ZHCSML9A June 2021 – July 2021 DRV8212P
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源 (VM,VCC) | ||||||
IVM | VM 工作模式电流 | nSLEEP = 3.3V,IN1 = 0V,IN2 = 3.3V | 6 | 11 | mA | |
IVMQ | VM 睡眠模式电流 | 睡眠模式,VVM = 5V,VVCC = 3.3V,TJ = 27°C | 1 | 82 | nA | |
IVCC | VCC 工作模式电流 | nSLEEP = 3.3V,IN1 = 0V,IN2 = 3.3V | 0.21 | 11 | mA | |
IVCCQ | VCC 睡眠模式电流 | 睡眠模式,VVM = 5V,VVCC = 3.3V,TJ = 27°C | 2.5 | nA | ||
tWAKE | 开通时间 | 睡眠模式到工作模式延迟 | 100 | μs | ||
tSLEEP | 关断时间 | 工作模式到睡眠模式延迟 | 2 | μs | ||
逻辑电平输入 (INx,nSLEEP) | ||||||
VIL | 输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.4 | V | ||
VIH | 输入逻辑高电平电压 | 1.45 | 5.5 | V | ||
VHYS | 输入逻辑迟滞 | 49 | mV | |||
IIL | 输入逻辑低电平电流 | VI = 0V | -1 | 1 | µA | |
IIH | 输入逻辑高电平电流 | VI = 3.3 V | 20 | 50 | µA | |
RPD | 输入下拉电阻 | 至 GND | 100 | kΩ | ||
驱动器输出(OUTx) | ||||||
RDS(on)_HS | 高侧 MOSFET 导通电阻 | IO = 0.2 A | 140 | mΩ | ||
RDS(on)_LS | 低侧 MOSFET 导通电阻 | IO = -0.2 A | 140 | mΩ | ||
VSD | 体二极管正向电压 | IO = -1.5 A | 1 | V | ||
tRISE | 输出上升时间 | VOUTx 上升,从 VVM 的 10% 上升到 90% | 150 | ns | ||
tFALL | 输出下降时间 | VOUTx 下降,从 VVM 的 90% 下降到 10% | 150 | ns | ||
tPD | 输入至输出传播延迟 | 输入超过 0.8V 至 VOUTx = 0.1×VVM,IO = 1A | 135 | ns | ||
tDEAD | 输出死区时间 | 内部死区时间 | 500 | ns | ||
保护电路 | ||||||
VUVLO,VCC | VCC 电源欠压锁定(UVLO) | 电源上升 | 1.65 | V | ||
电源下降 | 1.30 | V | ||||
VUVLO_HYS | 电源 UVLO 迟滞 | 上升至下降阈值 | 80 | mV | ||
tUVLO | 电源欠压抗尖峰脉冲时间 | VVCC 下降 至 OUTx 禁用 | 3.8 | µs | ||
IOCP | 过流保护跳变点 | 4 | A | |||
tOCP | 过流保护抗尖峰脉冲时间 | 4.2 | µs | |||
tRETRY | 过流保护重试时间 | 1.7 | ms | |||
TTSD | 热关断温度 | 153 | 193 | °C | ||
THYS | 热关断滞后 | 22 | °C |