ZHCSUL8 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSUL8B December 2023 – September 2025 DRV8334

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

PHP|48
- MPQF051B
RGZ|48
- MPQF123F

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

PHP|48
- PPTD389

订购信息

7.2 控制寄存器

表 7-9 列出了控制寄存器的存储器映射寄存器。表 7-9 中未列出的所有寄存器偏移地址都被视为保留的位置，并且不得修改寄存器内容。

表 7-9 控制寄存器

地址	首字母缩写词	寄存器名称	部分
1Ah	IC_CTRL1	IC 控制寄存器 1	节 7.2.1
1Bh	IC_CTRL2	IC 控制寄存器 2	节 7.2.2
1Ch	IC_CTRL3	IC 控制寄存器 3	节 7.2.3
1Eh	GD_CTRL1	栅极驱动控制寄存器 1	节 7.2.4
1Fh	GD_CTRL2	栅极驱动控制寄存器 2	节 7.2.5
21h	GD_CTRL3	栅极驱动控制寄存器 3	节 7.2.6
22h	GD_CTRL3B	栅极驱动控制寄存器 3B	节 7.2.7
23h	GD_CTRL4	栅极驱动控制寄存器 4	节 7.2.8
24h	GD_CTRL5	栅极驱动控制寄存器 5	节 7.2.9
25h	GD_CTRL6	栅极驱动控制寄存器 6	节 7.2.10
26h	GD_CTRL7	栅极驱动控制寄存器 7	节 7.2.11
29h	CSA_CTRL	CSA 控制寄存器	节 7.2.12
2Bh	MON_CTRL1	监测控制寄存器 1	节 7.2.13
2Ch	MON_CTRL2	监测控制寄存器 2	节 7.2.14
2Dh	MON_CTRL3	监测控制寄存器 3	节 7.2.15
2Eh	MON_CTRL4	监测控制寄存器 4	节 7.2.16
2Fh	MON_CTRL5	监测控制寄存器 5	节 7.2.17
30h	MON_CTRL6	监测控制寄存器 6	节 7.2.18
33h	DIAG_CTRL1	诊断控制寄存器 1	节 7.2.19
36h	SPI_TEST	SPI 测试寄存器	节 7.2.20
48h	OTP_USR	OTP 用户控制	节 7.2.21

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 7-10 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 7-10 控制访问类型代码

访问类型	代码	说明
读取类型
R	R	读取
R-0	R -0	读取返回 0
写入类型
W	W	写入
复位或默认值
-n		复位后的值或默认值

7.2.1 IC_CTRL1 寄存器（地址 = 1Ah）[复位 = 0000h]

表 7-11 展示了 IC_CTRL1。

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表 7-11 IC_CTRL1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-1	RESERVED	R	0b	保留
0	VDDSDO_SEL	R/W	0b	VDDSDO 稳压器输出选择位。该位决定 3.3V 模式或 5V 模式之间 SDO 和 PHCx 的 VOH 电平。输入缓冲器的 VIH/VIL 不受 VDDSDO_SEL 位的影响。在设置 VDDSDO_SEL 之前，需要正确配置 VDDSDO_MON_LVL。 0b = SDO/PHCx 3.3V 模式 1b = SDO/PHCx 5V 模式

7.2.2 IC_CTRL2 寄存器（地址 = 1Bh）[复位 = 0006h]

表 7-12 展示了 IC_CTRL2。

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表 7-12 IC_CTRL2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	ENABLE_DRV	R/W	0b	启用前置驱动器位。如果检测到一个或多个前置驱动器关断条件并且故障标志设置为 1b 并且 ALL_CH 为 1b 或者 DRVOFF 驱动为高电平，则该位会清除为 0b。当故障条件存在或 DRVOFF 为高电平时，器件会强制将 ENABLE_DRV 位设为 0b。上电时，对 ENABLE_DRV 的写入访问将被忽略，并且该位不能设置为 1，直到 nFAULT 变为高电平。nFAULT 变为高电平后，等待 5us 并将 ENABLE_DRV 设置为 1b。在初始设置期间，建议在 ENABLE_DRV 设置为 1b 之前设置栅极驱动电流 IDRVx 参数。 0b = 默认情况下，INHx 和 INLx 数字输入被忽略，栅极驱动器输出被拉至低电平（有源下拉）。 1b = 栅极驱动器输出由 INHx 和 INL 数字输入控制。如果在 ENABLE_DRV 为 1b 时修改 IDRVP 或 IDRVN 寄存器值，则应使用一个 PWM 周期延迟来更新栅极驱动器电流。
14	MODE_NSLEEP	R/W	0b	nSLEEP 模式。 0b = nSLEEP 为低电平有效，且当 nSLEEP 驱动为低电平时，器件进入睡眠模式。 1b = nSLEEP 为低电平有效，且当 nSLEEP 驱动为低电平时，器件进入 DRVOFF 关断模式。包括 GVDD 电荷泵和 TCP/VCP 电荷泵在内的内部稳压器处于活动状态。如果检测到 WDT_FLT，无论 MODE_NSLEEP 位如何，当 nSLEEP 为低电平时，器件都会进入睡眠模式。
13	CFG_CRC_EN	R/W	0b	启用配置数据 CRC 功能 0b = 禁用配置数据 CRC 功能。 1b = 启用配置数据 CRC 功能。
12	CLKMON_EN	R/W	0b	时钟监测启用 0b = 禁用时钟监测。 1b = 启用时钟监测。
11	CSA_EN	R/W	0b	电流感测放大器启用。如果 GVDD_UV_MODE 为 0b（警告模式），则 MCU 必须在 CSA_EN 位设置为 1b 之前让 GVDD_UV 标志保持为 0b。如果 GVDD_UV_MODE 为 1b（故障模式），则 IC 会在检测到 GVDD_UV 时禁用 CSA 放大器。 0b = 禁用 CSA。SOx 处于高阻态状态。 1b = 启用 CSA。
10	CSA_AZ_DIS	R/W	0b	电流感测放大器自动置零功能禁用 0b = 启用 CSA 自动置零功能。在 PWM/CSA 正常运行期间，该位为 0b。 1b = 禁用 CSA 自动置零功能。该位的目的是禁用电流感测放大器的开关活动以实现自动置零功能。如果使用此位，请参阅时序要求。
9	DIS_GVDD_SS	R/W	0b	注： TI 建议用户在上电后将 DIS_GVDD_SS 设置为 1b 以获取原型样片。计划在最终生产样片中删除此功能禁用 GVDD 电荷泵软启动 0b = 当 PVDD 输入电压低于 7.2V 时，GVDD 输出负载能力不符合规范。 1b = 对于原型样片，TI 建议用户在上电后将该位设置为 1，用于原型样片。
8	GVDD_MODE	R/W	0b	GVDD 电荷泵 LDO 模式控制 0b = GVDD 正常运行。电荷泵模式和 LDO 模式由器件控制。 1b = LDO 模式。GVDD 电荷泵时钟会被禁用。（电荷泵开关操作被禁用）。
7-6	VCP_MODE	R/W	00b	VCP/TCP 模式控制 00b = VCP/TCP 正常运行。VCP/TCP 在上电时启用。当 SPI ENABLE_DRV 为 0 时，启用 TCP SW。当 DRVOFF 为高电平时，如果系统期望器件 BST 电容持续充电，则 VCP_MODE 必须为 00b。 01b = VCP/CPTH-SHx 开关被禁用。VCP/TCP 电荷泵时钟处于活动状态。无论 SPI ENABLE_DRV 如何，该位都有效。 10b = VCP/TCP 关断。VCP/CPTH-SHx 开关和 VCP/TCP 电荷泵时钟均被禁用。无论 SPI ENABLE_DRV 如何，该位都有效。 11b = VCP/TCP 正常运行。VCP/TCP 在上电时启用。当 SPI ENABLE_DRV 为 0 时，TCP SW 被禁用。
5-4	RESERVED	R	0b	保留
3-1	LOCK	R/W	011b	锁定和解锁寄存器设置未列出的位设置无效。 011b = 解锁所有寄存器 110b = 锁定设置，除了这些位，忽略后续寄存器写入。
0	CLR_FLT	R/W	0b	清除故障。检测到故障事件并设置故障标志后，TI 建议在单独的 SPI 帧中首先发出 CLR_FLT 命令，然后发出 ENABLE_DRV 命令。如果在同一 SPI 帧中发出 CLR_FLT 和 ENABLE_DRV 命令，则 CLR_FLT 优先级更高，如果故障标志已锁存且器件正在等待 CLR_FLT，则系统不会设置 ENABLE_DRV。 0b = 无操作 1b = 清除故障。自行清除为 0b。

7.2.3 IC_CTRL3 寄存器（地址 = 1Ch）[复位 = 8009h]

表 7-13 展示了 IC_CTRL3。

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表 7-13 IC_CTRL3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	SPI_CRC_EN	R/W	1b	SPI CRC 启用 0b = 禁用 SPI CRC。一个 SPI 帧为 8 位命令，16 位数据。 1b = 启用 SPI CRC。一个 SPI 帧为 8 位命令，16 位数据和 8 位 CRC。
14	WARN_MODE	R/W	0b	警告 nFAULT 模式；控制警告事件的 nFAULT 响应 0b = 无 nFAULT 报告用于警告响应。状态标志已设置。 1b = nFAULT 在警告响应时被驱动为低电平。状态标志已设置。
13	RESERVED	R	0b	保留
12	DIS_SSC	R/W	0b	TI 内部设计参数：除非 TI 通知，否则不需要进行任何更改。该位会禁用器件内部振荡器的展频时钟功能 0b = 正常运行。展频时钟 (SSC) 功能启用。 1b = 出于 TI 调试目的禁用展频时钟功能。
11	RESERVED	R	0b	保留
10	TCP_EN_DLY	R/W	0b	器件检测到 PWM 未处于活动状态后激活涓流电荷泵的延迟时间（INHx=INLx=低电平） 0b = 100us（典型值） 1b = 250us（典型值）
9	DRVOFF_PDSEL_HS	R/W	0b	高侧栅极驱动器的 DROVFF 下拉选择 0b = 如果 DRVOFF 为高电平，则高侧栅极驱动器输出 GHx 为半有源下拉 (RPDSA_HS)。 1b = 如果 DRVOFF 为高电平，则高侧栅极驱动器输出 GHx 为无源下拉 (RPD_HS)。
8	DRVOFF_PDSEL_LS	R/W	0b	低侧栅极驱动器的 DROVFF 下拉选择 0b = 如果 DRVOFF 为高电平，则低侧栅极驱动器输出 GLx 为半有源下拉 (RPDSA_LS)。 1b = 如果 DRVOFF 为高电平，则低侧栅极驱动器输出 GLx 为无源下拉 (RPD_LS)。
7-4	RESERVED	R	0b	保留
3	OT_LVL	R/W	1b	过热关断阈值选择 0b = 1 级模式 1b = 0 级模式
2	RESERVED	R	0b	保留
1-0	OTSD_MODE	R/W	01b	过热关断模式 00b = 警告模式 01b = 故障（关断）模式 10b = 无报告。无关断。 11b = 无报告。无关断

7.2.4 GD_CTRL1 寄存器（地址 = 1Eh）[复位 = 0138h]

表 7-14 展示了 GD_CTRL1。

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表 7-14 GD_CTRL1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	RESERVED	R	0b	保留
14-12	PWM_MODE	R/W	000b	脉宽调制 (PWM) 模式。 000b = 6x PWM 模式 (INHx/INLx) 001b = 3x PWM 模式，带 INLx 启用控制 010b = 3x PWM 模式，带 SPI 启用控制 (DRVEN_x)。INLx 不会影响 PWM 控制。如果 PHC_OUTEN 为 1b，则 MCU 必须使用此模式来生成 PWM。 011b = 1x PWM 模式 (INHx/INLx) 100b = 被保留。 101b = SPI 栅极驱动模式。DRV_GHx 和 DRV_GLx 寄存器位有效。 110b = 6x PWM 模式 (INHx/INLx) 111b = 6x PWM 模式 (INHx/INLx)
11	RESERVED	R	0b	保留
10-9	SGD_MODE	R/W	00b	智能栅极驱动模式 00b = 具有固定峰值电流控制功能的智能栅极驱动。TDRVN_D 无效并被忽略。 01b = 具有动态峰值电流控制功能的智能栅极驱动。TDRVN_D 已启用。
8	SGD_TMP_EN	R/W	1b	启用智能栅极驱动的动态温度控制。 0b = 禁用 SGD 温度控制。IDRVP 和 IDRVN 是恒定的。 1b = 启用 SGD 温度控制。根据 DIE_TEMP 信息调整 IDRVP（300mA 或更高版本）和 IDRVN（600mA 或更高版本）。IDRIVx 调整由器件每 9ms 执行一次，或者当 SGD_TMP_EN 位从 0b 更改为 1b 时执行一次。
7	STP_MODE	R/W	0b	击穿保护报告模式注：除 PWM_MODE 000b 之外，STP_MODE 应设置为 1b，否则会报告错误的 STP_FLT 标志。 0b = 启用击穿保护。栅极驱动器输出在击穿条件下被强制设为低电平。当检测到这种条件时，系统设置 SPI 故障标志，nFAULT 引脚被驱动为低电平。仅对于 PWM_MODE 000b（6xPWM 模式），将 STP_MODE 设置为 0b。 1b = 启用击穿保护，但不执行报告。栅极驱动器输出在击穿条件下被强制设为低电平。未设置 SPI 故障标志，且当检测到这种条件时，nFAULT 引脚保持高电平。除 PWM_MODE 000b 之外，STP_MODE 应设置为 1b，以避免报告错误的 STP_FLT 标志。
6	RESERVED	R	0b	保留
5-3	DEADT	R/W	111b	栅极驱动器死区时间 000b = 70ns 001b = 200ns 010b = 300ns 011b = 500ns 100b = 750ns 101b = 1000ns 110b = 1500ns 111b = 2000ns
2	DEADT_MODE	R/W	0b	死区时间插入模式。 0b = 当器件输入（INHx 或 INLx）变为低电平时，插入死区时间。 1b = 通过监测栅极驱动器输出（GHx 或 GLx）来插入死区时间。
1-0	DEADT_MODE_6X	R/W	00b	死区时间违例响应模式仅适用于 6 PWM 模式。注意：除 6 PWM 模式之外，无论 DEADT_MODE 位如何，都始终插入死区时间，并且不会向 MCU 报告故障。 00b = 启用死区时间保护。在死区时间期间，栅极驱动器控制信号被强制设为低电平。当检测到死区时间条件时，会设置 SPI 故障标志并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。 01b = 启用死区时间保护但不执行报告。在死区时间期间，栅极驱动器输出被强制设为低电平。当检测到死区时间条件时，系统绝不会设置 SPI 故障标志，nFAULT 引脚会保持高电平 10b = 禁用死区时间保护。未插入死区时间。未设置 SPI 故障标志，nFAULT1 引脚保持高电平。当 DEADT_MODE 为 0b（监测 INH 或 INL）和 1b（监测 GHx 或 GLx）时，这两种情况都适用。 11b = 启用死区时间保护并设置 SPI 故障，但不执行 nFAULT 报告。在死区时间期间，栅极驱动器输出被强制设为低电平。当检测到死区时间条件时，nFAULT 引脚保持高电平。

7.2.5 GD_CTRL2 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 0717h]

表 7-15 展示了 GD_CTRL2。

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表 7-15 GD_CTRL2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-12	RESERVED	R	0b	保留
11-8	TDRVP	R/W	0111b	峰值拉电流上拉驱动时序 0000b = 0.143us 0001b = 0.179us 0010b = 0.321us 0011b = 0.464us 0100b = 0.607us 0101b = 0.750us 0110b = 0.893us 0111b = 1.036us 1000b = 1.321us 1001b = 1.607us 1010b = 1.893us 1011b = 2.179us 1100b = 2.536us 1101b = 2.964us 1110b = 3.393us 1111b = 3.821us
7-4	TDRVN_D	R/W	0001b	峰值灌电流下拉预放电时序 0000b = 70ns 0001b = 140ns 0010b = 211ns 0011b = 281ns 0100b = 351ns 0101b = 421ns 0110b = 491ns 0111b = 561ns 1000b = 632ns 1001b = 702ns 1010b = 772ns 1011b = 842ns 1100b = 912ns 1101b = 982ns 1110b = 1053ns 1111b = 1123ns
3-0	TDRVN	R/W	0111b	峰值灌电流下拉驱动时序。请参阅 TDRVP

7.2.6 GD_CTRL3 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 0700h]

表 7-16 展示了 GD_CTRL3。

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表 7-16 GD_CTRL3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-12	RESERVED	R	0b	保留
11-8	TDRVN_SDD	R/W	0111b	智能关断放电时序。请参见 TDRVN_D
7-6	RESERVED	R	0b	保留
5-0	IDRVN_SD	R/W	000000b	智能关断驱动电流。

7.2.7 GD_CTRL3B 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 0000h]

表 7-17 展示了 GD_CTRL3B。

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表 7-17 GD_CTRL3B 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	RESERVED	R	0b	保留
13-8	IDRVN_D_H	R/W	000000b	高侧栅极驱动器的峰值下拉预放电电流。请参阅 IDRIVE 的说明
7-6	RESERVED	R	0b	保留
5-0	IDRVN_D_L	R/W	000000b	低侧栅极驱动器的峰值下拉预放电电流。请参阅 IDRIVE 的说明

7.2.8 GD_CTRL4 寄存器（地址 = 23h）[复位 = 0000h]

表 7-18 展示了 GD_CTRL4。

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表 7-18 GD_CTRL4 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	PWM1X_COM	R/W	0b	1x PWM 换向控制 0b = 1x PWM 模式使用同步整流 1b = 1x PWM 模式使用异步整流
14	PWM1X_DIR	R/W	0b	1x PWM 方向。在 1x PWM 模式下，该位与 INHC (DIR) 输入进行或运算
13-12	PWM1X_BRAKE	R/W	00b	1x PWM 输出配置 00b = 输出跟随命令输入 01b = 导通全部三个低侧 MOSFET 10b = 导通全部三个高侧 MOSFET 11b = 关断所有六个 MOSFET（滑行）
11-10	RESERVED	R	0b	保留
9	IDRVP_CFG	R/W	0b	IDRVP 配置模式 0b = IDRVP 寄存器无效并被忽略。如果 IDRVN 在 000000b (0.7mA) - 100011b (247mA) 的范围内，则 IDRV_RATIO 用于确定 IDRVP 参数。如果 IDRVN 为 100100b (600mA) - 101100b (2000mA)，则 IDRVP 使用与 IDRVN 相同的设置。例如，如果 IDRVN 设置为 100100b (600mA)，则 IDRVP 为 100100b (300mA)，其中上拉电流通常为下拉电流的一半。 1b = IDRVP 寄存器用于确定 IDRVP 参数。IDRV_RATIO 无效并被忽略。
8	IHOLD_SEL	R/W	0b	选择 IHOLD 上拉电流和下拉电流。必须在 PWM 未处于活动状态（ENABLE_DRV 为 0b）时配置 IHOLD_SEL 位。 0b = IHOLD 上拉/下拉 500mA/1000mA（典型值） 1b = IHOLD 上拉/下拉 260mA/260mA（典型值）
7-6	RESERVED	R	0b	保留
5	DRV_GHA	R/W	0b	通过 SPI 命令驱动 GHA。PWM_MODE = 101b（SPI 栅极驱动模式）。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GHA 被驱动为低电平 1b = GHA 被驱动为高电平
4	DRV_GHB	R/W	0b	通过 SPI 命令驱动 GHB。PWM_MODE = 101b（SPI 栅极驱动模式）。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GHB 被驱动为低电平 1b = GHB 被驱动为高电平
3	DRV_GHC	R/W	0b	通过 SPI 命令驱动 GHC。PWM_MODE = 101b（SPI 栅极驱动模式）。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GHC 被驱动为低电平 1b = GHC 被驱动为高电平
2	DRV_GLA	R/W	0b	通过 SPI 命令驱动 GLA。PWM_MODE = 101b（SPI 栅极驱动模式）。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GLA 被驱动为低电平 1b = GLA 被驱动为高电平
1	DRV_GLB	R/W	0b	通过 SPI 命令驱动 GLB。PWM_MODE = 101b（SPI 栅极驱动模式）。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GLB 被驱动为低电平 1b = GLB 被驱动为高电平
0	DRV_GLC	R/W	0b	通过 SPI 命令驱动 GLC。PWM_MODE = 101b（SPI 栅极驱动模式）。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GLC 被驱动为低电平 1b = GLC 被驱动为高电平

7.2.9 GD_CTRL5 寄存器（地址 = 24h）[复位 = 0007h]

表 7-19 展示了 GD_CTRL5。

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表 7-19 GD_CTRL5 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-3	RESERVED	R	0b	保留
2	DRVEN_A	R/W	1b	DRVEN_A = 0 通过无关断序列的有源下拉强制将 GHA 和 GLA 设为低电平。该位对任何 PWM_MODE 设置都有效。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GHA 和 GLA 被主动下拉（低电平）。ENABLE_DRV 不受该位影响。 1b = 无影响。系统通常根据 PWM_MODE 设置来控制 GHA 和 GLA。
1	DRVEN_B	R/W	1b	DRVEN_B = 0 通过无关断序列的有源下拉强制将 GHB 和 GLB 设为低电平。该位对任何 PWM_MODE 设置都有效。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GHB 和 GLB 被主动下拉（低电平）。ENABLE_DRV 不受该位影响。 1b = 无影响。系统通常根据 PWM_MODE 设置来控制 GHB 和 GLB。
0	DRVEN_C	R/W	1b	DRVEN_C = 0 通过无关断序列的有源下拉强制将 GHC 和 GLC 设为低电平。该位对任何 PWM_MODE 设置都有效。当 ENABLE_DRV 为 1b 时，该位有效。 0b = GHC 和 GLC 被主动下拉（低电平）。ENABLE_DRV 不受该位影响。 1b = 无影响。系统通常根据 PWM_MODE 设置来控制 GHC 和 GLC。

7.2.10 GD_CTRL6 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 0000h]

表 7-20 展示了 GD_CTRL6。

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表 7-20 GD_CTRL6 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	RESERVED	R	0b	保留
13-8	IDRVP_H	R/W	000000b	高侧峰值供电上拉电流。如果 IDRVP_CFG = 1b，则 IDRVP_H 有效。如果 IDRVP_CFG = 0b，则 IDRVP_H 无效并被忽略。
7-6	RESERVED	R	0b	保留
5-0	IDRVP_L	R/W	000000b	低侧峰值供电上拉电流。如果 IDRVP_CFG = 1b，则 IDRVP_L 有效。如果 IDRVP_CFG = 0b，则 IDRVP_H 无效并被忽略。

7.2.11 GD_CTRL7 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]

表 7-21 展示了 GD_CTRL7。

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表 7-21 GD_CTRL7 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	IDRV_RATIO_H	R/W	00b	高侧 IDRVP 与 IDRVN 比率。如果 IDRVP_CFG = 0b 并且 IDRVN_H 的范围为 00000b (0.7mA) 至 100011b（典型值 247mA），则 IDRV_RATIO_H 有效。如果 IDRVN_H 为 100100b(600mA) 或更高参数，则 IDRIVE_RATIO_H 不会影响栅极驱动器性能。如果 IDRVP_CFG = 1b，则 IDRV_RATIO_H 无效并被忽略。 00b = IDRVP 为 IDRVN x 1 01b = IDRVP 为 IDRVN x 0.75 10b = IDRVP 为 IDRVN x 0.5 11b = IDRVP 为 IDRVN x 0.25
13-8	IDRVN_H	R/W	000000b	高侧峰值受电下拉电流。请参阅电气特性表，IDRVN 参数。
7-6	IDRV_RATIO_L	R/W	00b	低侧 IDRVP 与 IDRVN 比率。如果 IDRVP_CFG = 0b 并且 IDRVN_H 的范围为 00000b (0.7mA) 至 100011b（典型值 247mA），则 IDRV_RATIO_L 有效。如果 IDRVN_H 为 100100b(600mA) 或更高设置，则 IDRIVE_RATIO_L 不会影响栅极驱动器性能。如果 IDRVP_CFG = 1b，则 IDRV_RATIO_L 无效并被忽略。 00b = IDRVP 为 IDRVN x 1 01b = IDRVP 为 IDRVN x 0.75 10b = IDRVP 为 IDRVN x 0.5 11b = IDRVP 为 IDRVN x 0.25
5-0	IDRVN_L	R/W	000000b	低侧峰值受电下拉电流。请参阅电气特性表，IDRVN 参数。

7.2.12 CSA_CTRL 寄存器（地址 = 29h）[复位 = 0000h]

表 7-22 中显示了 CSA_CTRL。

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表 7-22 CSA_CTRL 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	AREF_DIV	R/W	0b	VREF 分压比 0b = 1/2 1b = 1/8
14-12	RESERVED	R	0b	保留
11-8	CSA_GAIN_A	R/W	0000b	SOA 的 CSA 增益。可以在 PWM 运行期间更新增益。未定义设置 (1001b - 1111b) 为 40。 0000b = 5 0001b = 10 0010b = 12 0011b = 16 0100b = 20 0101b = 23 0110b = 25 0111b = 30 1000b = 40
7-4	CSA_GAIN_B	R/W	0000b	SOB 的 CSA 增益。可以在 PWM 运行期间更新增益。未定义设置 (1001b - 1111b) 为 40。 0000b = 5 0001b = 10 0010b = 12 0011b = 16 0100b = 20 0101b = 23 0110b = 25 0111b = 30 1000b = 40
3-0	CSA_GAIN_C	R/W	0000b	SOC 的 CSA 增益。可以在 PWM 运行期间更新增益。未定义设置 (1001b - 1111b) 为 40。 0000b = 5 0001b = 10 0010b = 12 0011b = 16 0100b = 20 0101b = 23 0110b = 25 0111b = 30 1000b = 40

7.2.13 MON_CTRL1 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 4002h]

表 7-23 展示了 MON_CTRL1。

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表 7-23 MON_CTRL1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	VDRAIN_OV_LVL	R/W	01b	VDRAIN 过压阈值电平 00b = 29.5V（典型值） 01b = 34.5V（典型值） 10b = 53.5V（典型值） 11b = 53.5V（典型值）
13	VDRAIN_MON_MODE	R/W	0b	VDRAIN 监测模式，用于监测欠压和过压 0b = 警告模式 1b = 故障模式
12	BST_OV_MODE	R/W	0b	BST 引脚过压监测模式 0b = 警告模式 1b = 故障模式
11	BST_UV_LATCH	R/W	0b	BST 引脚欠压锁存模式 0b = BST_UV 是实时监测器。当 VBST 超过 VBST_UV 阈值时，BST_UV 清除为 0b。忽略 BST_UV_MODE。 1b = 当检测到欠压条件时，BST_UV 被锁存。
10	BST_UV_MODE	R/W	0b	BST 引脚监测模式。如果 BST_UV_LATCH 为 1b，则 BST_UV_MODE 确定警告模式或故障模式。请参阅 BST_UV_LATCH 寄存器位。 0b = 警告模式 1b = 故障模式
9	BST_UV_LVL	R/W	0b	BST 引脚欠压阈值电平 V_{BST_UV} 0b = 4.2V（典型值） 1b = 7.2V（典型值）
8	DVDD_OV_MODE	R/W	0b	过压监测的 DVDD 监测模式 0b = 警告模式 1b = 故障模式
7	GVDD_OV_MODE	R/W	0b	过压监测的 GVDD 监测模式 0b = 警告模式 1b = 故障模式
6	GVDD_UV_MODE	R/W	0b	欠压监测的 GVDD 监测模式 0b = 警告模式 1b = 故障模式
5	VCP_OV_MODE	R/W	0b	过压监测的 VCP 监测模式 0b = 警告模式 1b = 故障模式
4	VCP_UV_MODE	R/W	0b	欠压监测的 VCP 监测模式 0b = 警告模式 1b = 故障模式
3	PVDD_UVW_LVL	R/W	0b	PVDD UV 警告阈值电平
2-1	PVDD_OV_LVL	R/W	01b	PVDD OV 阈值电平
0	PVDD_OV_MODE	R/W	0b	PVDD OV 阈值监测模式 0b = 警告模式 1b = 故障模式

7.2.14 MON_CTRL2 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 1101h]

表 7-24 展示了 MON_CTRL2。

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表 7-24 MON_CTRL2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	VDS_MODE	R/W	00b	VDS 过流模式 00b = 警告模式。 01b = 故障模式。 10b = 保留 11b = 无报告。无关断。
13-11	VDS_BLK	R/W	010b	VDS 过流消隐时间
10-8	VDS_DEG	R/W	001b	VDS 过流抗尖峰脉冲时间
7-6	VGS_MODE	R/W	00b	VGS 监测模式 00b = 警告模式。 01b = 故障模式。 10b = 保留 11b = 无报告。无关断。
5-3	VGS_BLK	R/W	000b	VGS 监测消隐时间
2-0	VGS_DEG	R/W	001b	VGS 监测抗尖峰脉冲时间

7.2.15 MON_CTRL3 寄存器（地址 = 2Dh）[复位 = 003Bh]

表 7-25 展示了 MON_CTRL3。

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表 7-25 MON_CTRL3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-9	RESERVED	R	0b	保留
8	VGS_LVL	R/W	0b	当 INLx/INHx = 高电平时，栅极电压监测阈值电平。V_{GS_LVL_H} 0b = 5.7V（典型值） 1b = 7.7V（典型值）
7-6	SNS_OCP_MODE	R/W	00b	V_SENSE 过流保护的监测模式（Rshunt 监测器） 00b = 警告模式。 01b = 故障模式。 10b = 保留 11b = 无报告。无关断。
5-3	SNS_OCP_LVL	R/W	111b	V_SENSE 过流保护的阈值电压（Rshunt 监测器） 000b = 50mV（典型值） 001b = 75mV（典型值） 010b = 100mV（典型值） 011b = 125mV（典型值） 100b = 150mV（典型值） 101b = 200mV（典型值） 110b = 300mV（典型值） 111b = 500mV（典型值）
2	RESERVED	R	0b	保留
1-0	SNS_OCP_DEG	R/W	11b	V_SENSE 过流保护的抗尖峰脉冲时间（Rshunt 监测器） 00b = 2.0us（典型值） 01b = 4.0us（典型值） 10b = 6.0us（典型值） 11b = 10.0us（典型值）

7.2.16 MON_CTRL4 寄存器（地址 = 2Eh）[复位 = 0000h]

表 7-26 展示了 MON_CTRL4。

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表 7-26 MON_CTRL4 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-6	RESERVED	R	0b	保留
5	WDT_FLT_MODE	R/W	0b	看门狗时间故障模式 0b = 在 nFAULT 上报告。无栅极驱动器关断。 1b = 在 nFAULT 上报告。栅极驱动器关断。
4	WDT_CNT	R/W	0b	看门狗时间故障计数 0b = 一次 WDT 故障报告状态标志并将 nFAULT1 引脚置为低电平。 1b = 三个连续故障报告状态标志并将 nFAULT 引脚置为低电平。在检测到三个连续故障后，内部计数器清零。如果 WDT_EN 被清除为 0b，也可以将内部计数器清零。
3	WDT_MODE	R/W	0b	看门狗时间模式 0b = 任何有效的读取访问会将看门狗计时器复位 1b = 对 SPI_TEST 的有效写入访问会将看门狗计时器复位
2-1	WDT_W	R/W	00b	看门狗计时器窗口 t_WDL（下窗口）和 t_WDU（上窗口） 00b = tWDL 0.5ms tWDU 10ms 01b = tWDL 1ms tWDU 20ms 10b = tWDL 2ms tWDU 40ms 11b = tWDL 2ms tWDU 40ms
0	WDT_EN	R/W	0b	看门狗时间启用 0b = 看门狗计时器禁用 1b = 看门狗计时器启用

7.2.17 MON_CTRL5 寄存器（地址 = 2Fh）[复位 = 0000h]

表 7-27 展示了 MON_CTRL5。

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表 7-27 MON_CTRL5 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	RESERVED	R	0b	保留
13	VDDSDO_MON_LVL	R/W	0b	VDDSDO（SDO 的电源）欠压和过压监测电平。目标标称 VDDSDO 电压为 3.3V 或 5V。 0b = 3.3V 模式 1b = 5V 模式
12	VREF_MON_LVL	R/W	0b	VREF（CSA 基准电压）欠压和过压监测阈值电平。目标标称 VREF 电压为 3.3V 或 5V 0b = VREF 的目标标称电压为 3.3V。欠压监测阈值为 2.8V（典型值），过压监测阈值为 3.8V（典型值）。 1b = VREF 的目标标称电压为 5V。欠压监测阈值为 4.2V（典型值），过压监测阈值为 5.8V（典型值）。
11	VREF_MON_MODE	R/W	0b	用于欠压和过压监测的 VREF 监测模式。 0b = 警告模式 1b = 故障模式
10-5	RESERVED	R	0b
4	PHC_OUTDG_SEL	R/W	0b	相位比较器输出（PHCx 器件引脚）抗尖峰脉冲时间选择 0b = 无抗尖峰脉冲时间。器件比较器输出直接路由至器件引脚 (PHCx)。 1b = 启用抗尖峰脉冲 1us（典型值），并在相位比较器输出上添加抗尖峰脉冲。
3	PHC_MON_MODE	R/W	0b	相位比较器故障监测模式 0b = 报告给状态寄存器位。无 nFAULT1 报告。无栅极驱动器关断 1b = 向状态寄存器位报告，nFAULT1 被驱动为低电平。无栅极驱动器关断
2	PHC_COMPEN	R/W	0b	相位比较器启用 0b = 禁用。相位比较器输出（器件引脚或 SPI 状态位）无效。 1b = 启用。启用后，系统需要等待 5us。
1	PHC_OUTEN	R/W	0b	相位输出缓冲器启用。无论 PWM_MODE 如何，都可以启用该位。 0b = 禁用。输出为高阻态。 1b = 启用。INLx 信号在器件中被拉至低电平。
0	PHC_TH	R/W	0b	相位比较器阈值 0b = 上升时为 75%，下降时为 25% 1b = 50%

7.2.18 MON_CTRL6 寄存器（地址 = 30h）[复位 = 20BBh]

表 7-28 展示了 MON_CTRL6。

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表 7-28 MON_CTRL6 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	RESERVED	R	0b	保留
13	ALL_CH	R/W	1b	所有通道关断启用 0b = 关断相关故障的半桥（有源下拉）以响应 VDS、VGS 和 OCP_SNS。nFAULT 在所有三个通道都出现故障后变为低电平。ENABLE_DRV 位不会被器件清零。对于重新启动 PWM 的恢复序列，MCU 使用 CLR_FLT 并清零 ENABLE_DRV（可以在一条 SPI 命令中），然后将 ENABLE_DRV 设置为 1b。 1b = 关断全部三个半桥（半有源下拉）以响应 VDS、VGS 和 OCP_SNS。如果一个或多个通道出现故障，nFAULT 会变为低电平。ENABLE_DRV 位被器件清除为 0b。
12	CBC	R/W	0b	逐周期关断重试模式启用。该位应用于 VDS 和 SNS_OCP 检测的故障模式。在内部为每个相位执行一个计数器。 0b = 禁用逐周期重试模式 1b = 启用逐周期重试模式。当栅极驱动器在检测到 VDS 或 SNS_OCP 故障时关断（故障模式），当提供新的 PWM 输入（INLx/INHx 的上升沿或下降沿）时，系统会自动重试 PWM 输出。状态标志被锁存。如果启用了 nFAULT 报告，则当 CBC 计数达到 CBC_CNT + 1b 时，nFAULT 会被置位（低电平）。
11	CBC_CNT	R/W	0b	逐周期关断重试计数选择。在重试计数达到 CBC_CNT 后（在检测到 CBC_CNT + 1 个故障后），CBC 重试完成。如果 ALL_CH = 1b，ENABLE_DRV 将在 CBC 重试完成后被清零。ENABLE_DRV 清零后，当 ENABLE_DRV 设置为 1 时，CBC_CNT 将复位为 0。如果在 CLR_FLT 设置为 1 时将 CBC_CNT 清零。 0b = CBC 重试重复 3 次。CBC 重试在第 4 个故障时完成。 1b = CBC 重试重复 10 次。CBC 重试在第 11 个故障处完成。
10-8	RESERVED	R	0b	保留
7-4	VDS_LVL_HS	R/W	1011b	高侧 MOSFET 的 VDS 过流阈值
3-0	VDS_LVL_LS	R/W	1011b	低侧 MOSFET 的 VDS 过流阈值。阈值设置与 VDS_LVL_HS 相同

7.2.19 DIAG_CTRL1 寄存器（地址 = 33h）[复位 = 0000h]

表 7-29 展示了 DIAG_CTRL1。

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表 7-29 DIAG_CTRL1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-6	RESERVED	R	0b	保留
5	PHDEN_HA	R/W	0b	高侧通道 A (VDRAIN-SHA) 上的相位诊断开关启用 0b = 无影响 1b = 启用相位诊断开关。VDS_Hx 和 VDS_Lx 标志从故障检测变为实际监测状态。如果所有 PHDEN_x 位都清零，那么 VDS_xx 标志将由器件清除。
4	PHDEN_LA	R/W	0b	低侧通道 A (SHA-GND) 上的相位诊断开关启用 0b = 无影响 1b = 启用相位诊断开关。VDS_LA 位是 SHA-SLA 电压的实际监测状态
3	PHDEN_HB	R/W	0b	高侧通道 B (VDRAIN-SHB) 上的相位诊断开关启用 0b = 无影响 1b = 启用相位诊断开关。VDS_Hx 和 VDS_Lx 标志从故障检测变为实际监测状态。
2	PHDEN_LB	R/W	0b	低侧通道 B (SHB-GND) 上的相位诊断开关启用 0b = 无影响 1b = 启用相位诊断开关。VDS_LB 位是 SHB-SLB 电压的实际监测状态
1	PHDEN_HC	R/W	0b	高侧通道 C (VDRAIN-SHC) 上的相位诊断开关启用 0b = 无影响 1b = 启用相位诊断开关。VDS_Hx 和 VDS_Lx 标志从故障检测变为实际监测状态。
0	PHDEN_LC	R/W	0b	低侧通道 C (SHC-GND) 上的相位诊断开关启用 0b = 无影响 1b = 启用相位诊断开关。VDS_LC 位是 SHC-SLC 电压的实际监测状态

7.2.20 SPI_TEST 寄存器（地址 = 36h）[复位 = 0000h]

表 7-30 中显示了 SPI_TEST。

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表 7-30 SPI_TEST 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-0	SPI_TEST	R/W	0000000000000000b	SPI 测试寄存器。对该寄存器的写入访问对器件运行没有影响。

7.2.21 OTP_USR 寄存器（地址 = 48h）[复位 = 0000h]

表 7-31 中显示了 OTP_USR。

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表 7-31 OTP_USR 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-5	RESERVED	R	0b	保留
4	OTP_USR_P_VER	R/W	0b	启用用户 OTP 程序的存储器验证。该位在用户对用户 OTP 进行编程后使用。MCU 将等待至器件将该位清零，然后 MCU 必须检查 OTP_USR_CRC_FLT 以获取验证结果。OTP_USR_PRG 和 OTP_USR_P_VER 绝不能同时设置为 1b。 0b = 用户 OTP 验证未处于活动状态 1b = 用户 OTP 验证被启用并处于活动状态。器件自动运行 CRC，如果用户 OTP 验证失败，则 OTP_USR_CRC_FLT 状态位设置为 1b。
3-1	OTP_USR_P_ACC	R/W	000b	对用户 OTP 程序和用户 OTP 验证的访问控制。除非按顺序写入以下值：0x2、0x1、0x4，否则 OTP_USR_PRG 位的写访问将不可用。任何其他未定义的值都将被忽略，并复位内部序列逻辑。如果序列值被接受，则器件返回读取 0x7。在器件接受该序列（读取 = 0x7）后，对该寄存器的任何写入访问（包括 0x2、0x1、0x4）都会将序列逻辑（读取 = 0x0）复位。 000b = 如果序列逻辑被复位，则读取返回的数据。 001b = 要在序列中输入的第 2 个数据 010b = 要在序列中输入的第 1 个数据 100b = 要在序列中输入的第 3 个数据 111b = 如果器件接受序列命令，则读取返回的数据，并允许对 OTP_USR_PRG 进行写访问。
0	OTP_USR_PRG	W	0b	对用户 OTP 进行编程。MCU 将该位设置为 1 以启用 OTP 程序。MCU 将等待至器件将该位清零。OTP_USR_PRG 和 OTP_USR_P_VER 绝不能同时设置为 1b。当 OTP_USR_PRG 设置为 1 时，应相应地配置以下 SPI 寄存器位；ENABLE_DRV=0、ADC_EN=0、ADC_EN2=0、PWSPI_EN=0、WDT_EN=0、VCP_MODE=11、CLKMON_EN=0、DRVEN_A=0、DRVEN_B=0、DRVEN_C=0、CSA_EN=0、GVDD_MODE=1。 0b = 用户 OTP 程序未处于活动状态。 1b = 用户 OTP 程序被启用并处于活动状态。