ZHCSV83 March 2024 LMG3425R030
PRODUCTION DATA
图 6-1 展示了用于测量大多数开关参数的电路。该电路的顶部器件用于电感器电流再循环,并且仅在第三象限模式下运行。只有 LMG3422R030 必须用作顶部器件,因为它不具有理想二极管模式特性。请勿将 LMG3425R030 用于顶部器件。如果顶部器件具有理想的二极管模式特性,就会在电感器电流再循环时自动导通 GaN FET,在底部器件导通时导致发生击穿电流事件。底部器件是有源器件,导通后可将电感器电流增加到所需测试电流。然后,底部器件将关断和导通,以在特定电感器电流下生成开关波形。测量漏极电流(在源极)和漏源电压。图 6-2 展示了具体的时序测量结果。TI 建议使用半桥作为双脉冲测试仪。第三象限过度运行可能会使顶部器件过热。