ZHCS218G July   2011  – February 2025 DRV8804

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 电气特性
    5. 6.5 热性能信息
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输出驱动器
      2. 7.3.2 串行接口运行
        1.       菊链运行方式
      3. 7.3.3 nENBL 和 RESET 操作
      4. 7.3.4 保护电路
        1. 7.3.4.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.3.4.2 热关断 (TSD)
        3. 7.3.4.3 欠压锁定 (UVLO)
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电机电压
        2. 8.2.2.2 驱动电流
      3. 8.2.3 应用曲线
    3.     电源相关建议
      1. 8.3.1 大容量电容
    4. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
      3. 8.3.3 散热注意事项
        1. 8.3.3.1 功率耗散
        2. 8.3.3.2 散热
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 社区资源
    3. 9.3 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.2.2 驱动电流

电流路径从电源 VM 开始，流经电感绕组负载和低侧灌电流 NMOS 功率 FET。一个灌电流 NMOS 功率 FET 中的功率耗散损耗如 方程式 1 所示。

方程式 1. P = I2 × RDS (on)

经测量，在 25°C 温度条件下，DRV8804 器件在标准 FR-4 PCB 上采用 DW 封装时可支持 1.5A 单通道或 800mA 四通道，采用 PWP 封装时可支持 2A 单通道或 1A 四通道，采用 DYZ 封装时可支持 1.9A 单通道或 0.9A 四通道。最大 RMS 电流因 PCB 设计和环境温度而异。