ZHCSV83 March 2024 LMG3425R030
PRODUCTION DATA
在本数据表中，以下术语具有如下定义。就该等定义而言，假定源极引脚为 0V。
第一象限电流 = 从“漏极”引脚流向“源极”引脚的内部正向电流。
第三象限电流 = 从“源极”引脚流向“漏极”引脚的内部正向电流。
第一象限电压 = 漏极引脚电压 - 源极引脚电压 = 漏极引脚电压
第三象限电压 = 源极引脚电压 - 漏极引脚电压= -漏极引脚电压
FET 导通状态 = FET 通道处于额定 RDS(on) 状态。第一象限电流与第三象限电流都可以在额定 RDS(on) 下流动。
LMG3425R030 导通状态下，GaN FET 内部栅极电压保持源极引脚电压，以便实现额定 RDS(on)。GaN FET 沟道在 VGS = 0V 时处于额定 RDS(on)，因为 LMG3425R030 GaN FET 为耗尽模式 FET。
FET 关断状态 = 第一象限电压为正时，FET 沟道完全关断。第一象限电流无法流动。尽管在 FET 关断状态下第一象限电流不会流动，但如果“漏极”电压足够负（第三象限电压为正），第三象限电流能够流动。对于具有固有 p-n 结体二极管的器件，当“漏极”电压下降到足以使 p-n 结正向偏置时，电流就会开始流动。
GaN FET 没有固有的 p-n 结体二极管。相反，电流之所以会流动是因为 GaN FET 沟道重新导通。这种情况下，“漏极”引脚会成为电学源极，“源极”引脚回成为电学漏极。为了增强第三象限中的沟道，必须将“漏极”（电学源极）电压调得足够低，以便建立一个大于 GaN FET 阈值电压的 VGS 电压。GaN FET 沟道处于饱和状态，仅导通足以支持第三象限电流作为其饱和电流。
LMG3425R030 关断状态下，GaN FET 内部栅极电压保持 VNEG 引脚电压，以便阻断所有第一象限电流。VNEG 电压低于 GaN FET 负阈值电压，以便切断沟道。
为了在关断状态下增强第三象限通道，必须将LMG3425R030“漏极”（电学源极）电压调得足够靠近 VNEG，以便建立一个大于 GaN FET 阈值电压的 VGS 电压。同样，由于 LMG3425R030 GaN FET 是一种耗尽模式 FET，具有负向阈值电压，这意味着 GaN FET 在“漏极”（电学源极）电压介于 0V 与 VNEG 之间时处于导通状态。第三象限电流为 20 A 时，典型的关断状态第三象限电压为 5 V。因此，LMG3425R030 的关断状态第三象限损耗显著高于具有固有 p-n 结体二极管的同类功率器件。特定情况下，“理想二极管模式操作”中描述的理想二极管模式功能有助于降低该等损耗。