ZHDS381A May 2026 – August 2026 DRV8378
ADVANCE INFORMATION
如果流经低侧 MOSFET 的电流超过 ILIMIT 电流,电流限制电路将激活。此特性将电机电流限制为低于 ILIMIT。
电流限制电路利用三相的电流检测放大器输出,并将该电压与 ILIMIT 引脚处的电压进行比较。图 7-30 展示了电流限制电路的实现方式。如图 7-30 示,电流检测放大器的输出与星形连接的电阻网络相结合。这个测得的电压 VMEAS 与外部基准电压 VILIM 进行比较,以实现电流限制实施。在 OUTX 引脚上检测到的电流与 VMEAS 阈值之间的关系如下所示:
其中
可以通过配置 ILIMIT 引脚上的电压来调整 ILIMIT 阈值。当 ILIMIT 引脚上的电压在 VVREF/2 至 (VVREF - 0.25V) 或 GVDD 之间变化时,ILIMIT 会在 0A 至 40A 之间呈线性变化。可以施加大于 VREF 的电压来禁用 ILIMIT。
在高侧和低侧开关控制输入(INHx 和 INLx)的每个上升沿,电流限制比较器输出均存在一个消隐时间,消隐时间内的 DRV8378 输出状态取决于 INHx 和 INLx 状态。在 SPI 器件中,消隐时间通过 ILIM_BLANK_SEL 进行配置;在硬件型号中,对于 50V/ns 的转换率,消隐时间固定为 5.5μs,对于所有其他转换率,消隐时间则固定为 1.8μs。
对于 DRV8378 的 SPI 型号,可通过对 DRV_CTRL 寄存器中的 ILIMIT_SEL_CODE [13:11] 位进行编程来实现电流限制。在这种情况下,电流限制取决于施加在 VREF 输入端的基准电压以及电流检测放大器增益 (GCSA)。电流限制、基准电压与 GCSA 之间的关系由以下公式给出 其中
当电流限制激活时,每个半桥的高侧 FET 将被禁用,直到该半桥的高侧 (INHx) 上升沿为止,如图 7-31 所示。在 SPI 器件型号中,通过配置 ILIM_MODE 位,低侧 FET 可以在制动模式或滑行(高阻态)模式下运行。在硬件型号中,低侧 FET 在滑行(高阻态)模式下运行。