ZHCSNN4D October 2020 – May 2025 LMG3422R050 , LMG3426R050 , LMG3427R050
PRODUCTION DATA
LMG342xR050 是一款具有集成栅极驱动器的高性能功率 GaN 器件。GaN 器件提供零反向恢复和超低输出电容，可在基于桥的拓扑中获得高效率。直接驱动架构适用于通过集成式栅极驱动器直接控制 GaN 器件。相较传统的级联方法，该架构具有更为出色的开关性能，有助于解决 GaN 应用中的一系列难题。
集成驱动器可确保器件在漏极压摆率 时保持关断状态。集成驱动器可保护 GaN 器件免受过流、短路、过热、VDD 欠压和高阻抗 RDRV 引脚的影响。集成式驱动器还能够感测芯片温度，能够通过一个经调制的 PWM 信号发出温度信号。LMG3426R050 具有零电压检测 (ZVD) 功能，可在检测到零电压开关 (ZVS) 时在 ZVD 引脚输出脉冲信号。LMG3427R050 包含零电流检测 (ZCD) 功能，可在检测到正漏源电流时提供来自 ZCD 引脚的脉冲输出。
与 Si MOSFET 不同，GaN 器件在源极到漏极之间没有 p-n 结，因此没有反向恢复电荷。然而，GaN 器件仍然会像 p-n 结体二极管一样从源极导通到漏极，但压降更高，导通损耗更高。因此，必须在 LMG342xR050 GaN FET 关断时尽可能缩短源漏导通时间。