ZHCSLY0B August   2022  – October 2023 DRV8962

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1  概述
    2. 7.2  功能方框图
    3. 7.3  特性说明
    4. 7.4  独立半桥运行
    5. 7.5  电流检测和调节
      1. 7.5.1 电流检测和反馈
      2. 7.5.2 使用外部电阻器进行电流检测
      3. 7.5.3 电流调节
    6. 7.6  电荷泵
    7. 7.7  线性稳压器
    8. 7.8  VCC 电压电源
    9. 7.9  逻辑电平引脚图
    10. 7.10 保护电路
      1. 7.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 7.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 7.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 7.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 7.10.6 nFAULT 输出
      7. 7.10.7 故障条件汇总
    11. 7.11 器件功能模式
      1. 7.11.1 睡眠模式
      2. 7.11.2 工作模式
      3. 7.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 7.11.4 功能模式汇总
  9. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 驱动螺线管负载
        1. 8.1.1.1 螺线管驱动器典型应用
        2. 8.1.1.2 热计算
          1. 8.1.1.2.1 功率损耗计算
          2. 8.1.1.2.2 结温估算
        3. 8.1.1.3 应用性能曲线图
      2. 8.1.2 驱动步进电机
        1. 8.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 8.1.2.2 功率损耗计算
        3. 8.1.2.3 结温估算
      3. 8.1.3 驱动有刷直流电机
        1. 8.1.3.1 有刷直流驱动器典型应用
        2. 8.1.3.2 功率损耗计算
        3. 8.1.3.3 结温估算
        4. 8.1.3.4 驱动单个有刷直流电机
      4. 8.1.4 驱动热电冷却器 (TEC)
      5. 8.1.5 驱动无刷直流电机
  10. 9 封装散热注意事项
    1. 9.1 DDW 封装
      1. 9.1.1 热性能
        1. 9.1.1.1 稳态热性能
        2. 9.1.1.2 瞬态热性能
    2. 9.2 DDV 封装
    3. 9.3 PCB 材料推荐
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 大容量电容
    2. 10.2 电源
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.1.1.2.1 功率损耗计算

每个半桥中的总功率损耗可计算为：

PHB = PHS + PLS = [RDS(ON) × IL2] + [((2 × VD × tD) + (VM × tRF)) × IL × fPWM]

其中，

  • RDS(ON) = 每个 FET 的导通电阻

    • 对于 DRV8962，其在 25°C 时通常为 53mΩ，在 150°C 时通常为 80mΩ。

  • fPWM = PWM 开关频率
  • VM = 驱动器电源电压
  • IL = 负载电流
  • D = PWM 占空比（介于 0 和 1 之间）

  • tRF = 输出电压上升/下降时间

    • 对于 DRV8962，上升/下降时间为 70ns 或 140 ns

  • VD = FET 体二极管正向偏置电压

    • 对于 DRV8962，该值为 1V

  • tD = 死区时间

    • 对于 DRV8962，该值为 300ns

因此，DRV8962 的总功率损耗为：

PTOT = n × PHB + PQ

其中 n 是同时开关的半桥数量，PQ 是静态功率损耗。

在本示例中，我们假设：

  • 所有四个半桥都在开关

  • VM = 24 V

  • IL = 3 A

  • 环境温度 (TA) = 25°C

  • tRF = 70ns

  • 输入 PWM 频率 = 20kHz

当 VCC 引脚连接至外部电源时，静态电流为 4mA，因此 PQ 为 (24V × 4mA) = 96mW。

PHB = [53mΩ × 32] + [((2 × 1V x 300ns) + (24V x 70ns)) x 3A x 20kHz] = 0.614W

PTOT = (4 × 0.614) + 0.096 = 2.552W