ZHCSV83 March   2024 LMG3425R030

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通压摆率
      4. 6.1.4 导通和关断开关能量
    2. 6.2 安全工作区（SOA）
      1. 6.2.1 重复性安全工作区
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN FET 操作定义
      2. 7.3.2  直接驱动 GaN 架构
      3. 7.3.3  漏源电压能力
      4. 7.3.4  内部降压/升压 DC-DC 转换器
      5. 7.3.5  VDD 偏置电源
      6. 7.3.6  辅助 LDO
      7. 7.3.7  故障保护
        1. 7.3.7.1 过流保护与短路保护
        2. 7.3.7.2 过温关断保护
        3. 7.3.7.3 UVLO 保护
        4. 7.3.7.4 高阻抗 RDRV 引脚保护
        5. 7.3.7.5 故障报告
      8. 7.3.8  驱动强度调整
      9. 7.3.9  温度传感输出
      10. 7.3.10 理想二极管模式操作
        1. 7.3.10.1 可操作的理想二极管模式
        2. 7.3.10.2 过热关断理想二极管模式
    4. 7.4 启动序列
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 压摆率选择
        2. 8.2.2.2 信号电平转换
        3. 8.2.2.3 降压/升压转换器设计
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 注意事项
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 使用隔离式电源
      2. 8.4.2 使用自举二极管
        1. 8.4.2.1 二极管选型
        2. 8.4.2.2 管理自举电压
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 焊点可靠性
        2. 8.5.1.2 电源环路电感
        3. 8.5.1.3 信号接地连接
        4. 8.5.1.4 旁路电容器
        5. 8.5.1.5 开关节点电容
        6. 8.5.1.6 信号完整性
        7. 8.5.1.7 高电压间距
        8. 8.5.1.8 热建议
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RQZ|54
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

除非另有说明，否则：电压、电阻、电容以及电感均以 GND 为基准；–40℃ ≤ TJ ≤ 125℃；
VDS = 480V；9V ≤ VVDD ≤ 18V；VIN = 0V；RDRV 连接至 LDO5V；LBBSW = 4.7µH
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
GaN 功率晶体管
RDS(on) 漏源导通电阻 VIN = 5V，TJ = 25°C 26 35 mΩ
VIN = 5V，TJ = 125°C 45 mΩ
VSD 第三象限模式源漏电压 IS = 0.1A 3.8 V
IS = 20A 3 5 V
IDSS 漏极漏电流 VDS = 600V，TJ = 25°C 1 uA
VDS = 600V，TJ = 125°C 10 uA
COSS 输出电容 VDS = 400V 130 170 pF
CO(er) 与能量相关的有效输出电容 VDS = 0V 到 400V 230 276 335 pF
CO(tr) 与时间相关的有效输出电容 430 pF
QOSS 输出电荷 160 175 nC
QRR 反向恢复电荷 0 nC
VDD – 电源电流
VDD 静态电流 (LMG3422) VVDD = 12V, VIN = 0V 或 5V 700 1200 uA
VDD 静态电流 (LMG3425) VVDD = 12V, VIN = 0V 或 5V 780 1300 uA
VDD 工作电流 VVDD = 12V，fIN  = 140kHz，软开关 13 18 mA
降压/升压转换器
VNEG 输出电压 VNEG 灌电流 40mA -14 V
IBBSW,PK(low) 低峰值电流模式设置下的 BBSW 峰拉电流
（外部降压/升压电感器电流峰值）		 0.3 0.4 0.5 A
IBBSW,PK(high) 高峰值电流模式设置下的 BBSW 峰拉电流
（外部降压/升压电感器电流峰值）		 0.8 1 1.2 A
高峰值电流模式设置启用 –输入正向阈值频率 280 420 515 kHz
LDO5V
输出电压 LDO5V 拉取 25mA 4.75 5 5.25 V
短路电流 25 50 100 mA
IN
VIN,IT+ 正向输入阈值电压 1.7 1.9 2.45 V
VIN,IT– 负向输入阈值电压 0.7 1 1.3 V
输入阈值迟滞 0.7 0.9 1.3 V
输入下拉电阻 VIN = 2V 100 150 200 kΩ
FAULT, OC, TEMP – OUPUT DRIVE
低电平输出电压 输出灌电流 8mA 0.16 0.4 V
高电平输出电压 输出拉电流 8mA（测量为
VLDO5V – VO）		 0.2 0.45 V
VDD，VNEG – 欠压锁定
VVDD,T+(UVLO) VDD UVLO – 正向阈值电压  6.5 7 7.5 V
VDD UVLO – 负向阈值电压 6.1 6.5 7 V
VDD UVLO – 输入阈值电压迟滞 510 mV
VNEG UVLO – 负向阈值电压 -13.6 -13.0 -12.3 V
VNEG UVLO – 正向阈值电压 -13.2 -12.75 -12.1 V
栅极驱动器
导通压摆率 从 VDS ＜ 320V 到 VDS ＜ 80V，RDRV 与 LDO5V 断开，RRDRV = 300kΩ，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 电流 = 10A，参阅 图 6-1   20 V/ns
从 VDS ＜ 320V 到 VDS ＜ 80V，RDRV 与 LDO5V 连接，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 电流 = 10A，参阅 图 6-1    100 V/ns
从 VDS ＜ 320V 到 VDS ＜ 80V，RDRV 与 LDO5V 断开，RRDRV = 0Ω，TJ = 25℃，VBUS = 400V，LHB 电流 = 10A，参阅 图 6-1         150 V/ns
GaN FET 最大开关频率。 VNEG 上升至＞–13.25V，软开关，当 VVDD ＜ 9V 时的最大开关频率降额  2.2 MHz
故障
IT(OC) 漏极过流故障 - 阈值电流 60 70 80 A
IT(SC) 漏极短路故障 - 阈值电流 80 95 110 A
di/dtT(SC) 过流与短路故障之间的 di/dt 阈值 150 A/µs
GaN 温度故障 – 正向阈值温度 175 °C
GaN 温度故障 – 阈值温度迟滞 30 °C
驱动器温度故障 - 正向阈值温度 185 °C
驱动器温度故障 – 阈值温度迟滞 20 °C
TEMP
输出频率 4.5 9 14 kHz
输出 PWM 占空比 GaN TJ = 150℃ 82 %
GaN TJ = 125℃ 58.5 64.6 70 %
GaN TJ = 85℃ 36.2 40 43.7 %
GaN TJ = 25℃ 0.3 3 6 %
理想二极管模式控制
VT(3rd) 漏源第三象限检测 – 阈值电压 -0.15 0 0.15 V
IT(ZC) 漏极零电流检测 – 阈值电流 0°C ≤ TJ ≤ 125°C -0.2 0 0.2 A
–40°C ≤ TJ ≤ 0°C -0.35 0 0.35 A