ZHCSJO5D April 2020 – April 2021 DRV8889-Q1
PRODUCTION DATA
在 H 桥中接通电流后,在启用电流检测电路之前,电流检测比较器被忽略一段时间 (tBLANK)。消隐时间还设定了 PWM 的最小驱动时间。
当器件在慢速衰减阶段结束后进入驱动阶段时,或在驱动阶段结束后进入慢速衰减阶段时,消隐时间如表 7-8 中所示。
器件 | EN_SR_BLANK | SLEW_RATE | 消隐时间 (tBLANK) |
---|---|---|---|
DRV8889A-Q1 | 0 | 全部 | 500ns |
1 | 00b | 5.6µs | |
01b | 2µs | ||
10b | 1.5µs | ||
11b | 860 ns | ||
DRV8889-Q1 | 不适用 | 全部 | 500ns |
如果步进电机的寄生线圈电容过大,则额外的消隐时间是有益的。对于 DRV8889A-Q1,在以慢速-慢速或智能调优衰减模式操作器件时,建议将 EN_SR_BLANK 位设置为“1”。
如果器件在快速衰减阶段结束后进入驱动阶段,则消隐时间如表 7-9 中所示。
SLEW_RATE | 消隐时间 (tBLANK) |
---|---|
00b | 5.6µs |
01b | 2µs |
10b | 1.5µs |
11b | 860 ns |