ZHCSUL8B December   2023  – September 2025 DRV8334

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 引脚功能 48 引脚 DRV8334 器件
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 DRV8334 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 SPI 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 6.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 6.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 6.3.1.1.2 带 INLx 启用控制的 3x PWM 模式
          3. 6.3.1.1.3 带 SPI 启用控制的 3x PWM 模式
          4. 6.3.1.1.4 1x PWM 模式
          5. 6.3.1.1.5 SPI 栅极驱动模式
        2. 6.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 6.3.1.2.1 自举二极管
          2. 6.3.1.2.2 GVDD 电荷泵/LDO
          3. 6.3.1.2.3 VCP 涓流电荷泵
          4. 6.3.1.2.4 栅极驱动器输出
          5. 6.3.1.2.5 无源和半有源下拉电阻器
          6. 6.3.1.2.6 TDRIVE 栅极驱动时序控制
          7. 6.3.1.2.7 传播延迟
          8. 6.3.1.2.8 死区时间和跨导保护
      2. 6.3.2 低侧电流检测放大器
        1. 6.3.2.1 单向电流检测操作
        2. 6.3.2.2 双向电流检测操作
      3. 6.3.3 栅极驱动器关断
        1. 6.3.3.1 DRVOFF 栅极驱动器关断
        2. 6.3.3.2 栅极驱动器关断时序
      4. 6.3.4 栅极驱动器保护电路
        1. 6.3.4.1  PVDD 电源欠压警告 (PVDD_UVW)
        2. 6.3.4.2  PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        3. 6.3.4.3  PVDD 电源过压故障 (PVDD_OV)
        4. 6.3.4.4  GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        5. 6.3.4.5  GVDD 过压故障 (GVDD_OV)
        6. 6.3.4.6  BST 欠压锁定 (BST_UV)
        7. 6.3.4.7  BST 过压故障 (BST_OV)
        8. 6.3.4.8  VCP 欠压故障 (CP_OV)
        9. 6.3.4.9  VCP 过压故障 (CP_OV)
        10. 6.3.4.10 VDRAIN 欠压故障 (VDRAIN_UV)
        11. 6.3.4.11 VDRAIN 过压故障 (VDRAIN_OV)
        12. 6.3.4.12 MOSFET VGS 监测保护
        13. 6.3.4.13 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        14. 6.3.4.14 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        15. 6.3.4.15 相位比较器
        16. 6.3.4.16 热关断 (OTSD)
        17. 6.3.4.17 热警告 (OTW)
        18. 6.3.4.18 OTP CRC
        19. 6.3.4.19 SPI 看门狗计时器
        20. 6.3.4.20 相位诊断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 6.4.1.1 睡眠模式
        2. 6.4.1.2 运行模式
      2. 6.4.2 器件上电序列
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 SPI
      2. 6.5.2 SPI 格式
      3. 6.5.3 SPI 格式图
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 状态寄存器
    2. 7.2 控制寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 48 引脚封装的典型应用
        1. 8.2.1.1 外部组件
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 社区资源
    4. 9.4 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5.1 SPI

该器件使用串行外设接口 (SPI) 总线设置器件配置、运行参数和读取诊断信息。器件 SPI 在外设模式下运行，并连接到控制器外部控制器。如果启用 SPI CRC (SPI_CRC_EN = 1b)，则 SPI 输入数据 (SDI) 字由一个 32 位字、一条 8 位命令、16 位数据和 8 位 CRC（初始值 0xFF、多项式 0x2F）组成。SPI 输出数据 (SDO) 字由一个 32 位字组成，其中包含一个 8 位状态数据、16 位寄存器数据和 8 位 CRC（初始值 0xFF、多项式 0x2F）。如果禁用 SPI CRC (SPI_CRC_EN = 0b)，则 SPI 数据字由 24 位字组成，其中不包括 8 位 CRC。

注： 默认情况下启用 CRC。要禁用 CRC，请在器件上电后使用 CRC 值“0x6E”将“0x0009”发送到寄存器 0x1C（完整的 SPI 帧为“0x3800096E”）。

有效帧必须满足以下条件：

  • 当 nSCS 引脚从高电平转换为低电平以及从低电平转换为高电平时，SCLK 引脚为低电平。
  • nSCS 引脚在两个字之间被拉为高电平的时间至少为 450ns。
  • 当 nSCS 引脚被拉为高电平时，SCLK 和 SDI 引脚上的任何信号都将被忽略，并且 SDO 引脚处于高阻态。
  • 数据会在 SCLK 下降沿被捕捉，并在 SCLK 上升沿传播。
  • 最高有效位 (MSB) 最先移入和移出。
  • 必须历经完整的 32（或 24）个 SCLK 周期，事务才有效。
  • 如果发送到 SDI 引脚的数据字不是 32（或 24）位，则会发生帧错误并且数据字会被忽略。
  • 对于写入命令，要写入的寄存器中的现有数据会在 8 位命令数据之后在 SDO 引脚上移出。
  • SDO 引脚是推挽式输出。
  • 在 nSCS 的上升沿确认 SPI 故障。