ZHCSJX2B August 2019 – January 2021 DRV8876-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
如果 PMODE 引脚在加电时处于高阻抗状态,器件将锁存至独立半桥控制模式。此模式允许直接控制每个半桥,以支持高侧慢速衰减或者驱动两个独立的负载。#GUID-E5847102-CDA3-4494-9086-0B0D60F91EB3/X3992 显示了独立半桥模式的真值表。
在独立半桥控制模式下,仍然可以使用电流感测和反馈功能,但内部电流调节功能会被禁用,因为每个半桥都是独立运行的。此外,如果两个低侧 MOSFET 在同时传导电流,则经过 IPROPI 调节的输出将是电流的总和。请参阅GUID-E26186BA-86E6-4BF4-835A-E2637C0297C4.html#GUID-E26186BA-86E6-4BF4-835A-E2637C0297C4了解详情。
nSLEEP | INx | OUTx | 说明 |
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0 | X | Hi-Z | 睡眠(H 桥高阻抗) |
1 | 0 | L | OUTx 低侧导通 |
1 | 1 | H | OUTx 高侧导通 |