ZHCSRR6C November   2023  – May 2024 LMKDB1108 , LMKDB1120 , LMKDB1204

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议工作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SMBus 时序要求
    7. 6.7 SBI 时序要求
    8. 6.8 时序图
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入特性
        1. 8.3.1.1 在器件断电时运行输入时钟
        2. 8.3.1.2 失效防护输入
        3. 8.3.1.3 输入配置
          1. 8.3.1.3.1 用于时钟输入的内部端接
          2. 8.3.1.3.2 交流耦合或直流耦合时钟输入
      2. 8.3.2 灵活的电源序列
        1. 8.3.2.1 PWRDN# 置为有效和置为无效
        2. 8.3.2.2 OE# 置为有效和置为无效
        3. 8.3.2.3 PWRGD 置为有效
        4. 8.3.2.4 器件电源关闭时的时钟输入和 PWRGD/PWRDN# 行为
      3. 8.3.3 LOS 和 OE
        1. 8.3.3.1 LMKDB1120 的附加 OE# 引脚和向后兼容性
        2. 8.3.3.2 同步 OE
        3. 8.3.3.3 OE 控制
        4. 8.3.3.4 自动输出禁用
        5. 8.3.3.5 LOS 检测
      4. 8.3.4 输出特性
        1. 8.3.4.1 双端接
        2. 8.3.4.2 可编程输出压摆率
        3. 8.3.4.3 可编程输出摆幅
        4. 8.3.4.4 准确的输出阻抗
        5. 8.3.4.5 可编程输出阻抗
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 SMBus 模式
      2. 8.4.2 SBI 模式
      3. 8.4.3 引脚模式
  10. 9 寄存器映射
    1. 9.1 LMKDB1120 寄存器
    2. 9.2 LMKDB1108 寄存器
    3. 9.3 LMKDB1204 寄存器
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 应用曲线
    3. 10.3 电源相关建议
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.2 LMKDB1108 寄存器

表 9-29 列出了 LMKDB1108 寄存器的存储器映射寄存器。表 9-29 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不得修改寄存器内容。

表 9-29 LMKDB1108 寄存器
偏移 缩写 寄存器名称 部分
0h R0 CLK2 至 CLK7 的输出使能控制 节 9.2.1
1h R1 CLK0 和 CLK1 的输出使能控制 节 9.2.2
2h R2 CLK2 至 CLK7 的 OE 引脚回读 节 9.2.3
3h R3 CLK0 和 CLK1 的 OE 引脚回读 节 9.2.4
4h R4 AOD 使能控制和 SBI_EN 回读 节 9.2.5
5h R5 器件信息 节 9.2.6
6h R6 器件信息（续） 节 9.2.7
7h R7 SMBus 字节计数器 节 9.2.8
8h R8 CLK2 至 CLK7 的 SBI 掩码 节 9.2.9
9h R9 CLK0 和 CLK1 的 SBI 掩码 节 9.2.10
Bh R11 CLK0 至 CLK5 的 SBI 掩码回读 节 9.2.11
Ch R12 CLK6 和 CLK7 的 SBI 掩码回读 节 9.2.12
11h R17 输出幅度 节 9.2.13
12h R18 输入配置、在 PD 中保存配置、SMB SDATA 监测和 LOS 回读 节 9.2.14
14h R20 CLK2 至 CLK7 的输出压摆率选择 MSB 节 9.2.15
15h R21 CLK0 和 CLK1 的输出压摆率选择 MSB 节 9.2.16
26h R38 不可清除的 SMBUS 写入锁定 节 9.2.17
27h R39 LOS 事件状态和可清除的 SMBus 写入锁定 节 9.2.18
35h R53 压摆率模式控制选择 节 9.2.19
62h R98 CLK0 至 CLK7 的输出压摆率选择 LSB 节 9.2.20

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 9-30 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 9-30 LMKDB1108 访问类型代码
访问类型 代码 说明
读取类型
R R 读取
RC R
C		 读取
以清除
写入类型
W W 写入
W1C W
1C		 写入
1 以清零
WSC W 写入
复位或默认值
-n 复位后的值或默认值

9.2.1 R0 寄存器（偏移 = 0h）[复位 = EEh]

表 9-31 展示了 R0。

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表 9-31 R0 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 CLK_EN_2 R/W 1h CLK2 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
6 CLK_EN_3 R/W 1h CLK3 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
5 CLK_EN_4 R/W 1h CLK4 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
4 RESERVED R 0h 保留
3 CLK_EN_5 R/W 1h CLK5 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
2 CLK_EN_6 R/W 1h CLK6 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
1 CLK_EN_7 R/W 1h CLK7 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
0 RESERVED R 0h 保留

9.2.2 R1 寄存器（偏移 = 1h）[复位 = 24h]

表 9-32 展示了 R1。

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表 9-32 R1 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:6 RESERVED R 0h 保留
5 CLK_EN_0 R/W 1h CLK0 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
4:3 RESERVED R 0h 保留
2 CLK_EN_1 R/W 1h CLK1 的输出使能
0h = 输出已禁用（低电平/低电平）
1h = 输出已启用
1:0 RESERVED R 0h 保留

9.2.3 R2 寄存器（偏移 = 2h）[复位 = 00h]

表 9-33 展示了 R2。

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表 9-33 R2 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RB_OEb_2 R 0h OEb2 的状态
6 RB_OEb_3 R 0h OEb3 的状态
5 RB_OEb_4 R 0h OEb4 的状态
4 RESERVED R 0h 保留
3 RB_OEb_5 R 0h OEb5 的状态
2 RB_OEb_6 R 0h OEb6 的状态
1 RB_OEb_7 R 0h OEb7 的状态
0 RESERVED R 0h 保留

9.2.4 R3 寄存器（偏移 = 3h）[复位 = 00h]

表 9-34 展示了 R3。

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表 9-34 R3 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:6 RESERVED R 0h 保留
5 RB_OEb_0 R 0h OEb0 的状态
4:3 RESERVED R 0h 保留
2 RB_OEb_1 R 0h OEb1 的状态
1:0 RESERVED R 0h 保留

9.2.5 R4 寄存器（偏移 = 4h）[复位 = 10h]

表 9-35 展示了 R4。

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表 9-35 R4 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:5 RESERVED R 0h 保留
4 AOD_ENABLE R/W 1h 当检测到 LOS 事件时，启用自动输出禁用 (AOD)，切换到低电平/低电平。有关详细信息，请参阅“自动输出禁用”部分。
0h = 已禁用（直流耦合）
1h = 已启用（交流耦合）
3:1 RESERVED R 0h 保留
0 RB_SBI_ENQ R 0h SBI_ENQ 的状态

9.2.6 R5 寄存器（偏移 = 5h）[复位 = 0Ah]

表 9-36 展示了 R5。

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表 9-36 R5 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:4 RESERVED R 0h 保留
3:0 VENDOR_ID R Ah 供应商 ID

9.2.7 R6 寄存器（偏移 = 6h）[复位 = 08h]

表 9-37 展示了 R6。

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表 9-37 R6 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:0 DEV_ID R 8h 器件 ID

9.2.8 R7 寄存器（偏移 = 7h）[复位 = 07h]

表 9-38 展示了 R7。

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表 9-38 R7 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:5 RESERVED R 0h 保留
4:0 SMBUS_BC R/W 7h SMBUS 块读取字节计数

9.2.9 R8 寄存器（偏移 = 8h）[复位 = 00h]

表 9-39 展示了 R8。

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表 9-39 R8 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 SBI_MASK_2 R/W 0h 屏蔽 CLK2 的边带禁用
6 SBI_MASK_3 R/W 0h 屏蔽 CLK3 的边带禁用
5 SBI_MASK_4 R/W 0h 屏蔽 CLK4 的边带禁用
4 RESERVED R 0h 保留
3 SBI_MASK_5 R/W 0h 屏蔽 CLK5 的边带禁用
2 SBI_MASK_6 R/W 0h 屏蔽 CLK6 的边带禁用
1 SBI_MASK_7 R/W 0h 屏蔽 CLK7 的边带禁用
0 RESERVED R 0h 保留

9.2.10 R9 寄存器（偏移 = 9h）[复位 = 00h]

表 9-40 展示了 R9。

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表 9-40 R9 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:6 RESERVED R 0h 保留
5 SBI_MASK_0 R/W 0h 屏蔽 CLK0 的边带禁用
4:3 RESERVED R 0h 保留
2 SBI_MASK_1 R/W 0h 屏蔽 CLK1 的边带禁用
1:0 RESERVED R 0h 保留

9.2.11 R11 寄存器（偏移 = Bh）[复位 = EEh]

表 9-41 展示了 R11。

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表 9-41 R11 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 SBI_CLK_2 R 1h CLK5 边带禁用回读
6 SBI_CLK_3 R 1h CLK4 边带禁用回读
5 SBI_CLK_4 R 1h CLK3 边带禁用回读
4 RESERVED R 0h 保留
3 SBI_CLK_5 R 1h CLK2 边带禁用回读
2 SBI_CLK_6 R 1h CLK1 边带禁用回读
1 SBI_CLK_7 R 1h CLK0 边带禁用回读
0 RESERVED R 0h 保留

9.2.12 R12 寄存器（偏移 = Ch）[复位 = 24h]

表 9-42 展示了 R12。

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表 9-42 R12 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:6 RESERVED R 0h 保留
5 SBI_CLK_0 R 1h CLK7 边带禁用回读
4:3 RESERVED R 0h 保留
2 SBI_CLK_1 R 1h CLK6 边带禁用回读
1:0 RESERVED R 0h 保留

9.2.13 R17 寄存器（偏移 = 11h）[复位 = 66h]

表 9-43 展示了 R17。

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表 9-43 R17 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:4 AMP_1 R/W 6h 全局差分输出控制，约 0.6V 至 1V 25mV/步长 默认值 = 0.8V
0h = 600mV
1h = 625mV
2h = 650mV
3h = 675mV
4h = 700mV
5h = 725mV
6h = 750mV
7h = 775mV
8h = 800mV
9h = 825mV
Ah = 850mV
Bh = 875mV
Ch = 900mV
Dh = 925mV
Eh = 950mV
Fh = 975mV
3:0 RESERVED R 0h 保留

9.2.14 R18 寄存器（偏移 = 12h）[复位 = 08h]

表 9-44 展示了 R18。

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表 9-44 R18 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 RX_EN_AC_INPUT R/W 0h 当 CLKIN 是交流耦合时启用接收器偏置
0h = 直流耦合输入
1h = 交流耦合输入
6 RX_EN_RTERM_LSB R/W 0h 启用/禁用 CLKIN1 上的端接电阻器
0h = 已禁用
1h = 已启用
5 RESERVED R 0h 保留
4 RESERVED R 0h 保留
3 PD_RESTOREB R/W 1h 断电时保存配置
0h = 配置已清除
1h = 配置已保存
2:1 RESERVED R 0h 保留
0 LOSb_RB R 0h 实时回读丢失检测块输出
0h = 检测到 LOS 事件
1h = 未检测到 LOS 事件

9.2.15 R20 寄存器（偏移 = 14h）[复位 = EEh]

表 9-45 展示了 R20。

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表 9-45 R20 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 SLEWRATE_SEL_CLK2_MSB R/W 1h MSB CLK2 压摆率选择
6 SLEWRATE_SEL_CLK3_MSB R/W 1h MSB CLK3 压摆率选择
5 SLEWRATE_SEL_CLK4_MSB R/W 1h MSB CLK4 压摆率选择
4 RESERVED R 0h 保留
3 SLEWRATE_SEL_CLK5_MSB R/W 1h MSB CLK5 压摆率选择
2 SLEWRATE_SEL_CLK6_MSB R/W 1h MSB CLK6 压摆率选择
1 SLEWRATE_SEL_CLK7_MSB R/W 1h MSB CLK7 压摆率选择
0 RESERVED R 0h 保留

9.2.16 R21 寄存器（偏移 = 15h）[复位 = 24h]

表 9-46 展示了 R21。

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表 9-46 R21 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:6 RESERVED R 0h 保留
5 SLEWRATE_SEL_CLK0_MSB R/W 1h MSB CLK0 压摆率选择
4:3 RESERVED R 0h 保留
2 SLEWRATE_SEL_CLK1_MSB R/W 1h MSB CLK1 压摆率选择
1:0 RESERVED R 0h 保留

9.2.17 R38 寄存器（偏移 = 26h）[复位 = 00h]

表 9-47 展示了 R38。

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表 9-47 R38 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:1 RESERVED R 0h 保留
0 WRITE_LOCK R 0h 不可清除的 SMBus 写入锁定位。当写入 1 时，无法写入 SMBus 控制寄存器。该位只能通过下电上电来清除。
0h = SMBus 未进行写入锁定
1h = SMBus 已进行写入锁定

9.2.18 R39 寄存器（偏移 = 27h）[复位 = 00h]

表 9-48 展示了 R39。

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表 9-48 R39 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:2 RESERVED R 0h 保留
1 LOS_EVT R/W 0h LOS 事件状态。处于高电平时，指示检测到 LOS 事件。可通过向该位写入 1 来清除。
0h = 未检测到 LOS 事件
1h = 检测到 LOS 事件
0 WRITE_LOCK_RW1C R 0h 可清除的 SMBus 写入锁定位。当写入 1 时，无法写入 SMBus 控制寄存器。可通过向该位写入 1 来清除该位。
0h = SMBus 未进行写入锁定
1h = SMBus 已进行写入锁定

9.2.19 R53 寄存器（偏移 = 35h）[复位 = 00h]

表 9-49 展示了 R53。

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表 9-49 R53 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7:6 RESERVED R 0h 保留
5 SLEWRATE_CTRL_MODE R/WSC 0h 设置使用哪种模式来更改输出压摆率
0h = 引脚模式
1h = SMBus 模式
4:0 RESERVED R 0h 保留

9.2.20 R98 寄存器（偏移 = 62h）[复位 = 00h]

表 9-50 展示了 R98。

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表 9-50 R98 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
7 SLEWRATE_SEL_CLK7_LSB R/W 0h LSB CLK7 压摆率控制
6 SLEWRATE_SEL_CLK6_LSB R/W 0h LSB CLK6 压摆率控制
5 SLEWRATE_SEL_CLK5_LSB R/W 0h LSB CLK5 压摆率控制
4 SLEWRATE_SEL_CLK4_LSB R/W 0h LSB CLK4 压摆率控制
3 SLEWRATE_SEL_CLK3_LSB R/W 0h LSB CLK3 压摆率控制
2 SLEWRATE_SEL_CLK2_LSB R/W 0h LSB CLK2 压摆率控制
1 SLEWRATE_SEL_CLK1_LSB R/W 0h LSB CLK1 压摆率控制
0 SLEWRATE_SEL_CLK0_LSB R/W 0h LSB CLK0 压摆率控制