ZHCSUL8B December 2023 – September 2025 DRV8334
PRODUCTION DATA
| 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| tSCLK | SCLK 最小周期 |
100 | ns | ||
| tSCLKH | SCLK 最短高电平时间 | 50 | ns | ||
| tSCLKL | SCLK 最短低电平时间 | 50 | ns | ||
| tSU_SDI | SDI 输入数据设置时间 | 15 | ns | ||
| tH_SDI | SDI 输入数据保持时间 | 25 | ns | ||
| tD_SDO | SDO 输出数据延迟时间;SCLK 高电平至 SDO 有效(上升时为直流 VOH x 70%、下降时为 x 30%),CL = 20pF;PVDD ≥ 4.5V; | 5 | 38 | ns | |
| tD_SDO | SDO 输出数据延迟时间;SCLK 高电平至 SDO 有效(上升时为直流 VOH x 70%、下降时为 x 30%)、CL = 20pF;4.5V ≥PVDD 4V | 5 | 48 | ns | |
| tSU_nSCS | nSCS 输入设置时间 | 25 | ns | ||
| tH_nSCS | nSCS 输入保持时间 | 25 | ns | ||
| tHI_nSCS | 低电平有效前的 nSCS 最短高电平时间 | 450 | ns | ||
| tEN_SDO | SDO 启用延迟时间;nSCS 低电平至 SDO 就绪 | 50 | ns | ||
| tDIS_SDO | SDO 禁用延迟时间;nSCS 高电平至 SDO 高阻抗 | 50 | ns | ||