GaN 器件具有极低的输出电容，能够在高 dv/dt 的情况下快速开关，因此具有非常低的开关损耗。为了保持这种低开关损耗，必须最大限度减少向输出节点添加的额外电容。可根据该等指南，最大限度减小开关节点处的 PCB 电容：
- 最大限度减少开关节点平面和其他电源与接地平面之间的重叠。
- 使高压侧器件下的 GND 返回路径更细，同时保持低电感路径。
- 选择具有低电容的高压侧隔离器集成电路与自举二极管。
- 将功率电感器尽可能靠近 GaN 器件。
- 功率电感器必须采用单层绕组设计，以便最大限度减小绕组内电容。
- 如果无法采用单层电感器，可考虑在初级电感器与 GaN 器件之间放置一个小型电感器，以便有效屏蔽 GaN 器件的额外电容。
- 如果采用背面散热器，则应尽可能减少底部铜层的开关节点铜覆盖面积，以便改善散热效果。