ZHCSN95A August 2022 – December 2022 DRV8452
PRODUCTION DATA
VM 引脚应使用低 ESR 陶瓷旁路电容器以旁路方式连接至 PGND 引脚，该电容器的推荐电容为 0.01µF 且额定电压为 VM。这些电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的布线或接地平面连接至器件 PGND 引脚。
应使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚以旁路方式连接至 PGND。该组件可以是电解电容器。
必须在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.1µF、额定电压为 VM 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。
必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 1µF、额定电压为 16V 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。
使用低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚以旁路方式接地。建议使用一个电容值为 1µF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
使用低 ESR 陶瓷电容器将 VCC 引脚以旁路方式接地。建议使用一个电容值为 0.1µF、额定电压为 6.3 V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
通常，必须避免电源引脚和去耦电容器之间的电感。
封装的散热焊盘必须连接至系统接地端。
建议为整个系统/电路板使用一个大的不间断单一接地平面。接地平面可设置在 PCB 底层。
为了更大限度地减小阻抗和电感，在通过过孔连接至底层接地平面之前，接地引脚的布线应尽可能短且宽。
建议使用多个过孔来降低阻抗。
尽量清理器件周围的空间（尤其是 PCB 底层），从而改善散热。
连接至散热焊盘的单个或多个内部接地平面也有助于散热并降低热阻。