ZHCSWC4C May   2024  – February 2025 DRV8161 , DRV8162

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 1pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 2 引脚 PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 1 引脚 PWM 模式
          3. 7.3.1.1.3 独立 PWM 模式
        2. 7.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.2.1 涓流电荷泵 (TCP)
          2. 7.3.1.2.2 死区时间和跨导保护(击穿保护)
      2. 7.3.2 引脚图
        1. 7.3.2.1 四电平输入引脚 (CSAGAIN)
        2. 7.3.2.2 数字输出 nFAULT(DRV8162、DRV8162L)
        3. 7.3.2.3 数字输入输出 nFAULT/nDRVOFF (DRV8161)
        4. 7.3.2.4 多电平输入(IDRIVE1 和 IDRIVE2)
        5. 7.3.2.5 多电平数字输入 (VDSLVL)
        6. 7.3.2.6 多电平数字输入 DT/MODE
      3. 7.3.3 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.3.1 双向电流检测操作
      4. 7.3.4 栅极驱动器关断序列 (nDRVOFF)
        1. 7.3.4.1 nDRVOFF 诊断
      5. 7.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.5.1 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        2. 7.3.5.2 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        3. 7.3.5.3 热关断 (OTSD)
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 DRV8161 的典型应用
      2. 8.2.2 DRV8162 和 DRV8162L 的典型应用
      3. 8.2.3 外部组件
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 确定大容量电容器的大小
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
    8. 9.8 社区资源
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

多电平输入(IDRIVE1 和 IDRIVE2)

DRV816x 具有 IDRIVE1 和 IDRIVE2 器件引脚,用于栅极驱动电流配置。每个引脚可以设置 8 个电平(LEVEL0 至 LEVEL7),在器件引脚和 GND 之间连接外部电阻器。可通过表 7-4 确定栅极驱动电流 IDRIVEN 和 IDRIVEP。表中的 (G) 表示已启用 VGS 监控死区时间插入。在器件上电时锁存 IDRIVE1 和 IDRIVE2 信息。

DRV8161 DRV8162 IDRIVE1 和 IDRIVE2 的多电平数字输入图 7-11 IDRIVE1 和 IDRIVE2 的多电平数字输入
表 7-4 栅极驱动电流配置的 IDRIVE1/IDRIVE2 真值表
IDRIVE2 输入引脚 (RIDRIVE2)
LEVEL0(短接至 GND) LEVEL1(2KΩ 典型值) LEVEL2(5.6KΩ 典型值) LEVEL3(12KΩ 典型值) LEVEL4(27KΩ 典型值) LEVEL5(62KΩ 典型值) LEVEL6(130KΩ 典型值) LEVEL7(开路)
拉电流:灌电流 = 1:2 拉电流:灌电流 = 1:2 拉电流:灌电流 = 1:1.5 拉电流:灌电流 = 1:1.5 拉电流:灌电流 = 1:1 拉电流:灌电流 = 1:3 启用 VGS 死区时间插入 IDRIVE2 开路
IDRIVEP[mA] IDRIVEN[mA] IDRIVEP[mA] IDRIVEN[mA] IDRIVEP[mA] IDRIVEN[mA] IDRIVEP[mA] IDRIVEN[mA] IDRIVEP[mA] IDRIVEN[mA] IDRIVEP[mA] IDRIVEN[mA] IDRIVEP[mA] IDRIVEN[mA] IDRIVEP[mA] IDRIVEN[mA]
IDRIVE1 输入引脚 (RIDRIVE1) LEVEL7(开路) 256 512 16 32 256 384 16 32 128 128 64 192 32 (G) 64 (G) 16 (G) 32 (G)
LEVEL6(130KΩ 典型值) 288 576 32 64 288 448 32 32 192 192 128 384 96 (G) 192 (G) 64 (G) 128 (G)
LEVEL5(62KΩ 典型值) 320 640 64 128 320 448 64 64 256 256 192 576 128 (G) 256 (G) 128 256
LEVEL4(27KΩ 典型值) 384 768 96 192 384 576 96 128 320 320 256 768 160 (G) 320 (G) 192 384
LEVEL3(12KΩ 典型值) 448 896 128 256 448 640 128 192 384 384 288 896 192 (G) 384 (G) 256 512
LEVEL2(5.6KΩ 典型值) 512 1024 160 320 512 768 160 256 448 448 384 1024 224 (G) 448 (G) 320 640
LEVEL1(2KΩ 典型值) 768 1536 192 384 768 1024 192 256 512 512 512 1536 512 (G) 1024 (G) 512 1024
LEVEL0(短接至 GND) 1024 2048 224 448 1024 1536 224 384 1024 1024 768 2048 1024 (G) 2048 (G) 1024 2048