ZHCSYG3 June   2025 INA2227

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求 (I2C)
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 集成模数转换器 (ADC)
      2. 6.3.2 内部测量和计算引擎
      3. 6.3.3 低偏置电流
      4. 6.3.4 低压电源和宽共模电压范围
      5. 6.3.5 ALERT 引脚
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 连续运行与触发运行
      2. 6.4.2 器件低功耗模式
      3. 6.4.3 上电复位
      4. 6.4.4 均值计算和转换时间注意事项
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 串行接口
      2. 6.5.2 通过 I2C 串行接口写入和读取
      3. 6.5.3 高速 I2C 模式
      4. 6.5.4 通用广播复位
      5. 6.5.5 SMBus 警报响应
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 器件寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 器件测量范围和分辨率
      2. 8.1.2 电流和功率计算
      3. 8.1.3 ADC 输出数据速率和噪声性能
      4. 8.1.4 滤波和输入考虑
      5. 8.1.5 电子保险丝电流和功率监控
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 选择分流电阻
        2. 8.2.2.2 配置器件
        3. 8.2.2.3 对分流校准寄存器进行编程
        4. 8.2.2.4 设置所需的故障阈值
        5. 8.2.2.5 计算返回值
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YBJ|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

5.5 电气特性

在 TA = 25°C，VS = 3.3V，VSENSE = VIN+ - VIN- = 0mV，VIN- = VBUS = 12V 时测得，所有通道（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
CMRR 共模抑制 VCM = –0.3V 至 48V，TA = –40°C 至 125°C 110 120 dB
分流电压输入范围 ADCRANGE = 0 -81.9175 81.92 mV
ADCRANGE = 1 -20.4794 20.48 mV
Vos 分流失调电压 VCM = 12V ±10 ±75 µV
dVos/dT 分流失调电压漂移 TA = -40°C 至 125°C ±0.1 ±0.5 µV/°C
Vos_b IN- 总线失调电压 ±5 ±30 mV
dVos_b/dT IN- 总线失调电压温漂 TA = -40°C 至 125°C ±10 ±30 µV/°C
PSRRSH 电源抑制比
（电流测量）		 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 125°C ±0.2 ±2.5 µV/V
PSRRBUS 电源抑制比
（电压测量）		 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 125°C ±0.5 ±2.5 mV/V
ZIN- IN- 输入阻抗 总线电压测量模式 1.14 MΩ
IB 输入偏置电流 IN+、IN-、电流测量模式 0.1 5 nA
直流精度
RDIFF 差分输入阻抗
（IN+ 至 IN-）		 VIN+ - VIN- < 82mV  140 kΩ
ADC 分辨率 TA = -40°C 至 125°C 16 位
1 个最低有效位 (LSB) 阶跃幅度 采样电阻电压，ADCRANGE = 0 2.5 µV
采样电阻电压，ADCRANGE = 1 625 nV
总线电压 1.6 mV
ADC 转换时间
（TA = –40°C 至 125°C）		 CT 位 = 000 140 µs
CT 位 = 001 204 µs
CT 位 = 010 332 µs
CT 位 = 011 588 µs
CT 位 = 100 1.100 ms
CT 位 = 101 2.116 ms
CT 位 = 110 4.156 ms
CT 位 = 111 8.244 ms
内部振荡器频率 TA = +25°C 500 kHz
内部振荡器容限 TA = +25°C 0.5 %
TA = -40°C 至 +125°C 1 %
GSERR 分流电压增益误差 ±0.04 ±0.5 %
GS_DRFT 分流电压增益误差漂移 TA = -40°C 至 +125°C 50 ppm/°C
GBERR VIN- 电压增益误差 ±0.05 ±0.5 %
GB_DRFT VIN- 电压增益误差温漂 TA = -40°C 至 +125°C 50 ppm/°C
PTME 功率总测量误差 在满量程电压和电流下 ±0.04 ±1 %
ETME 能量总测量误差 在满量程电压和电流下 ±0.3 ±1.5 %
INL 积分非线性 ADCRANGE = 0，线性最佳拟合，TA = –40°C 至 +125°C ±2 ±6 m%
DNL 微分非线性 ±0.1 LSB
ENABLE
IEN 输入漏电流 0V ≤ VEN ≤ VS 1 50 nA
VIH 逻辑输入电平，高 VS = 1.7V 至 3.6V，TA = -40°C 至 +125°C 1.1 5.5 V
VIH 逻辑输入电平，高 VS = 3.6V 至 5.5V，TA = -40°C 至 +125°C 1.3 5.5 V
VIL 逻辑输入电平，低 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 +125°C 0 0.4 V
VHYS 迟滞 125 mV
电源
IQ 静态电流 400 500 µA
IQ 与温度间的关系，TA = –40°C 至 +125°C 600 µA
关断 2.5 4 µA
IQ 静态电流已禁用 VEN = 0V  5 50 nA
VPOR 上电复位阈值 VS 下降 0.95 V
SMBUS
SMBUS 超时 28 35 ms
输入电容 3 pF
数字接口
VIH 逻辑输入电平，高 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 +125°C 0.9 5.5 V
VIL 逻辑输入电平，低 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 +125°C 0 0.4 V
VHYS 迟滞 130 mV
VOL 逻辑输出电平，低 IOL = 3mA，VS = 1.7V 至 5.5V，TA = –40°C 至 +125°C 0 0.3 V
数字泄漏输入电流 0 ≤ VINPUT ≤ VS  ±50 nA