ZHCSV83 March 2024 LMG3425R030
PRODUCTION DATA
6.2.1 重复性安全工作区
对于 LMG3425R030（图 5-12）的容许重复性安全工作区，由导通期间的漏极峰值电流（IDS）与漏源电压（VDS）决定。开关期间的峰值漏极电流是进入漏极端子的几个电流之和：电感电流（Iind）；为图腾柱中其他 GaN 器件的 COSS 充电所需要的电流；以及为开关节点上的寄生电容充电所需要的电流（Cpar）。285pF 用作开关期间器件的平均 COSS。对于开关节点上的寄生电容，可通过 PCB 的叠加电容估算。安全工作区测试采用升压拓扑结构。图 6-3 所示电路用于生成 图 5-12 中安全工作区曲线。为保证可靠运行，器件结温也必须限制在 125℃。图 5-12 的 IDS 的计算公式如下：
方程式 1. IDS = Iind + (285pF + Cpar) * Drain slew rate at peak current
其中，峰值电流时的漏极转换率估计为总线电压的 70% 至 30%，Cpar 为开关节点处的寄生电路板电容。
图 6-3 安全工作区曲线所用电路如需了解更多详细信息，可参阅《实现 GaN 产品的寿命可靠性》。