ZHCSUL8B December   2023  – September 2025 DRV8334

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 引脚功能 48 引脚 DRV8334 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 DRV8334 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 带 SPI 启用控制的 3x PWM 模式
          4. 6.3.1.1.4 1x PWM 模式
          5. 6.3.1.1.5 SPI 栅极驱动模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 GVDD 电荷泵/LDO
          3. 6.3.1.2.3 VCP 涓流电荷泵
          4. 6.3.1.2.4 栅极驱动器输出
          5. 6.3.1.2.5 无源和半有源下拉电阻器
          6. 6.3.1.2.6 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          7. 6.3.1.2.7 传播延迟
          8. 6.3.1.2.8 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.2.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.2.2 双向电流检测操作
      3. 6.3.3 栅极驱动器关断
        1. 6.3.3.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.3.2 栅极驱动器关断时序
      4. 6.3.4 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.4.1  PVDD 电源欠压警告 (PVDD_UVW)
        2. 6.3.4.2  PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        3. 6.3.4.3  PVDD 电源过压故障 (PVDD_OV)
        4. 6.3.4.4  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        5. 6.3.4.5  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        6. 6.3.4.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.4.7  BST 过压故障 (BST_OV)
        8. 6.3.4.8  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        9. 6.3.4.9  VCP 过压故障 (CP_OV)
        10. 6.3.4.10 VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        11. 6.3.4.11 VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        12. 6.3.4.12 MOSFET VGS 监测保护
        13. 6.3.4.13 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        14. 6.3.4.14 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        15. 6.3.4.15 相位比较器
        16. 6.3.4.16 热关断 (OTSD)
        17. 6.3.4.17 热警告 (OTW)
        18. 6.3.4.18 OTP CRC
        19. 6.3.4.19 SPI 看门狗计时器
        20. 6.3.4.20 相位诊断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.4.1.1 睡眠模式
        2. 6.4.1.2 运行模式
      2. 6.4.2 器件上电序列
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 SPI
      2. 6.5.2 SPI 格式
      3. 6.5.3 SPI 格式图
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 状态寄存器
    2. 7.2 控制寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 8.2.1.1 外部组件
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 社区资源
    4. 9.4 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.1 绝对最大额定值

在工作温度范围内（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
电源引脚电压 PVDD -0.3 65 V
高侧 MOSFET 漏极引脚电压 VDRAIN -0.3 65 V
接地引脚之间的电压差 AGND、GND -0.3 0.3 V
电荷泵引脚电压 CPH -0.3 VGVDD + 0.3 V
电荷泵引脚电压 CPL -0.3 VGVDD + 0.9 V
VPVDD + 0.6
涓流电荷泵高侧引脚电压 CPTH -0.3 80 V
涓流电荷泵低侧引脚电压 CPTL -0.3 VVDRAIN + 0.3 V
涓流电荷泵输出引脚电压 VCP -0.3 80 V
栅极驱动器稳压器引脚电压 VGVDD GVDD -0.3 18 V
逻辑引脚电压  nSLEEP -0.3 65 V
逻辑引脚电压 DRVOFF -0.3 65 V
逻辑引脚电压 INHx、INLx、nFAULT、SCLK、SDO、SDI、nSCS  -0.3 6.5 V
逻辑引脚电压 INHx、INLx、nFAULT、SCLK、SDO、SDI、nSCS：瞬态 -0.3 7.0 V
自举引脚电压 BSTx，持续模式 -0.3 80 V
BSTx，以 SHx 为基准 -0.3 20 V
BSTx，以 GHx 为基准 -0.3 20 V
自举引脚瞬态电流 BSTx、瞬态 (500ns)、假设外部元件 RBST = 2Ω 且条件 V(RBST) = -7V、 3.5 A
高侧栅极驱动引脚电压 GHx，持续模式 -8 80 V
高侧栅极驱动引脚电压 GHx，瞬态 1us -15 80 V
与 SHx 相关的高侧栅极驱动引脚电压 GHx - SHx -0.3 BSTx + 0.3 V
高侧源极引脚电压 SHx，持续模式 -8 70 V
高侧源极引脚电压 SHx，瞬态 1us -15 72 V
低侧栅极驱动引脚电压 GLx，以 SLx (LSS) 为基准 -0.3 20 V
低侧栅极驱动引脚电压 GLx，以 GVDD 为基准，VGLx - VGVDD（如果 VGLx > VGVDD） 0.3 V
低侧栅极驱动引脚电压 GLx，持续模式 -8 20 V
低侧栅极驱动引脚电压 GLx，瞬态 1us -15 20 V
低侧源极检测引脚电压 SLx，持续模式 -8 VGVDD V
低侧源极检测引脚电压 SLx，瞬态 1us -15 VGVDD V
栅极驱动电流 GHx、GLx 受内部限制 受内部限制 A
基准输入引脚电压 VREF -0.3 6 V
并联放大器输入引脚电压 SNx、SPx，持续模式 -5 5 V
并联放大器输入引脚电压 SNx、SPx，瞬态 1µs -15 15 V
分流放大器输出引脚电压 SOx -0.3 VREF + 0.3 V
电源瞬态电压斜坡 PVDD、VDRAIN、VREF 3 V/µs
高侧源级压摆率 SHx，VBSTx - VSHx ≥ 5.5V
nSLEEP = 高电平且 ENABLE_DRV = 1b		 4 V/ns
环境温度，TA 环境温度，TA -40 125 °C
结温，TJ 结温，TJ -40 150 °C
贮存温度，Tstg -65 150 °C
(1) 超出“绝对最大额定值”运行可能会对器件造成永久损坏。“绝对最大额定值”并不表示器件在这些条件下或在“建议运行条件”以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能，并缩短器件寿命