ZHCSQ53D November   2021  – April 2025 ISOUSB211

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 测试电路
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  电源选项
      2. 7.3.2  上电
      3. 7.3.3  对称操作、双角色端口和角色交换
      4. 7.3.4  连接和速度检测
      5. 7.3.5  断开检测
      6. 7.3.6  复位
      7. 7.3.7  LS/FS 消息流量
      8. 7.3.8  HS 消息流量
      9. 7.3.9  均衡和预加重
      10. 7.3.10 L2 电源管理状态（暂停）和恢复
      11. 7.3.11 L1 电源管理状态（睡眠）和恢复
      12. 7.3.12 HS 测试模式支持
      13. 7.3.13 CDP 广播
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实现
    1. 8.1 典型应用
      1. 8.1.1 隔离式主机或集线器
      2. 8.1.2 隔离式外设 - 自供电
      3. 8.1.3 隔离式外设 - 总线供电
      4. 8.1.4 应用曲线
        1. 8.1.4.1 绝缘寿命
      5. 8.1.5 符合 USB 2.0 HS 眼图规范
    2. 8.2 散热注意事项
      1. 8.2.1 VBUS/V3P3V 电源
      2. 8.2.2 VCCx/V1P8Vx 电源
      3. 8.2.3 示例配置 1
      4. 8.2.4 示例配置 2
      5. 8.2.5 示例配置 3
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 布局示例
        2. 8.4.1.2 PCB 材料
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DP|28
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.1.1 布局示例

本部分中的布局示例显示了去耦电容器和 ESD 保护二极管的建议放置方式。建议在 D+/D- 信号布线下方使用连续的接地层。建议使用小尺寸电容器 (0402/0201)，以便可以将它们放置在非常靠近电源引脚和相应接地引脚的位置并使用顶层进行连接。去耦电容器与相应电源引脚和接地引脚之间的布线路径上不得有任何过孔。当考虑放置在靠近 IC 的位置时，V1P8Vx 电源上的电容器具有更高的优先级。ESD 保护二极管必须靠近连接器放置，并与接地层牢固连接。V1P8V1 的引脚 4 和 11 与 V1P8V2 的引脚 18 和 25 连接在一起，但此连接是在去耦电容器之后。如果 PCB 中有 2 层以上，则此连接应在内层或底层（例如，第 3 层或第 4 层）中实现，以免中断 D+/D- 布线下的接地层。所示的示例适用于隔离式主机或集线器，但类似的注意事项也适用于隔离式外设。VBUS 上的 120μF 电容器仅适用于主机或集线器，不得应用于外设。可以选择在 VBUS 布线上的 100nF（和 120μF）电容器之后放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠，从而防止 ESD 等瞬变影响电路的其余部分。

为了获得最佳性能，建议尽量缩短从 MCU 到 ISOUSB211 以及从 ISOUSB211 到连接器的 D+/D- 电路板布线长度。必须避免 D+/D- 线路上的过孔和残桩。为实现高速运行，务必避免 D+/D- 线路上的过孔和残桩。

可将一个小平面（例如 2mm x 2mm）连接到顶层的 GND 引脚以提高热性能。通过多个过孔将此层连接到第二层的接地层。

ISOUSB211 ISOUSB211 布局示例图 8-9 ISOUSB211 布局示例