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ZHCSG01D February 2017 – March 2022 DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R

PRODUCTION DATA

对于 14nC 的栅漏电荷以及 100 至 300ns 的上升时间，可以使用方程式 13 和方程式 14 分别计算 I_DRIVEP1 和 I_DRIVEP2 的值。

方程式 13.

I_{D R I V E P 1} = \frac{14 n C}{100 n s} = 140 m A

方程式 14.

I_{D R I V E P 2} = \frac{14 n C}{300 n s} = 47 m A

为 I_DRIVEP 选择介于 47mA 和 140mA 之间的值。在本例中，选择 120mA 拉电流作为 I_DRIVEP 的值。

对于 14nC 的栅漏电荷以及 50 至 150ns 的下降时间，可以使用方程式 15 和方程式 16 分别计算 I_DRIVEN1 和 I_DRIVEN2 的值。

方程式 15.

I_{D R I V E N 1} = \frac{14 n C}{50 n s} = 280 m A

方程式 16.

I_{D R I V E N 2} = \frac{14 n C}{150 n s} = 93 m A

为 I_DRIVEN 选择介于 93mA 和 280mA 之间的值。在本例中，选择 240mA 灌电流作为 I_DRIVEN 的值。