ZHCSUL8B December   2023  – September 2025 DRV8334

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 引脚功能 48 引脚 DRV8334 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 DRV8334 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 带 SPI 启用控制的 3x PWM 模式
          4. 6.3.1.1.4 1x PWM 模式
          5. 6.3.1.1.5 SPI 栅极驱动模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 GVDD 电荷泵/LDO
          3. 6.3.1.2.3 VCP 涓流电荷泵
          4. 6.3.1.2.4 栅极驱动器输出
          5. 6.3.1.2.5 无源和半有源下拉电阻器
          6. 6.3.1.2.6 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          7. 6.3.1.2.7 传播延迟
          8. 6.3.1.2.8 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.2.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.2.2 双向电流检测操作
      3. 6.3.3 栅极驱动器关断
        1. 6.3.3.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.3.2 栅极驱动器关断时序
      4. 6.3.4 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.4.1  PVDD 电源欠压警告 (PVDD_UVW)
        2. 6.3.4.2  PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        3. 6.3.4.3  PVDD 电源过压故障 (PVDD_OV)
        4. 6.3.4.4  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        5. 6.3.4.5  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        6. 6.3.4.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.4.7  BST 过压故障 (BST_OV)
        8. 6.3.4.8  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        9. 6.3.4.9  VCP 过压故障 (CP_OV)
        10. 6.3.4.10 VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        11. 6.3.4.11 VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        12. 6.3.4.12 MOSFET VGS 监测保护
        13. 6.3.4.13 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        14. 6.3.4.14 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        15. 6.3.4.15 相位比较器
        16. 6.3.4.16 热关断 (OTSD)
        17. 6.3.4.17 热警告 (OTW)
        18. 6.3.4.18 OTP CRC
        19. 6.3.4.19 SPI 看门狗计时器
        20. 6.3.4.20 相位诊断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.4.1.1 睡眠模式
        2. 6.4.1.2 运行模式
      2. 6.4.2 器件上电序列
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 SPI
      2. 6.5.2 SPI 格式
      3. 6.5.3 SPI 格式图
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 状态寄存器
    2. 7.2 控制寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 8.2.1.1 外部组件
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 社区资源
    4. 9.4 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.1.1 外部组件

“外部元件”部分列出了推荐使用的外部元件。请注意，以下电容被视为标称条件下的有效电容。在选择这些元件时，请考虑直流降额的影响。

表 8-1 外部元件（48 引脚封装）
元件 PIN1 PIN2 推荐
RPVDD VBAT PVDD 可选：1Ω（或更小）串联电阻器
CPVDD PVDD GND 额定电压适配 PVDD 的 10μF 陶瓷电容器。
CGVDD GVDD GND 额定电压适配 GVDD 的 10μF 陶瓷电容器。
CCP_FLY CPH CPL 额定电压适配 GVDD 电压的 1.0μF 陶瓷电容器
CCPT_FLY CPTH CPTL 额定电压适配 GVDD 电压的 1.0μF 陶瓷电容器
CVCP VCP VDRAIN 额定电压适配 VCP 电压的 1.0μF 陶瓷电容器
RnFAULT VCCIO nFAULT 10kΩ 上拉 MCU I/O 电源
CVREF VREF GND 额定电压为 VREF 的 0.1μF 陶瓷电容器
CBULK VMOTOR GND 100μF - 1000μF 的额定电压需适配 VMOTOR；具体取决于系统配置
CVDRAIN VDRAIN GND 1μF 的额定电压需适配 VDRAIN
CBST BSTx SHx 在 BSTx 和 SHx 之间的 1.0μF、20V 陶瓷电容器，具体取决于外部 MOSFET Qg 的总栅极电荷。CBST > 20 X Qg / (VGHX-VSHx)
RBST BSTx SHx 可选：BSTx 和 SHx 之间的 2Ω 串联电阻器有助于防止 SHx 引脚上出现大负瞬变电压时的 CBST 过充。
RG GHx、GLx 外部旁 MOSFET 的栅极 可选：GHx/GLx 与外部 MOSFET 的栅极之间的 3Ω 串联电阻器。
RGS GHx、GLx 外部 MOSFET 的源极 GHx/GLx 与外部 MOSFET 的源极之间的 100kΩ 下拉电阻器。
RSENSE SPx SNx 用于电流感测放大器的 0.5mΩ 分流电阻器。系统设计参数。
RSO MCU ADC SOx 电流感测放大器输入滤波器为 160Ω
CSO MCU ADC GND 用于电流感测放大器输入滤波器、额定电压适配 AREF 的 470pF 陶瓷电容器
RSP、RSN SPx/SNx RSENSE 可选：电流检测放大器输入滤波器为 10Ω。
CSPSN SPx SNx 可选：用于电流检测放大器输入滤波器的 1nF 陶瓷电容器。
CSP、CSN SPx/SNx GND 可选：用于电流检测放大器输入滤波器的 1nF 陶瓷电容器。