ZHCSQ53C November   2021  – January 2023 ISOUSB211

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
    11. 6.11 绝缘特性曲线
    12. 6.12 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 7.1 测试电路
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  电源选项
      2. 8.3.2  上电
      3. 8.3.3  对称操作、双角色端口和角色交换
      4. 8.3.4  连接和速度检测
      5. 8.3.5  断开检测
      6. 8.3.6  复位
      7. 8.3.7  LS/FS 消息流量
      8. 8.3.8  HS 消息流量
      9. 8.3.9  均衡和预加重
      10. 8.3.10 L2 电源管理状态(暂停)和恢复
      11. 8.3.11 L1 电源管理状态(睡眠)和恢复
      12. 8.3.12 HS 测试模式支持
      13. 8.3.13 CDP 广播
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 电源相关建议
  10. 10应用和实现
    1. 10.1 典型应用
      1. 10.1.1 隔离式主机或集线器
      2. 10.1.2 隔离式外设 - 自供电
      3. 10.1.3 隔离式外设 - 总线供电
      4. 10.1.4 应用曲线
        1. 10.1.4.1 绝缘寿命
    2. 10.2 符合 USB2.0 HS 眼图规范
    3. 10.3 散热注意事项
      1. 10.3.1 VBUS/V3P3V 电源
      2. 10.3.2 VCCx/V1P8Vx 电源
      3. 10.3.3 示例配置 1
      4. 10.3.4 示例配置 2
      5. 10.3.5 示例配置 3
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 布局示例
      2. 11.1.2 PCB 材料
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

隔离式外设 - 总线供电

#GUID-4ED8A146-15F3-4EA8-BB5F-C41E21310E0B 展示了一个采用 ISOUSB211 隔离自供电外设的应用。在此示例中,隔离式直流/直流转换器(例如 SN6505)用于产生一个 3.3V 本地电源,同时从 USB VBUS 获取电源。在微控制器侧,V3P3V2 和 VBUS2 一起连接到一个外部 3.3V 电源。V1P8V2 电源是使用内部 1.8V LDO 通过将 3.3V 本地电源连接到 VCC1 来生成的。在连接器侧,来自 USB 连接器的 VBUS 连接至 VBUS1,而 V3P3V1 电源由内部 3.3V LDO 生成。VCC1 和 V1P8V1 一起连接到源自 VBUS 的 1.8V 外部电源。请参阅GUID-3CB57389-D528-493C-9EA7-3B713B25957E.html#GUID-BDF49803-7698-4DBD-B37B-43CB6C4ED2A3,以了解有关根据需要优化 ISOUSB211 内部功耗的选项。

去耦电容器根据电源建议部分中提供的建议放置在 ISOUSB211 旁边。请注意,USB 标准要求,对于外设,VBUS 上的总电容值(包括通过隔离式直流/直流转换器从次级侧反射的任何去耦电容)必须小于 10μF。但是,建议在 VBUS 上总共使用至少 5µF 的电容。建议在 VBUS 连接器附近使用 100nF 电容器来处理瞬态电流。

可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管,例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接器的 VBUS 引脚与 ISOUSB211 的 VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠(如图中所示),来抑制 ESD 等瞬变。

图 10-3 采用 ISOUSB211 的隔离式总线供电外设.