ZHCSWC4C May   2024  – February 2025 DRV8161 , DRV8162

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 1pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序图
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 2 引脚 PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 1 引脚 PWM 模式
          3. 7.3.1.1.3 独立 PWM 模式
        2. 7.3.1.2 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.2.1 涓流电荷泵 (TCP)
          2. 7.3.1.2.2 死区时间和跨导保护（击穿保护）
      2. 7.3.2 引脚图
        1. 7.3.2.1 四电平输入引脚 (CSAGAIN)
        2. 7.3.2.2 数字输出 nFAULT（DRV8162、DRV8162L）
        3. 7.3.2.3 数字输入输出 nFAULT/nDRVOFF (DRV8161)
        4. 7.3.2.4 多电平输入（IDRIVE1 和 IDRIVE2）
        5. 7.3.2.5 多电平数字输入 (VDSLVL)
        6. 7.3.2.6 多电平数字输入 DT/MODE
      3. 7.3.3 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.3.1 双向电流检测操作
      4. 7.3.4 栅极驱动器关断序列 (nDRVOFF)
        1. 7.3.4.1 nDRVOFF 诊断
      5. 7.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.5.1 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        2. 7.3.5.2 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        3. 7.3.5.3 热关断 (OTSD)
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 DRV8161 的典型应用
      2. 8.2.2 DRV8162 和 DRV8162L 的典型应用
      3. 8.2.3 外部组件
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 确定大容量电容器的大小
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
    8. 9.8 社区资源
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.3 外部组件

该表列出了栅极驱动器外部元件的建议值。

表 8-1 DRV816x 外部元件
元件 引脚 1 引脚 2 推荐
CBST BST SH 1.0μF，在 BST 和 SH 之间的 VBST-SH 额定电容器，具体取决于外部 MOSFET Qg 的总栅极电荷。CBST > 20 X Qg / (VGH-VSH)。最大 CBST 为 2.2μF，
CGVDD GVDD GND 10μF，VGVDD 额定电容器。如果电容器放置在离所有三个器件足够近的位置，则可以在三相功率级设计中与其他两个 DRV816x 器件共享此电容器。用户必须检查上电时和 PWM 开关期间自举操作引起的压降。
CGVDD_LS GVDD_LS GND 1μF，VGVDD 额定电容器
CVDRAIN VDRAIN GND 0.1μF，VVDRAIN 额定电容器
RnFAULT VCCIO nFAULT 10kΩ 上拉电阻器
RIDRIVE1 IDRIVE1 GND 硬件接口电阻器请参阅节 7.3.2.4
CIDRIVE1 IDRIVE1 GND 可选：0.1nF、5V 额定电容器
RIDRIVE2 IDRIVE2 GND 硬件接口电阻器请参阅节 7.3.2.4
CIDRIVE2 IDRIVE2 GND 可选：0.1nF、5V 额定电容器
RVDSLVL VDSLVL GND 硬件接口电阻器请参阅节 7.3.2.5
CVDSLVL VDSLVL GND 可选：0.1nF、5V 额定电容器
DVDSLVL VDSLVL MCU 可选：VDSLVL 引脚和 MCU GPIO 之间的二极管。
RDTMODE DT/MODE GND 硬件接口电阻器请参阅节 7.3.2.6
CDTMODE DT/MODE GND 可选：0.1nF、5V 额定电容器
RCSAGAIN CSAGAIN GND 硬件接口电阻器请参阅节 7.3.2.1
CCSAGAIN CSAGAIN GND 可选：0.1nF、5V 额定电容器
CCSAREF CSAREF GND 0.1μF，VCSAREF 额定电容器
RSENSE SP SN 检测分流电阻器
RSP、RSN SP/SN RSENSE 可选：电流检测放大器输入滤波器为 10Ω。
CSPSN SP SN 可选：用于电流检测放大器输入滤波器的 1nF 陶瓷电容器。
CSP、CSN SP/SN GND 可选：用于电流检测放大器输入滤波器的 1nF 陶瓷电容器。