ZHDS381A May   2026  – August 2026 DRV8378

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 SPI 模式时序
  8. 7 详细说明
    1. 7.1  概述
    2. 7.2  功能方框图
    3. 7.3  特性说明
      1. 7.3.1 输出级
      2. 7.3.2 器件接口模式
        1. 7.3.2.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.2.2 硬件接口
      3. 7.3.3 控制模式
        1. 7.3.3.1 3x PWM 模式（PWM_MODE = 10b 或 11b 或 MODE_SR 引脚通过 RGVDD 连接至 GVDD 或连接至 GVDD）
        2. 7.3.3.2 6x PWM 模式（PWM_MODE = 00b 或 01b 或者 MODE_SR 引脚连接至 AGND 或处于 Hi-Z）
        3. 7.3.3.3 采用外部 GVDD 的 DRV8378G 控制模式
      4. 7.3.4 GVDD 线性稳压器
      5. 7.3.5 电荷泵
    4. 7.4  压摆率控制
    5. 7.5  跨导（死区时间）
    6. 7.6  传播延迟
    7. 7.7  引脚图
      1. 7.7.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
      2. 7.7.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
      3. 7.7.3 开漏引脚
      4. 7.7.4 推挽引脚
      5. 7.7.5 四电平输入引脚
    8. 7.8  电流检测放大器
      1. 7.8.1 电流感测放大器运行（29 引脚型号）
      2. 7.8.2 电流感测放大器运行（23 引脚型号）
    9. 7.9  主动消磁
      1. 7.9.1 自动同步整流模式（ASR 模式）
        1. 7.9.1.1 自动同步整流（换向模式）
        2. 7.9.1.2 自动同步整流（PWM 模式）
      2. 7.9.2 自动异步整流模式（AAR 模式）
    10. 7.10 逐周期电流限制
      1. 7.10.1 具有 100% 占空比输入的逐周期电流限制
    11. 7.11 保护功能
      1. 7.11.1 过流保护 (OCP)
        1. 7.11.1.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
        2. 7.11.1.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
        3. 7.11.1.3 OCP 已禁用 (OCP_MODE = 11b)
        4. 7.11.1.4 OCP 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
      2. 7.11.2 VM 电源欠压锁定 (RESET)
      3. 7.11.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
      4. 7.11.4 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
      5. 7.11.5 过压保护 (OV)
      6. 7.11.6 热警告 (OTW)
      7. 7.11.7 热关断 (OTS)
    12. 7.12 器件功能模式
      1. 7.12.1 功能模式
        1. 7.12.1.1 睡眠模式
        2. 7.12.1.2 运行模式
        3. 7.12.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
      2. 7.12.2 DRVOFF 功能
    13. 7.13 SPI 通信
      1. 7.13.1 编程
        1. 7.13.1.1 SPI 格式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 电源相关建议
      1. 8.2.1 大容量电容
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
      3. 8.3.3 散热注意事项
        1. 8.3.3.1 功率耗散
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1.     封装选项附录
    2. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VER|23
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.3.1 功率耗散

DRV8378 中的功率损耗包括待机功率损耗、LDO 功率损耗、FET 导通和开关损耗以及二极管损耗。FET 导通损耗在 DRV8378 的总功率耗散中占主导地位。在启动和故障情况下，输出电流远大于正常电流；务必将这些峰值电流及持续时间考虑在内。总器件耗散是三个半桥中每个半桥耗散的总功率。器件可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。请注意，RDS,ON 随温度升高而增加，因此随着器件发热，功率耗散也会增大。在设计 PCB 和散热时，应考虑这一点。

下面显示了梯形控制和场定向控制的每个损耗计算公式的摘要。

表 8-1 DRV8378 梯形和场定向控制的功率损耗

损耗类型

梯形

场定向控制

由于静态电流造成的功率损耗

 Pstandby = VM x IVM_TA

LDO

 PLDO = (VM-VGVDD) x IGVDD
PLDO = (VM-VAVDD) x IAVDD

FET 导通

 PCON = 2 x (IPK(trap))2 x Rds,on(TA) PCON = 3 x (IRMS(FOC))2 x Rds,on(TA)

FET 开关

 PSW = IPK(trap) x VPK(trap) x trise/fall x fPWM PSW = 3 x IRMS(FOC) x VPK(FOC) x trise/fall x fPWM

二极管

 Pdiode = 2 x IPK(trap) x VF(diode)x tDEADTIME x fPWM Pdiode = 6 x IRMS(FOC) x VF(diode) x tDEADTIME x fPWM