存器

偏移	首字母缩写词	寄存器名称	部分
0h	R0	CLK0 至 CLK5 的输出使能控制	节 9.2.1
1h	R1	CLK6 至 CLK11 的输出使能控制	节 9.2.2
2h	R2	CLK0 至 CLK5 的 OE 引脚回读	节 9.2.3
3h	R3	CLK6 至 CLK11 的 OE 引脚回读	节 9.2.4
4h	R4	ACP 使能控制和 SBI_EN 回读	节 9.2.5
5h	R5	器件信息	节 9.2.6
6h	R6	器件信息（续）	节 9.2.7
7h	R7	SMBus 字节计数器	节 9.2.8
8h	R8	CLK0 至 CLK5 的 SBI 掩码	节 9.2.9
9h	R9	CLK6 至 CLK11 的 SBI 掩码	节 9.2.10
Bh	R11	CLK0 至 CLK5 的 SBI 回读	节 9.2.11
Ch	R12	CLK6 至 CLK11 的 SBI 回读	节 9.2.12
11h	R17	输出幅度控制	节 9.2.13
12h	R18	输入接收器偏置和端接电阻器控制	节 9.2.14
14h	R20	CLK0 至 CLK5 的输出压摆率选择 MSB	节 9.2.15
15h	R21	CLK6 至 CLK11 的输出压摆率选择 MSB	节 9.2.16
26h	R38	不可清除的 SMBus 写入锁定	节 9.2.17
27h	R39	LOS 状态和可清除的 SMBus 写入锁定	节 9.2.18
5Bh	R91	压摆率速度选项 1 和 2 分配	节 9.2.19
5Ch	R92	压摆率速度选项 3 和 4 分配	节 9.2.20
61h	R97	转换率模式选择	节 9.2.21
62h	R98	CLK0 至 CLK5 的输出压摆率选择 LSB	节 9.2.22
63h	R99	CLK6 至 CLK11 的输出压摆率选择 LSB	节 9.2.23

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 9-30 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 9-30 LMKDB1112 访问类型代码

访问类型	代码	说明
读取类型
R	R	读取
写入类型
W	W	写入
WMC	W	写入
WSC	W	写入
复位或默认值
-n		复位后的值或默认值

9.2.1 R0 寄存器（偏移 = 0h）[复位 = B7h]

R0 如表 9-31 所示。

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表 9-31 R0 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	CLK_EN_5	R/W	1h	CLK5 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
6	RESERVED	R	0h	保留位
5	CLK_EN_4	R/W	1h	CLK4 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
4	CLK_EN_3	R/W	1h	CLK3 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
3	RESERVED	R	0h	保留位
2	CLK_EN_2	R/W	1h	CLK2 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
1	CLK_EN_1	R/W	1h	CLK1 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
0	CLK_EN_0	R/W	1h	CLK0 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能

9.2.2 R1 寄存器（偏移 = 1h）[复位 = 6Fh]

R1 如表 9-32 所示。

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表 9-32 R1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留位
6	CLK_EN_11	R/W	1h	CLK11 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
5	CLK_EN_10	R/W	1h	CLK10 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
4	RESERVED	R	0h	保留位
3	CLK_EN_9	R/W	1h	CLK9 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
2	CLK_EN_8	R/W	1h	CLK8 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
1	CLK_EN_7	R/W	1h	CLK7 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能
0	CLK_EN_6	R/W	1h	CLK6 的输出使能 0h = 输出已禁用（低电平/低电平） 1h = 输出已使能

9.2.3 R2 寄存器（偏移 = 2h）[复位 = 00h]

R2 如表 9-33 所示。

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表 9-33 R2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RB_OEb_5	R	0h	OEb5 的状态
6	RESERVED	R	0h	保留位
5	RB_OEb_4	R	0h	OEb4 的状态
4	RB_OEb_3	R	0h	OEb3 的状态
3	RESERVED	R	0h	保留位
2	RB_OEb_2	R	0h	OEb2 的状态
1	RB_OEb_1	R	0h	OEb1 的状态
0	RB_OEb_0	R	0h	OEb0 的状态

9.2.4 R3 寄存器（偏移 = 3h）[复位 = 00h]

R3 如表 9-34 所示。

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表 9-34 R3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留位
6	RB_OEb_11	R	0h	OEb11 的状态
5	RB_OEb_10	R	0h	OEb10 的状态
4	RESERVED	R	0h	保留位
3	RB_OEb_9	R	0h	OEb9 的状态
2	RB_OEb_8	R	0h	OEb8 的状态
1	RB_OEb_7	R	0h	OEb7 的状态
0	RB_OEb_6	R	0h	OEb6 的状态

9.2.5 R4 寄存器（偏移 = 4h）[复位 = 10h]

R4 如表 9-35 所示。

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表 9-35 R4 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:5	RESERVED	R	0h	保留位
4	BANK1_ACP_ENABLE	R/W	1h	当检测到 LOS 事件时，启用自动时钟停止在低电平/低电平，BANK1
3:1	RESERVED	R	0h	保留位
0	RB_SBI_ENQ	R	0h	SBI_ENQ 的状态

9.2.6 R5 寄存器（偏移 = 5h）[复位 = 0Ah]

R5 如表 9-36 所示。

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表 9-36 R5 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:4	REV_ID	R	0h	器件版本
3:0	VENDOR_ID	R	Ah	供应商 ID

9.2.7 R6 寄存器（偏移 = 6h）[复位 = 50h]

R6 如表 9-37 所示。

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表 9-37 R6 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:0	DEV_ID	R	50h	器件 ID

9.2.8 R7 寄存器（偏移 = 7h）[复位 = 07h]

R7 如表 9-38 所示。

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表 9-38 R7 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:5	RESERVED	R	0h	保留位
4:0	SMBUS_BC	R/W	7h	SMBUS 块读取字节计数

9.2.9 R8 寄存器（偏移 = 8h）[复位 = 00h]

R8 如表 9-39 所示。

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表 9-39 R8 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	SBI_MASK_5	R/W	0h	屏蔽 CLK5 的边带禁用
6	RESERVED	R	0h	保留位
5	SBI_MASK_4	R/W	0h	屏蔽 CLK4 的边带禁用
4	SBI_MASK_3	R/W	0h	屏蔽 CLK3 的边带禁用
3	RESERVED	R	0h	保留位
2	SBI_MASK_2	R/W	0h	屏蔽 CLK2 的边带禁用
1	SBI_MASK_1	R/W	0h	屏蔽 CLK1 的边带禁用
0	SBI_MASK_0	R/W	0h	屏蔽 CLK0 的边带禁用

9.2.10 R9 寄存器（偏移 = 9h）[复位 = 00h]

R9 如表 9-40 所示。

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表 9-40 R9 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留位
6	SBI_MASK_11	R/W	0h	屏蔽 CLK11 的边带禁用
5	SBI_MASK_10	R/W	0h	屏蔽 CLK10 的边带禁用
4	RESERVED	R	0h	保留位
3	SBI_MASK_9	R/W	0h	屏蔽 CLK9 的边带禁用
2	SBI_MASK_8	R/W	0h	屏蔽 CLK8 的边带禁用
1	SBI_MASK_7	R/W	0h	屏蔽 CLK7 的边带禁用
0	SBI_MASK_6	R/W	0h	屏蔽 CLK6 的边带禁用

9.2.11 R11 寄存器（偏移 = Bh）[复位 = 00h]

R11 如表 9-41 所示。

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表 9-41 R11 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	SBI_CLK_5	R	0h	CLK5 边带禁用回读
6	RESERVED	R	0h	保留位
5	SBI_CLK_4	R	0h	CLK4 边带禁用回读
4	SBI_CLK_3	R	0h	CLK3 边带禁用回读
3	RESERVED	R	0h	保留位
2	SBI_CLK_2	R	0h	CLK2 边带禁用回读
1	SBI_CLK_1	R	0h	CLK1 边带禁用回读
0	SBI_CLK_0	R	0h	CLK0 边带禁用回读

9.2.12 R12 寄存器（偏移 = Ch）[复位 = 00h]

R12 如表 9-42 所示。

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表 9-42 R12 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留位
6	SBI_CLK_11	R	0h	CLK11 边带禁用回读
5	SBI_CLK_10	R	0h	CLK10 边带禁用回读
4	RESERVED	R	0h	保留位
3	SBI_CLK_9	R	0h	CLK9 边带禁用回读
2	SBI_CLK_8	R	0h	CLK8 边带禁用回读
1	SBI_CLK_7	R	0h	CLK7 边带禁用回读
0	SBI_CLK_6	R	0h	CLK6 边带禁用回读

9.2.13 R17 寄存器（偏移 = 11h）[复位 = 66h]

R17 如表 9-43 所示。

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表 9-43 R17 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:4	AMP	R/W	6h	全局差分输出控制 = 0.6V 至大约 1V 25mV/步长默认值 = 0.75V 0h = 600mV 1h = 625mV 2h = 650mV 3h = 675mV 4h = 700mV 5h = 725mV 6h = 750mV 7h = 775mV 8h = 800mV 9h = 825mV Ah = 850mV Bh = 875mV Ch = 900mV Dh = 925mV Eh = 950mV Fh = 975mV
3:0	RESERVED	R	0h	保留位

9.2.14 R18 寄存器（偏移 = 12h）[复位 = 08h]

R18 如表 9-44 所示。

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表 9-44 R18 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	d_RX_EN_AC_INPUT	R/W	0h	当 CLKIN 是交流耦合时启用接收器偏置 0h = 直流耦合输入 1h = 交流耦合输入
6	d_RX_EN_RTERM_LSB	R/W	0h	启用 CLKIN 上的端接电阻器 0h = 输入端接 R 禁用 1h = 输入端接 R 启用
5:4	RESERVED	R	0h	保留位
3	PD_RESTOREB	R/W	1h	断电时保存配置 0h = 配置已清除 1h = 配置已保存
2:1	RESERVED	R	0h	保留位
0	LOSb_RB	R	0h	实时回读丢失检测块输出 0h = 检测到 LOS 事件 1h = 未检测到 LOS 事件

9.2.15 R20 寄存器（偏移 = 14h）[复位 = B7h]

R20 如表 9-45 所示。

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表 9-45 R20 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	SLEWRATE_SEL_CLK5__MSB	R/W	1h	MSB CLK5 压摆率选择
6	RESERVED	R	0h	保留位
5	SLEWRATE_SEL_CLK4__MSB	R/W	1h	MSB CLK4 压摆率选择
4	SLEWRATE_SEL_CLK3__MSB	R/W	1h	MSB CLK3 压摆率选择
3	RESERVED	R	0h	保留位
2	SLEWRATE_SEL_CLK2__MSB	R/W	1h	MSB CLK2 压摆率选择
1	SLEWRATE_SEL_CLK1__MSB	R/W	1h	MSB CLK1 压摆率选择
0	SLEWRATE_SEL_CLK0__MSB	R/W	1h	MSB CLK0 压摆率选择

9.2.16 R21 寄存器（偏移 = 15h）[复位 = 6Fh]

R21 如表 9-46 所示。

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表 9-46 R21 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留位
6	SLEWRATE_SEL_CLK11__MSB	R/W	1h	MSB CLK11 压摆率选择
5	SLEWRATE_SEL_CLK10__MSB	R/W	1h	MSB CLK10 压摆率选择
4	RESERVED	R	0h	保留位
3	SLEWRATE_SEL_CLK9__MSB	R/W	1h	MSB CLK9 压摆率选择
2	SLEWRATE_SEL_CLK8__MSB	R/W	1h	MSB CLK8 压摆率选择
1	SLEWRATE_SEL_CLK7__MSB	R/W	1h	MSB CLK7 压摆率选择
0	SLEWRATE_SEL_CLK6__MSB	R/W	1h	MSB CLK6 压摆率选择

9.2.17 R38 寄存器（偏移 = 26h）[复位 = 00h]

R38 如表 9-47 所示。

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表 9-47 R38 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:1	RESERVED	R	0h	保留位
0	WRITE_LOCK	R/WMC	0h	不可清除的 SMBus 写入锁定位。当写入 1 时，无法写入 SMBus 控制寄存器。该位只能通过下电上电来清除 0h = SMBus 未被该位进行写入锁定。请参阅 WRITE_LOCK_RW1C 位。 1h = SMBus 已进行写入锁定

9.2.18 R39 寄存器（偏移 = 27h）[复位 = 00h]

R39 如表 9-48 所示。

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表 9-48 R39 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:2	RESERVED	R	0h	保留
1	LOS_EVT	R/WSC	0h	高电平时的 LOS 事件状态，表示检测到 LOS 事件。可通过写入 1 来清除 0h = 未检测到 LOS 事件 1h = 检测到 LOS 事件
0	WRITE_LOCK_RW1C	R/W	0h	可清除的 SMBus 写入锁定位。当写入 1 时，无法写入 SMBus 控制寄存器。可通过向该位写入 1 来清除该位。 0h = SMBus 未被该位进行写入锁定。请参阅 WRITE_LOCK 位。 1h = SMBus 已进行写入锁定

9.2.19 R91 寄存器（偏移 = 5Bh）[复位 = 60h]

R91 如表 9-49 所示。

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表 9-49 R91 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:4	SLEWRATE_OPT_2	R/W	6h	有四个寄存器分配，每个分配存储一个压摆率值（从 16 个可用压摆率值中选择）。此寄存器位与第 2 个选项相关。有关详细信息，请参阅“可编程输出压摆率”部分。 0h = 0 1h = 1 2h = 2 3h = 3 4h = 4 5h = 5 6h = 6（LMKDB1112 的默认值） 7h = 7 8h = 8 9h = 9 Ah = 10 Bh = 11 Ch = 12 Dh = 13 Eh = 14 Fh = 15
3:0	SLEWRATE_OPT_1	R/W	0h	有四个寄存器分配，每个分配存储一个压摆率值（从 16 个可用压摆率值中选择）。此寄存器位与第 1 个选项相关。有关详细信息，请参阅“可编程输出压摆率”部分。 0h = 0 1h = 1 2h = 2 3h = 3 4h = 4 5h = 5 6h = 6 7h = 7 8h = 8 9h = 9 Ah = 10 Bh = 11 Ch = 12 Dh = 13 Eh = 14 Fh = 15

9.2.20 R92 寄存器（偏移 = 5Ch）[复位 = FAh]

R92 如表 9-50 所示。

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表 9-50 R92 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7:4	SLEWRATE_OPT_4	R/W	Fh	有四个寄存器分配，每个分配存储一个压摆率值（从 16 个可用压摆率值中选择）。此寄存器位与第 4 个选项相关。有关详细信息，请参阅“可编程输出压摆率”部分。 0h = 0 1h = 1 2h = 2 3h = 3 4h = 4 5h = 5 6h = 6 7h = 7 8h = 8 9h = 9 Ah = 10 Bh = 11 Ch = 12 Dh = 13 Eh = 14 Fh = 15
3:0	SLEWRATE_OPT_3	R/W	Ah	有四个寄存器分配，每个分配存储一个压摆率值（从 16 个可用压摆率值中选择）。此寄存器位与第 3 个选项相关。有关详细信息，请参阅“可编程输出压摆率”部分。 0h = 0 1h = 1 2h = 2 3h = 3 4h = 4 5h = 5 6h = 6 7h = 7 8h = 8 9h = 9 Ah = 10 Bh = 11 Ch = 12 Dh = 13 Eh = 14 Fh = 15

9.2.21 R97 寄存器（偏移 = 61h）[复位 = 12h]

R97 如表 9-51 所示。

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表 9-51 R97 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	SLEWRATE_CTRL_MOD_E	R/W	0h	设置使用哪种模式来更改输出转换率 0h = 引脚模式 1h = SMBus 模式
6	RESERVED	R	0h	保留
5:3	RESERVED	R	0h	保留
2:0	RESERVED	R	0h	保留

9.2.22 R98 寄存器（偏移 = 62h）[复位 = 00h]

R98 如表 9-52 所示。

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表 9-52 R98 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	SLEWRATE_SEL_CLK5__LSB	R/W	0h	LSB CLK5 压摆率控制
6	RESERVED	R	0h	保留
5	SLEWRATE_SEL_CLK4__LSB	R/W	0h	LSB CLK4 压摆率控制
4	SLEWRATE_SEL_CLK3__LSB	R/W	0h	LSB CLK3 压摆率控制
3	RESERVED	R	0h	保留
2	SLEWRATE_SEL_CLK2__LSB	R/W	0h	LSB CLK2 压摆率控制
1	SLEWRATE_SEL_CLK1__LSB	R/W	0h	LSB CLK1 压摆率控制
0	SLEWRATE_SEL_CLK0__LSB	R/W	0h	LSB CLK0 压摆率控制

9.2.23 R99 寄存器（偏移 = 63h）[复位 = 00h]

R99 如表 9-53 所示。

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表 9-53 R99 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	SLEWRATE_SEL_CLK11__LSB	R/W	0h	LSB CLK11 压摆率控制
5	SLEWRATE_SEL_CLK10__LSB	R/W	0h	LSB CLK10 压摆率控制
4	RESERVED	R	0h	保留
3	SLEWRATE_SEL_CLK9__LSB	R/W	0h	LSB CLK9 压摆率控制
2	SLEWRATE_SEL_CLK8__LSB	R/W	0h	LSB CLK8 压摆率控制
1	SLEWRATE_SEL_CLK7__LSB	R/W	0h	LSB CLK7 压摆率控制
0	SLEWRATE_SEL_CLK6__LSB	R/W	0h	LSB CLK6 压摆率控制