ZHCSUL8B December 2023 – September 2025 DRV8334
PRODUCTION DATA
该器件集成了 TDRIVE 栅极驱动时序控制,可防止外部 MOSFET 因寄生 dV/dt 栅极导致开启。每当 MOSFET 开关时,都会在相反方向的 MOSFET 栅极上启用强下拉 ISTRONG 电流。该强下拉会持续 TDRIVE 时长。当半桥开关节点电压快速转换时,该功能有助于消除耦合到 MOSFET 栅极中的寄生电荷。
图 6-7 TDRIVE 栅极驱动时序控制 (DEADT_MODE = 1b)