ZHCSWC4C
May 2024 – February 2025
DRV8161
,
DRV8162
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
器件比较表
5
引脚配置和功能
6
规格
6.1
绝对最大额定值
6.2
ESD 等级
6.3
建议运行条件
6.4
1pkg 热性能信息
6.5
电气特性
6.6
时序图
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
特性说明
7.3.1
栅极驱动器
7.3.1.1
PWM 控制模式
7.3.1.1.1
2 引脚 PWM 模式
7.3.1.1.2
1 引脚 PWM 模式
7.3.1.1.3
独立 PWM 模式
7.3.1.2
栅极驱动架构
7.3.1.2.1
涓流电荷泵 (TCP)
7.3.1.2.2
死区时间和跨导保护(击穿保护)
7.3.2
引脚图
7.3.2.1
四电平输入引脚 (CSAGAIN)
7.3.2.2
数字输出 nFAULT(DRV8162、DRV8162L)
7.3.2.3
数字输入输出 nFAULT/nDRVOFF (DRV8161)
7.3.2.4
多电平输入(IDRIVE1 和 IDRIVE2)
7.3.2.5
多电平数字输入 (VDSLVL)
7.3.2.6
多电平数字输入 DT/MODE
7.3.3
低侧电流检测放大器
7.3.3.1
双向电流检测操作
7.3.4
栅极驱动器关断序列 (nDRVOFF)
7.3.4.1
nDRVOFF 诊断
7.3.5
栅极驱动器保护电路
7.3.5.1
GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
7.3.5.2
MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
7.3.5.3
热关断 (OTSD)
8
应用和实施
8.1
应用信息
8.2
典型应用
8.2.1
DRV8161 的典型应用
8.2.2
DRV8162 和 DRV8162L 的典型应用
8.2.3
外部组件
8.3
布局
8.3.1
布局指南
8.4
电源相关建议
8.4.1
确定大容量电容器的大小
9
器件和文档支持
9.1
器件支持
9.2
文档支持
9.2.1
相关文档
9.3
接收文档更新通知
9.4
支持资源
9.5
商标
9.6
静电放电警告
9.7
术语表
9.8
社区资源
10
修订历史记录
11
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DGS|20
MPSS137
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcswc4c_oa
zhcswc4c_pm
8.3.1
布局指南
更大限度地缩短 GH、SH、GL 和 SL 布线的长度和减小阻抗。使用尽可能少的过孔来更大限度地减小寄生电感。建议在从器件引脚引开后尽快增加这些布线的宽度,以便尽可能减小寄生电阻。
使自举电容器 C
BST
靠近相应的引脚
使 GVDD 电容器保持靠近 GVDD 引脚
使 VDRAIN 电容器保持靠近 VDRAIN 引脚,以便为电荷泵提供稳定的开关电流。
需要额外的大容量电容来旁路掉外部 MOSFET 上的大电流路径。大容量电容的放置方法可尽可能缩短通过外部 MOSFET 的大电流路径的长度。连接金属走线尽可能宽,并具有许多连接 PCB 层的过孔。这些做法尽可能地减小了电感并使大容量电容器提供高电流。
将 SL 引脚连接到 MOSFET 源极,而不是直接连接到 GND,从而实现精确的 VDS 检测。
仅 DRV8161:从检测电阻到器件,以并联方式为 SN/SP 引脚布线。将滤波元件放置在靠近器件引脚的位置,以便尽可能减少后置滤波器噪声耦合。确保 SN/SP 与 GND 平面保持分离,以便实现出色的 CSA 精度。CSAREF 和 GND 上的旁路电容器放置在更靠近器件引脚的位置。
硬件接口电阻器 R
IDRIVE1
、R
IDRIVE2
、R
VDSLVL
、R
DTMODE
和 R
CSAGAIN
尽可能靠近器件引脚放置。
尽量减少并行布线,从而减少从潜在噪声源到任何噪声敏感器件信号的噪声耦合。噪声敏感型信号包括多电平硬件接口引脚 IDRIVE1、IDRIVE2、VDSLVL、DTMODE 和 CSAGAIN,以及电流检测放大器输出 SO。
图 8-3
DRV8161 布局