ZHCSML9A June 2021 – July 2021 DRV8212P
PRODUCTION DATA
该器件的总功耗由三个主要部分组成:静态电源电流耗散(PVM 和 PVCC)、功率 MOSFET 开关损耗 (PSW) 及功率 MOSFET RDS(on)(导通)损耗 (PRDS)。虽然其他因素可能会造成额外的功率损耗,但与这三个主要因素相比,这些因素通常微不足道。
可以根据标称电机电源电压(VVM)和 IVM 工作模式电流规格来计算 PVM。可以根据标称逻辑电源电压(VVCC)和 IVCC 工作模式电流规格来计算 PVCC。当 VVCC < VVM 时,DRV8212 会从 VM 引脚而非 VCC 引脚汲取运行电流。在这种工作条件下,IVCC 通常小于 500nA。
可以根据标称电机电源电压 (VVM)、平均输出电流 (IRMS)、开关频率 (fPWM) 以及器件输出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 时间规格来计算 PSW。
可以根据器件 RDS(on) 和平均输出电流 (IRMS) 来计算 PRDS。
RDS(ON) 与器件温度密切相关。假设器件结温为 85°C,根据标称温度数据,RDS(on) 可增加约 1.5 倍。下面的计算显示了此降额系数。或者,Topic Link Label7.6 部分显示了绘制 RDS(on) 如何随温度变化的曲线。
根据上面的示例计算,下面的表达式计算了器件的总预期功率耗散。
可以使用 PTOT、器件环境温度(TA)和封装热阻(RθJA)来计算驱动器的结温。RθJA 的值在很大程度上依赖于 PCB 设计以及器件周围的铜散热量。Topic Link Label9.3.2 更详细地介绍了这种依赖性。
对于所有系统工作条件,器件结温应保持在其绝对最大额定值以下。本部分中的计算提供了对结温的合理估计。然而,其他基于系统工作过程中温度测量的方法更加现实和可靠。可以在Topic Link Label9.3.2 和Topic Link Label12.1.1 中找到有关电机驱动器电流额定值和功率耗散的其他信息。