ZHCS890C May   2012  – September 2025 INA3221

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 基本 ADC 功能
      2. 7.3.2 警报监测
        1. 7.3.2.1 临界警报
          1. 7.3.2.1.1 求和控制功能
        2. 7.3.2.2 警告警报
        3. 7.3.2.3 电源有效警报
        4. 7.3.2.4 时序控制警报
        5. 7.3.2.5 默认设置
      3. 7.3.3 软件复位
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 均值计算功能
      2. 7.4.2 多通道监测
        1. 7.4.2.1 通道配置
        2. 7.4.2.2 均值计算和转换时间注意事项
      3. 7.4.3 滤波和输入考虑
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 总线概述
        1. 7.5.1.1 串行总线地址
        2. 7.5.1.2 串行接口
      2. 7.5.2 对 INA3221 进行写入和读取
        1. 7.5.2.1 高速 I2C 模式
      3. 7.5.3 SMBus 警报响应
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 寄存器组摘要
      2. 7.6.2 寄存器说明
        1. 7.6.2.1  配置寄存器（地址 = 00h）[复位 = 7127h]
        2. 7.6.2.2  通道 1 分流电压寄存器（地址 = 01h）[复位 = 00h]
        3. 7.6.2.3  通道 1 总线电压寄存器（地址 = 02h）[复位 = 00h]
        4. 7.6.2.4  通道 2 分流电压寄存器（地址 = 03h）[复位 = 00h]
        5. 7.6.2.5  通道 2 总线电压寄存器（地址 = 04h）[复位 = 00h]
        6. 7.6.2.6  通道 3 分流电压寄存器（地址 = 05h）[复位 = 00h]
        7. 7.6.2.7  通道 3 总线电压寄存器（地址 = 06h）[复位 = 00h]
        8. 7.6.2.8  通道 1 临界警报限值寄存器（地址 = 07h）[复位 = 7FF8h]
        9. 7.6.2.9  警告警报通道 1 限值寄存器（地址 = 08h）[复位 = 7FF8h]
        10. 7.6.2.10 通道 2 临界警报限值寄存器（地址 = 09h）[复位 = 7FF8h]
        11. 7.6.2.11 通道 2 警告警报限值寄存器（地址 = 0Ah）[复位 = 7FF8h]
        12. 7.6.2.12 通道 3 临界警报限值寄存器（地址 = 0Bh）[复位 = 7FF8h]
        13. 7.6.2.13 通道 3 警告警报限值寄存器（地址 = 0Ch）[复位 = 7FF8h]
        14. 7.6.2.14 分流电压总和寄存器（地址 = 0Dh）[复位 = 00h]
        15. 7.6.2.15 分流电压总和限值寄存器（地址 = 0Eh）[复位 = 7FFEh]
        16. 7.6.2.16 屏蔽/使能寄存器（地址 = 0Fh）[复位 = 0002h]
        17. 7.6.2.17 电源有效上限寄存器（地址 = 10h）[复位 = 2710h]
        18. 7.6.2.18 电源有效下限寄存器（地址 = 11h）[复位 = 2328h]
        19. 7.6.2.19 制造商 ID 寄存器（地址 = FEh）[复位 = 5449h]
        20. 7.6.2.20 芯片 ID 寄存器（地址 = FFh）[复位 = 3220]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

在 TA = 25°C，VS = 3.3V，VIN+ = 12V，VSHUNT = (VIN+) – (VIN–) = 0mV 且 VBUS = VIN– = 12V 时测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VSHUNT 分流电压输入 -163.84 163.8 mV
VBUS 总线电压输入 0 26 V
共模抑制 (CMR) 共模抑制 VIN+ = 0 V 至 +26V 110 120 dB
VOS 分流失调电压，RTI(1) ±40 ±80 μV
TA = -40°C 至 +125°C 0.1 0.5 μV/°C
PSRR 相对于电源，VS = 2.7V 至 5.5V 15 μV/V
VOS 总线失调电压，RTI(1) ±8 ±16 mV
TA = -40°C 至 +125°C 80 μV/°C
PSRR 与电源的关系 0.5 mV/V
IIN+ IN+ 处的输入偏置电流 10 μA
IIN– IN– 处的输入偏置电流 10 || 670 μA || kΩ
输入漏电流(2) （IN+ 引脚）+（IN- 引脚），断电模式 0.1 0.5 μA
直流精度
ADC 原生分辨率 13 位
步长为 1LSB 分流电压 40 μV
总线电压 8 mV
分流电压增益误差 0.1% 0.25%
TA = -40°C 至 +125°C 10 50 ppm/°C
总线电压增益误差 0.1% 0.25%
TA = -40°C 至 +125°C 10 50 ppm/°C
DNL 微分非线性 ±0.1 LSB
t转换 ADC 转换时间 CT 位 = 000 140 154 µs
CT 位 = 001 204 224
CT 位 = 010 332 365
CT 位 = 011 588 646
CT 位 = 100 1.1 1.21 ms
CT 位 = 101 2.116 2.328
CT 位 = 110 4.156 4.572
CT 位 = 111 8.244 9.068
SMBus
SMBus 超时(3) 28 35 ms
数字输入/输出
CI 输入电容 3 pF
输入漏电流 0V ≤ VIN ≤ VS 0.1 1 μA
VIH 高电平输入电压 0.7 (VS) 6 V
VIL 低电平输入电压 -0.5 0.3 (VS) V
VOL 低电平输出电压 SDA，临界，警告、PV VS > +2.7V，IOL = 3mA 0 0.4 V
TC VS > +2.7V，IOL = 1.2mA 0 0.4
Vhys 迟滞电压 500 mV
电源
静态电流 350 450 μA
断电模式 0.5 2
上电复位阈值 2 V
(1) RTI = 以输入为参考。
(2) 在该表顶部所示的条件下，输入漏电流为正（电流流入引脚）。在不同的输入条件下，可能会出现负漏电流。
(3) 只要 SCL 为低电平的时间超过 28ms，INA3221 中的 SMBus 超时就会复位接口。