ZHCSNN4D October   2020  – May 2025 LMG3422R050 , LMG3426R050 , LMG3427R050

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通压摆率
      4. 6.1.4 导通和关断开关能量
      5. 6.1.5 零电压检测时间（仅限 LMG3426R050）
      6. 6.1.6 零电流检测时间（仅限 LMG3427R050）
    2. 6.2 安全工作区（SOA）
      1. 6.2.1 重复性安全工作区
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 LMG3422R050 功能方框图
      2. 7.2.2 LMG3426R050 功能方框图
      3. 7.2.3 LMG3427R050 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN FET 操作定义
      2. 7.3.2  直接驱动 GaN 架构
      3. 7.3.3  漏源电压能力
      4. 7.3.4  内部降压/升压 DC-DC 转换器
      5. 7.3.5  VDD 偏置电源
      6. 7.3.6  辅助 LDO
      7. 7.3.7  故障保护
        1. 7.3.7.1 过流保护与短路保护
        2. 7.3.7.2 过温关断保护
        3. 7.3.7.3 UVLO 保护
        4. 7.3.7.4 高阻抗 RDRV 引脚保护
        5. 7.3.7.5 故障报告
      8. 7.3.8  驱动强度调整
      9. 7.3.9  温度传感输出
      10. 7.3.10 理想二极管模式操作
        1. 7.3.10.1 过热关断理想二极管模式
      11. 7.3.11 零电压检测（ZVD）（仅限LMG3426R050）
      12. 7.3.12 零电流检测（ZCD）（仅限LMG3427R050）
    4. 7.4 启动序列
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 压摆率选择
        2. 8.2.2.2 信号电平转换
        3. 8.2.2.3 降压/升压转换器设计
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 注意事项
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 使用隔离式电源
      2. 8.4.2 使用自举二极管
        1. 8.4.2.1 二极管选型
        2. 8.4.2.2 管理自举电压
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 焊点可靠性
        2. 8.5.1.2 电源环路电感
        3. 8.5.1.3 信号接地连接
        4. 8.5.1.4 旁路电容器
        5. 8.5.1.5 开关节点电容
        6. 8.5.1.6 信号完整性
        7. 8.5.1.7 高电压间距
        8. 8.5.1.8 热建议
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RQZ|54
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.2.2 信号电平转换

在半桥中，必须使用高压电平转换器或数字隔离器为高侧器件和控制电路之间的信号路径提供隔离。对于低侧器件，可以选择性地使用隔离器。但是，使用隔离器可均衡高侧和低侧信号路径之间的传播延迟，并能够为 GaN 器件和控制器使用不同的接地端。如果在低侧器件上未使用隔离器，则必须将控制接地和电源接地连接到器件，而不是连接到电路板上的任何其他位置。如需更多信息，请参阅布局指南。对于快速开关器件，共地电感在不使用隔离器的情况下很容易引起噪声问题。

为电平转换选择数字隔离器对于提高抗噪性非常重要。由于 GaN 器件可以在硬开关应用中轻松产生大于 50V/ns 的高 dv/dt，因此 TI 强烈建议使用具有高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 和低势垒电容的隔离器。具有低 CMTI 的隔离器很容易产生错误信号，可能会导致击穿。势垒电容是信号接地与电源接地之间的隔离电容的一部分，与开关期间产生的共模电流和 EMI 发射成正比。此外，TI 强烈建议选择非边沿触发的隔离器。在边沿触发隔离器中，高 dv/dt 事件可能会导致隔离器变为翻转状态，从而导致电路故障。

一般来说，首选具有默认输出低电平的开/关键控隔离器（例如：TI 的 ISO77xxF 或 ISO67xxF 系列）。默认低电平状态可确保系统在启动或从故障事件中恢复时不会击穿。由于高 CMTI 事件只会导致极短（几纳秒）的假脉冲，因此 TI 建议在驱动器输入端放置一个低通滤波器，如 300Ω 和 22pF R-C 滤波器，以便滤除这些假脉冲。