ZHCSLY0B August   2022  – October 2023 DRV8962

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1  概述
    2. 7.2  功能方框图
    3. 7.3  特性说明
    4. 7.4  独立半桥运行
    5. 7.5  电流检测和调节
      1. 7.5.1 电流检测和反馈
      2. 7.5.2 使用外部电阻器进行电流检测
      3. 7.5.3 电流调节
    6. 7.6  电荷泵
    7. 7.7  线性稳压器
    8. 7.8  VCC 电压电源
    9. 7.9  逻辑电平引脚图
    10. 7.10 保护电路
      1. 7.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 7.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 7.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 7.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 7.10.6 nFAULT 输出
      7. 7.10.7 故障条件汇总
    11. 7.11 器件功能模式
      1. 7.11.1 睡眠模式
      2. 7.11.2 工作模式
      3. 7.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 7.11.4 功能模式汇总
  9. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 驱动螺线管负载
        1. 8.1.1.1 螺线管驱动器典型应用
        2. 8.1.1.2 热计算
          1. 8.1.1.2.1 功率损耗计算
          2. 8.1.1.2.2 结温估算
        3. 8.1.1.3 应用性能曲线图
      2. 8.1.2 驱动步进电机
        1. 8.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 8.1.2.2 功率损耗计算
        3. 8.1.2.3 结温估算
      3. 8.1.3 驱动有刷直流电机
        1. 8.1.3.1 有刷直流驱动器典型应用
        2. 8.1.3.2 功率损耗计算
        3. 8.1.3.3 结温估算
        4. 8.1.3.4 驱动单个有刷直流电机
      4. 8.1.4 驱动热电冷却器 (TEC)
      5. 8.1.5 驱动无刷直流电机
  10. 封装散热注意事项
    1. 9.1 DDW 封装
      1. 9.1.1 热性能
        1. 9.1.1.1 稳态热性能
        2. 9.1.1.2 瞬态热性能
    2. 9.2 DDV 封装
    3. 9.3 PCB 材料推荐
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 大容量电容
    2. 10.2 电源
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电流调节

可通过 VREF 电压 (VVREF) 与 IPROPI 输出电阻器 (RIPROPI) 设置电流斩波阈值 (ITRIP)。可通过将外部 RIPROPI 电阻器和 VVREF 之间的压降与内部比较器进行比较来执行此操作。

方程式 3. ITRIP x AIPROPI = VVREF (V)/RIPROPI (Ω)

例如,要将 ITRIP 设为 5A,VVREF 设为 3.3V,RIPROPI 必须为:

RIPROPI = VVREF/(ITRIP x AIPROPI) = 3.3/(5 x 212 x 10–6) = 3.09kΩ

可以禁用内部电流调节,方法是将 IPROPI 绑定到 GND 并将 VREF 引脚电压设置为高于 GND 的值(如果不需要电流反馈)。如果需要电流反馈但不需要电流调节,则需要设置 VVREF 和 RIPROPI,使 VIPROPI 永远不会达到 VVREF 阈值。

DRV8962 可同时驱动多达四个电阻或电感负载。在将输出负载接地后,可将负载电流调节至 ITRIP 电平。PWM 关断时间 (tOFF) 固定为 17μs。固定关断时间模式允许在外部控制器不介入的情况下使用简单的电流斩波方案。固定关断时间模式将支持 100% 占空比的电流调节。

控制负载电流的另外一种方式是逐周期控制模式,在该模式下,必须控制 INx 输入引脚的 PWM 脉冲宽度。这样即可通过外部控制器来额外控制电流斩波方案。

下面介绍了驱动高侧和低侧负载的几种情况:

  • 电阻负载接地:

只要在消隐时间内有负载电感来减慢电流增加的速度,稳定电流就不会超过 ITRIP。如果 ITRIP 高于 (VM/RLOAD),则在 INx = 1 时,会将负载电流调节至 VM/RLOAD 电平(如图 7-3 所示)。

GUID-20220609-SS0I-ZRSB-MQGP-5WSF1WRDMQNC-low.svg图 7-3 电阻负载接地,逐周期控制

  • 电感负载接地:

应确保在每个周期对电流进行足够衰减,以防失控和触发过流保护。

  • 对于图 7-4 所示的情况,当 INx = 1时,低侧 MOSFET 在 IOUT 超过 ITRIP 后,在 tOFF 时间内保持导通状态。tOFF 后,将再次导通高侧 MOSFET,直至 IOUT 再次超过 ITRIP

GUID-20220609-SS0I-XXFN-JSNN-W9QKLVBRRZ19-low.svg图 7-4 电感负载接地,固定关断时间电流斩波
如果在 tOFF 时间过后,电流仍高于 ITRIP 电平,则器件将强制执行时间相同的另一个 tOFF 时间段。将持续延长关断时间,直至检测到的电流在 tOFF 时间结束时小于 ITRIP

  • 也可以使用逐周期方法来控制负载。当 INx = 1 时,流经该负载的电流将增加;当 INx = 0 时,流经该负载的电流将衰减。通过适当选择 INx 脉冲的占空比,可以将电流调节到目标值。图 7-5图 7-6 显示了上述情况。

GUID-20220609-SS0I-XXDB-0QJF-2VR9KNJFR5TH-low.svg图 7-5 电感负载接地,逐周期控制

在第二种情况中,需要对 INx 引脚的占空比进行调节(T 必须小于 TOFF),从而确保电流不会失控。

GUID-20220609-SS0I-LSXH-DWT0-FFVDTPGQ5DST-low.svg图 7-6 电感负载接地,逐周期控制

  • 负载连接至 VM:

可以通过控制 INx 引脚脉冲宽度来控制此类负载:INx = 0 时,电流会增加;INx = 1 时,电流会衰减,如图 7-7图 7-8 所示。

GUID-20220609-SS0I-ZF5Q-72NZ-NBRJ642ZJN8F-low.svg图 7-7 电感负载连接至 VM,逐周期控制

在这种情况下,需要对 INx 引脚的占空比进行调节,以确保电流不会失控。

GUID-20220609-SS0I-FRF8-FTLQ-9FVVVBD7SBSZ-low.svg图 7-8 电阻负载接地,逐周期控制