ZHCS218G July 2011 – February 2025 DRV8804
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | ||||||
| IVM | VM 工作电源电流 | VM = 24V | 1.6 | 2.1 | mA | |
| VUVLO | VM 欠压锁定电压 | VM 上升 | 8.2 | V | ||
| 逻辑电平输入(具有迟滞功能的施密特触发输入) | ||||||
| VIL | 输入低电压 | 0.6 | 0.7 | V | ||
| VIH | 输入高电压 | 2 | V | |||
| VHYS | 输入迟滞 | 0.45 | V | |||
| IIL | 输入低电流 | VIN = 0 | -20 | 20 | μA | |
| IIH | 输入高电流 | VIN = 3.3V | 100 | μA | ||
| RPD | 下拉电阻 | 100 | kΩ | |||
| nFAULT 输出(漏极开路输出) | ||||||
| VOL | 输出低电压 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
| IOH | 输出高电平漏电流 | VO = 3.3 V | 1 | μA | ||
| SDATOUT 输出(推挽输出) | ||||||
| VOL | 输出低电压 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
| VOH | 输出高电压 | IO = 100µA,VM = 11V 至 60V,峰值 | 6.5 | V | ||
| IO = 100µA,VM = 11V 至 60V,稳态 | 3.3 | 4.5 | 5.6 | |||
| IO = 100µA,VM = 8.2V 至 11V,稳态 | 2.5 | |||||
| ISRC | 输出拉电流 | VM = 24V | 1 | mA | ||
| ISNK | 输出灌电流 | VM = 24V | 5 | mA | ||
| 低侧 FET | ||||||
| RDS(ON) | FET 导通电阻 ,HTSSOP 和 SOIC 封装 | VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 25°C | 0.5 | Ω | ||
| VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 85°C | 0.75 | 0.8 | ||||
FET 导通电阻,SOT-23-THN 封装 | VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 25°C | 0.4 | Ω | |||
| VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 85°C | 0.64 | |||||
| IOFF | 关断状态漏电流 | -50 | 50 | μA | ||
| 高侧二极管 | ||||||
| VF | 二极管正向电压 | VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 25°C | 1.2 | V | ||
| IOFF | 关断状态漏电流 | VM = 24V,TJ = 25°C | -50 | 50 | μA | |
| 输出 | ||||||
| tR | 上升时间 | VM = 24V,IO = 700mA,电阻性负载 | 50 | 300 | ns | |
| tF | 下降时间 | VM = 24V,IO = 700mA,电阻性负载 | 50 | 300 | ns | |
| 保护电路 | ||||||
| IOCP | 过流保护跳变电平 | 2.3 | 3.8 | A | ||
| tOCP | 过流保护抗尖峰脉冲时间 | 3.5 | µs | |||
| tRETRY | 过流保护重试时间 | 1.2 | ms | |||
| tTSD | 热关断温度 | 裸片温度(1) | 150 | 160 | 180 | °C |