ZHCSZ00A May   2024  – September 2025 DRV8000-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息 RGZ 封装
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 外部组件
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1 加热器 MOSFET 驱动器
        1. 7.4.1.1 加热器 MOSFET 驱动器控制
        2. 7.4.1.2 加热器 MOSFET 驱动器保护
          1. 7.4.1.2.1 加热器 SH_HS 内部二极管
          2. 7.4.1.2.2 加热器 MOSFET VDS 过流保护 (HEAT_VDS)
          3. 7.4.1.2.3 加热器 MOSFET 开路负载检测
      2. 7.4.2 高侧驱动器
        1. 7.4.2.1 高侧驱动器控制
          1. 7.4.2.1.1 高侧驱动器 PWM 发生器
          2. 7.4.2.1.2 恒流模式
          3. 7.4.2.1.3 OUTx HS ITRIP 行为
          4. 7.4.2.1.4 高侧驱动器 - 并行输出
        2. 7.4.2.2 高侧驱动器保护电路
          1. 7.4.2.2.1 高侧驱动器内部二极管
          2. 7.4.2.2.2 高侧驱动器短路保护
          3. 7.4.2.2.3 高侧驱动器过流保护
          4. 7.4.2.2.4 高侧驱动器开路负载检测
      3. 7.4.3 电致变色玻璃驱动器
        1. 7.4.3.1 电致变色驱动器控制
        2. 7.4.3.2 电致变色驱动器保护
      4. 7.4.4 半桥驱动器
        1. 7.4.4.1 半桥控制
        2. 7.4.4.2 OUT1 和 OUT2 高侧驱动器模式
        3. 7.4.4.3 半桥寄存器控制
        4. 7.4.4.4 半桥 ITRIP 调节
        5. 7.4.4.5 半桥保护和诊断
          1. 7.4.4.5.1 半桥关断状态诊断 (OLP)
          2. 7.4.4.5.2 半桥开路负载检测
          3. 7.4.4.5.3 半桥过流保护
      5. 7.4.5 栅极驱动器
        1. 7.4.5.1 输入 PWM 模式
          1. 7.4.5.1.1 半桥控制
          2. 7.4.5.1.2 H 桥控制
          3. 7.4.5.1.3 DRVOFF - 栅极驱动器关断引脚
        2. 7.4.5.2 智能栅极驱动器 - 功能方框图
          1. 7.4.5.2.1  智能栅极驱动器
          2. 7.4.5.2.2  功能方框图
          3. 7.4.5.2.3  压摆率控制 (IDRIVE)
          4. 7.4.5.2.4  栅极驱动器状态机 (TDRIVE)
            1. 7.4.5.2.4.1 tDRIVE 计算示例
          5. 7.4.5.2.5  传播延迟降低 (PDR)
          6. 7.4.5.2.6  PDR 预充电/预放电控制环路运行详细信息
          7. 7.4.5.2.7  PDR 后充电/后放电控制环路运行详细信息
            1. 7.4.5.2.7.1 PDR 充电后/放电后设置
          8. 7.4.5.2.8  检测驱动和续流 MOSFET
          9. 7.4.5.2.9  自动占空比补偿 (DCC)
          10. 7.4.5.2.10 闭环压摆时间控制 (STC)
            1. 7.4.5.2.10.1 STC 控制环路设置
        3. 7.4.5.3 三倍器（双极）电荷泵
        4. 7.4.5.4 宽共模差分电流分流放大器
        5. 7.4.5.5 栅极驱动器保护电路
          1. 7.4.5.5.1 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
          2. 7.4.5.5.2 栅极驱动器故障 (VGS_GDF)
          3. 7.4.5.5.3 离线短路和开路负载检测（OOL 和 OSC）
      6. 7.4.6 检测输出 (IPROPI)
      7. 7.4.7 保护电路
        1. 7.4.7.1 故障复位 (CLR_FLT)
        2. 7.4.7.2 DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
        3. 7.4.7.3 PVDD 电源欠压监测器 (PVDD_UV)
        4. 7.4.7.4 PVDD 电源过压监测器 (PVDD_OV)
        5. 7.4.7.5 VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
        6. 7.4.7.6 热仪表组
        7. 7.4.7.7 看门狗计时器
        8. 7.4.7.8 故障检测和响应汇总表
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行外设接口 (SPI)
      2. 7.5.2 SPI 格式
      3. 7.5.3 时序图
  9. 8  DRV8000-Q1 寄存器映射
    1. 8.1 DRV8000-Q1_STATUS 寄存器
    2. 8.2 DRV8000-Q1_CNFG 寄存器
    3. 8.3 DRV8000-Q1_CTRL 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 IDRIVE 计算示例
        2. 9.2.2.2 tDRIVE 计算示例
        3. 9.2.2.3 最大 PWM 开关频率
        4. 9.2.2.4 电流分流放大器配置
    3. 9.3 初始化设置
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 确定大容量电容器的大小
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11预量产版修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装选项附录
    2. 12.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

5V ≤ VPVDD ≤ 35V，3.1V ≤ VDVDD ≤ 5.5V，-40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。VPVDD = 13.5V、VDVDD = 5V 且 TJ = 25˚C 时，适用典型限值。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（DVDD、VCP、PVDD）
IPVDDQ PVDD 睡眠模式电流 VPVDD = 13.5V，nSLEEP = 0V -40 ≤ TJ ≤ 85˚C 3.5 5.5 µA
IDVDDQ DVDD 睡眠模式电流 VPVDD = 13.5V，nSLEEP = 0V -40 ≤ TJ ≤ 85˚C 3 4 µA
IPVDD PVDD 活动模式电流 VPVDD = 13.5, nSLEEP = VDVDD 8.7 14.5 mA
IPVDD PVDD 活动模式电流，减少选项。  VPVDD = 13.5，nSLEEP = VDVDD；倍压器模式下的电荷泵。 7 11.5 mA
IDVDD DVDD 活动模式电流 SDO = 0V 5 8.5 mA
IDVDD DVDD 有源模式电流，减少选项 SDO = 0V；倍压器模式下的电荷泵。 3.3 7 mA
IPVDD_CP_DIS PVDD 电荷泵禁用模式电流 VPVDD = 13.5V，DIS_CP = 1，EN_GD = 0，HEAT_EN = 0，EC_ON = 0，OUTx_EN = 0 1.2 4.5 mA
IDVDD_CP_DIS DVDD 电荷泵禁用模式电流 VPVDD = 13.5V，DIS_CP = 1，EN_GD = 0，HEAT_EN = 0，EC_ON = 0，OUTx_EN = 0 3.4 8.5 mA
tWAKE 开通时间 nSLEEP = VDVDD 进入活动模式 670 850 µs
tSLEEP 关断时间 nSLEEP = 0V 进入睡眠模式 1 ms
tDRVOFF_FLTR DRVOFF 信号置位的滤波时间 DRVOFF = 0V 至 VDVDD 15 µs
fVDD 数字振荡器开关频率 展频的主频率  12.83 14.25 15.68 MHz
fVDD 数字振荡器展频范围 中心在初级频率上扩展 -7 7 %
VVCP 相对于 PVDD 的电荷泵稳压器电压 VPVDD ≥ 9V，IVCP ≤ 20mA 9.5 10.5 12.5 V
VVCP 相对于 PVDD 的电荷泵稳压器电压 VPVDD = 7V，IVCP ≤ 15mA 8.5 9 12 V
VVCP 相对于 PVDD 的电荷泵稳压器电压 VPVDD = 5V，IVCP ≤ 12mA 6.8 7.5 11 V
tCP_tran 倍频器模式和三倍器模式之间的电荷泵转换时间 300 µs
tCP_EN 启用命令后的电荷泵导通时间。包括初始化。  500 550 µs
IVCP_LIM 电荷泵输出电流限制 VPVDD = 13.5V，CFLY1 = CFLY2 = 100nF，CVCP = 1µF，电荷泵启动期间的浪涌 500 mA
fVCP 电荷泵开关频率 展频的主频率 400 kHz
逻辑电平输入（INx、nSLEEP、SCLK、SDI 等）
VIL 输入逻辑低电平电压 DRVOFF、GD_INx、PWM1，IPROPI/PWM2、nSLEEP、SCLK、SDI 0.3 VDVDD x 0.3 V
VIH 输入逻辑高电平电压 DRVOFF、GD_INx、PWM1，IPROPI/PWM2、nSLEEP、SCLK、SDI VDVDD x 0.7 5.5 V
VHYS 输入迟滞 DRVOFF、GD_INx、PWM1，IPROPI/PWM2、nSLEEP、SCLK、SDI VDVDD x 0.15 V
IIL 输入逻辑低电平电流 VDIN = 0V、DRVOFF、GD_INx、PWM1、IPROPI/PWM2、nSLEEP、SCLK、SDI -5 5 µA
IIL 输入逻辑低电平电流 VDIN = 0V，nSCS 25 50 µA
IIH 输入逻辑高电流 VDIN = VDVDD，nSCS -5 5 µA
IIH 输入逻辑高电流 V DIN = VDVDD、DRVOFF、GD_INx、PWM1、IPROPI/PWM2、nSLEEP、SCLK、SDI 25 50 µA
RPD 输入下拉电阻 至 GND、DRVOFF、GD_INx、PWM1、IPROPI/PWM2、nSLEEP、SCLK、SDI 140 200 260 kΩ
RPU 输入上拉电阻 至 DVDD，nSCS 140 200 265 kΩ
推挽式输出 SDO
VOL 输出逻辑低电平电压 IOD = 5mA 0.5 V
VOH 输出逻辑高电压 IOD = –5 mA，SDO DVDD x 0.8 V
栅极驱动器（GHx、GLx、SHx、SL）
VGHx_L GHx 低电平输出电压 IDRVN_HS = ISTRONG，IGHx = 1mA，GHx 至 SHx 0 0.25 V
VGLx_L GLx 低电平输出电压 IDRVN_LS = ISTRONG，IGLx = 1mA，GLx 至 SL 0 0.25 V
VGHx_H GHx 高电平输出电压 IDRVP_HS = IHOLD，IGHx = 1mA，VCP 至 GHx 0 0.25 V
VGLx_H GLx 高电平输出电压 IDRVP_LS = IHOLD，IGLx = 1mA，10.5V ≤ VPVDD ≤ VPVDD_OV，GLx 至 SL。如果 VPVDD > VPVDD_OV，栅极驱动器会关闭 9.35 10.5 12.5 V
IDRVP 峰值栅极电流（拉电流） IDRVP_x = 0000b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.2 0.5 0.83 mA
IDRVP_x = 0001b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.5 1 1.6 mA
IDRVP_x = 0010b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 1.3 2 2.8 mA
IDRVP_x = 0011b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 2.1 3 4 mA
IDRVP_x = 0100b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 2.9 4 5.3 mA
IDRVP_x = 0101b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 3.7 5 6.45 mA
IDRVP_x = 0110b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 4.45 6 7.65 mA
IDRVP_x = 0111b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 5.5 7 9 mA
IDRVP_x = 1000b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 5.6 8 10.2 mA
IDRVP_x = 1001b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 8.8 12 15.2 mA
IDRVP_x = 1010b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 11.6 16 20.4 mA
IDRVP_x = 1011b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 16 20 25.4 mA
IDRVP_x = 1100b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 17.6 24 30.4 mA
IDRVP_x = 1101b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 24 31 40 mA
IDRVP_x = 1110b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 28 48 62 mA
IDRVP_x = 1111b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 46 62 78 mA
IDRVN 峰值栅极电流（灌电流） IDRVN_x = 0000b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.07 0.5 0.85 mA
IDRVN_x = 0001b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.23 1 1.7 mA
IDRVN_x = 0010b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 0.7 2 3.2 mA
IDRVN_x = 0011b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 1.2 3 4.6 mA
IDRVN_x = 0100b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 1.75 4 5.9 mA
IDRVN_x = 0101b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 2.4 5 7.2 mA
IDRVN_x = 0110b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 3 6 8.5 mA
IDRVN_x = 0111b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 3.6 7 9.8 mA
IDRVN_x = 1000b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 4.3 8 11 mA
IDRVN_x = 1001b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 7.3 12 16 mA
IDRVN_x = 1010b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 10.6 16 20.4 mA
IDRVN_x = 1011b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 14 20 25.3 mA
IDRVN_x = 1100b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 17.8 24 30.2 mA
IDRVN_x = 1101b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 23.8 31 40.2 mA
IDRVN_x = 1110b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 27 48 63 mA
IDRVN_x = 1111b，VGSx = 3V，VPVDD ≥ 7V 45 62 79 mA
IHOLD 栅极上拉保持电流 栅极保持拉电流，VGSx = 3V 5 16 30 mA
ISTRONG 栅极强下拉电流 VGSx = 3V IDRV = 0.5 至 12mA 30 62 100 mA
ISTRONG 栅极强下拉电流 VGSx = 3V IDRV = 16 至 62mA 45 128 200 mA
RPDSA_LS 低侧半有源栅极下拉电阻 GLx 至 SL，VGSx = 3V 1.8 kΩ
RPDSA_LS 低侧半有源栅极下拉电阻 GLx 至 SL，VGSx = 1V 5 kΩ
RPD_HS 高侧无源栅极下拉电阻 GHx 至 SHx 150 kΩ
RPD_LS 低侧无源栅极下拉电阻 GLx 至 SL 150 kΩ
ISHx 开关节点感测漏电流 进入 SHx，SHx = PVDD < 28V GHx – SHx = 0V，nSLEEP = 0V -5 0 20 µA
栅极驱动器时序（GHx，GLx）
tPDR_LS 低侧上升传播延迟 输入至 GLx 上升 300 850 ns
tPDF_LS 低侧下降传播延迟 输入至 GLx 下降 300 600 ns
tPDR_HS 高侧上升传播延迟 输入至 GHx 上升 300 600 ns
tPDF_HS 高侧下降传播延迟 输入至 GHx 上升 300 600 ns
tDEAD 内部握手死区时间 GLx/GHx 下降 10% 至 GHx/GLx 上升 10% 350 ns
tDEAD_D 可插入的数字死区时间 VGS_TDEAD = 00b，仅握手 0 µs
VGS_TDEAD = 01b 1.6 2 2.4 µs
VGS_TDEAD = 10b 3.4 4 4.6 µs
VGS_TDEAD = 11b 6 8 10 µs
电流分流放大器（SN、SO、SP）
VCOM 共模输入范围 -2 VPVDD + 2 V
GCSA 检测放大器增益 CSA_GAIN = 00b 9.75 10 10.25 V/V
CSA_GAIN = 01b 19.5 20 20.5 V/V
CSA_GAIN = 10b 38.8 40 41.2 V/V
CSA_GAIN = 11b 77.6 80 82.4 V/V
tSET 感测放大器稳定时间至 1% VSO_STEP = 1.5V，GCSA = 10V/V CSO = 60pF 2.2 µs
VSO_STEP = 1.5V，GCSA = 20V/V CSO = 60pF 2.2 µs
VSO_STEP = 1.5V，GCSA = 40V/V CSO = 60pF 2.2 µs
VSO_STEP = 1.5V，GCSA = 80V/V CSO = 60pF 3 µs
tBLK_CSA 检测放大器输出消隐时间
（栅极驱动器 TDRIVE 的百分比）		 CSA_BLK = 000b 0 %
CSA_BLK = 001b 25 %
CSA_BLK = 010b 37.5 %
CSA_BLK = 011b 50 %
CSA_BLK = 100b 62.5 %
CSA_BLK = 101b 75 %
CSA_BLK = 110b 87.5 %
CSA_BLK = 111b 100 %
tSLEW_CSA 输出压摆率 CSO = 60pF 2.5 V/µs
VBIAS 输出电压偏置比 VSPx = VSNx = 0V，CSA_DIV = 0b VDVDD / 2 V
VSPx = VSNx = 0V，CSA_DIV = 1b VDVDD / 8 V
VLINEAR 线性输出电压范围 VDVDD = 3.3V = 5V 0.25 VDVDD – 0.25 V
VOFF 输入偏移电压 VSPx = VSNx = 0V，TJ = 25℃ -1 1 mV
VOFF_D 输入失调电压漂移 VSPx = VSNx = 0V ±10 ±25 µV/˚C
IBIAS 输入偏置电流 VSPx = VSNx = 0V 100 µA
IBIAS_OFF 输入偏置电流失调 ISPx - ISNx 100 µA
CMRR 共模抑制比 直流，–40 ≤ TJ ≤ 125˚C 72 90 dB
直流，–40 ≤ TJ ≤ 150˚C 69 90 dB
20kHz 80 dB
PSRR 电源抑制比 PVDD 至 SOx，直流 100 dB
PVDD 至 SOx，20kHz 90 dB
PVDD 至 SOx，400kHz 70 dB
栅极驱动器保护电路
VCP_UV 电荷泵欠压阈值 VVCP - VPVDD，VVCP 下降 VCP_UV_MODE = 0b 4 4.75 5.5 V
VVCP - VPVDD，VVCP 下降 VCP_UV_MODE = 1b 5.5 6.25 7 V
tCP_UV_DG 电荷泵欠压抗尖峰脉冲时间 8 10 12.75 µs
VCP_SO 电荷泵三倍器至倍压器切换阈值 VPVDD 上升 17.75 18.75 19.75 V
VCP_SO 电荷泵三倍器至倍压器切换阈值 VPVDD 下降 16.75 17.75 18.75 V
tCP_SO_HYS 电荷泵三倍器至倍压器切换迟滞 1.15 V
tCP_SO_DG 电荷泵三倍器至倍压器切换阈值抗尖峰脉冲 8 10 12.75 µs
VGS_CLP 高侧驱动器 VGS 保护钳位 12.5 15 17 V
VGS_LVL 栅极电压监控阈值 VGHx – VSHx，VGLx – VPGND，VGS_LVL = 0b 1.1 1.4 1.75 V
VGHx – VSHx，VGLx – VPGND，VGS_LVL = 1b 0.75 1 1.2 V
tGS_FLT_DG VGS 故障监控抗尖峰脉冲时间 1.5 2 2.75 µs
tGS_HS_DG VGS 握手监控抗尖峰脉冲时间 210 ns
tDRIVE VGS 和 VDS 监控消隐时间 VGS_TDRV = 000b 1.5 2 2.5 µs
VGS_TDRV = 001b 3.25 4 4.75 µs
VGS_TDRV = 010b 6 8 10 µs
VGS_TDRV = 011b 10 12 14 µs
VGS_TDRV = 100b 14 16 18 µs
VGS_TDRV = 101b 20 24 28 µs
VGS_TDRV = 110b 28 32 36 µs
VGS_TDRV = 111b 80 96 120 µs
VDS_LVL VDS 过流保护阈值
（DRV800x-Q1 独立半桥模式）		 VDS_LVL_x = 0000b，BRG_MODE = 00b 0.050 0.062 0.074 V
VDS_LVL_x = 0001b，BRG_MODE = 00b 0.070 0.084 0.098 V
VDS_LVL_x = 0010b，BRG_MODE = 00b 0.089 0.105 0.123 V
VDS_LVL_x = 0011b，BRG_MODE = 00b 0.108 0.127 0.147 V
VDS_LVL_x = 0100b，BRG_MODE = 00b 0.128 0.148 0.170 V
VDS_LVL_x = 0101b，BRG_MODE = 00b 0.147 0.169 0.195 V
VDS_LVL_x = 0110b，BRG_MODE = 00b 0.166 0.191 0.218 V
VDS_LVL_x = 0111b，BRG_MODE = 00b 0.185 0.212 0.243 V
VDS_LVL_x = 1000b，BRG_MODE = 00b 0.278 0.318 0.363 V
VDS_LVL_x = 1001b，BRG_MODE = 00b 0.372 0.425 0.483 V
VDS_LVL_x = 1010b，BRG_MODE = 00b 0.466 0.532 0.605 V
VDS_LVL_x = 1011b，BRG_MODE = 00b 0.562 0.638 0.725 V
VDS_LVL_x = 1100b，BRG_MODE = 00b 0.655 0.745 0.847 V
VDS_LVL_x = 1101b，BRG_MODE = 00b 0.942 1.066 1.208 V
VDS_LVL_x = 1110b，BRG_MODE = 00b 1.322 1.494 1.692 V
VDS_LVL_x = 1111b，BRG_MODE = 00b 1.890 2.132 2.411 V
VDS_LVL VDS 过流保护阈值
（DRV800x-Q1 H 桥模式，VDS_LVLx 设置匹配，DRV800xE-Q1 所有模式）		 VDS_LVL_x = 0000b 0.051 0.06 0.069 V
VDS_LVL_x = 0001b 0.068 0.08 0.092 V
VDS_LVL_x = 0010b 0.085 0.10 0.115 V
VDS_LVL_x = 0011b 0.102 0.12 0.138 V
VDS_LVL_x = 0100b 0.119 0.14 0.161 V
VDS_LVL_x = 0101b 0.136 0.16 0.184 V
VDS_LVL_x = 0110b 0.153 0.18 0.207 V
VDS_LVL_x = 0111b 0.17 0.2 0.23 V
VDS_LVL_x = 1000b 0.255 0.3 0.345 V
VDS_LVL_x = 1001b 0.35 0.4 0.45 V
VDS_LVL_x = 1010b 0.44 0.5 0.56 V
VDS_LVL_x = 1011b 0.52 0.6 0.68 V
VDS_LVL_x = 1100b 0.61 0.7 0.79 V
VDS_LVL_x = 1101b 0.88 1 1.12 V
VDS_LVL_x = 1110b 1.2 1.4 1.6 V
VDS_LVL_x = 1111b 1.75 2 2.25 V
tDS_DG VDS 过流保护抗尖峰脉冲时间 VDS_DG = 00b 0.75 1 1.5 µs
VDS_DG = 01b 1.5 2 2.5 µs
VDS_DG = 10b 3.25 4 4.75 µs
VDS_DG = 11b 6 8 10 µs
IOLD_PU 离线诊断电流源 上拉电流 3.5 mA
IOLD_PD 离线诊断电流源 下拉电流 4 mA
ROLD 离线开路负载电阻检测阈值 VDS_LVL = 1.4V，5V ≤ VPVDD ≤ 18V 22 50 kΩ
VDS_LVL = 1.4V，5V ≤ VPVDD ≤ 37V 22 105 kΩ
VDS_LVL = 2V，5V ≤ VPVDD ≤ 18V 10 25 kΩ
VDS_LVL = 2V，5V ≤ VPVDD ≤ 37V 10 50 kΩ
加热器 MOSFET 驱动器
IGH_HS_HEAT 平均充电电流 TJ = 25°C 50 mA
RGL_HEAT 导通电阻（放电阶段） TJ = 25°C 15 20 25 Ω
RGL_HEAT 导通电阻（放电阶段） TJ = 125°C 28 36 Ω
VGH_HS_HIGH GH_HS 高电平输出电压 VPVDD = 5V；ICP = 15mA VSH_HS + 6 V
VGH_HS_HIGH GH_HS 高电平输出电压 VPVDD = 13.5V；ICP = 15mA VSH_HS + 8 VSH_HS + 10 VSH_HS + 11.5 V
IHEAT_SH_STBY_LK SH_HS 泄漏电流待机 25 µA
RGS_HEAT 无源栅极钳位电阻 150 kΩ
tPDR_GH_HS GH_HS 上升传播延迟  VPVDD = 13.5V；RG = 0Ω；CG = 2.7nF 0.6 µs
tPDF_GH_HS GH_HS 下降传播延迟 VPVDD = 13.5 V; VSH_HS = 0 V; RG = 0 Ω; CG = 2.7 nF 0.5 µs
tRISE_GH_HS 上升时间（开关模式） VPVDD = 13.5 V; VSH_HS = 0 V; RG = 0 Ω; CG = 2.7 nF 300 ns
tFALL_GH_HS 下降时间（开关模式） VPVDD = 13.5V；VSH_HS = 0V；RG = 0Ω；CG = 2.7nF 170 ns
加热器保护电路
VDS_LVL_HEAT 加热器 MOSFET 的 VDS 过流保护阈值电平 HEAT_VDS_LVL = 0000b 0.050 0.06 0.07 V
HEAT_VDS_LVL = 0001b 0.067 0.08 0.093 V
HEAT_VDS_LVL = 0010b 0.085 0.10 0.115 V
HEAT_VDS_LVL = 0011b 0.102 0.12 0.138 V
HEAT_VDS_LVL = 0100b 0.119 0.14 0.161 V
HEAT_VDS_LVL = 0101b 0.136 0.16 0.184 V
HEAT_VDS_LVL = 0110b 0.153 0.18 0.207 V
HEAT_VDS_LVL = 0111b 0.17 0.2 0.23 V
HEAT_VDS_LVL = 1000b 0.204 0.240 0.276 V
HEAT_VDS_LVL = 1001b 0.238 0.280 0.322 V
HEAT_VDS_LVL = 1010b 0.272 0.320 0.368 V
HEAT_VDS_LVL = 1011b 0.306 0.360 0.414 V
HEAT_VDS_LVL = 1100b 0.340 0.400 0.460 V
HEAT_VDS_LVL = 1101b 0.374 0.440 0.506 V
HEAT_VDS_LVL = 1110b 0.476 0.560 0.644 V
HEAT_VDS_LVL = 1111b 0.85 1 1.15 V
tDS_HEAT_DG VDS 过流保护抗尖峰脉冲时间 HEAT_VDS_DG = 00b 0.75 1 1.5 µs
HEAT_VDS_DG = 01b 1.5 2 2.5 µs
HEAT_VDS_DG = 10b 3.25 4 4.75 µs
HEAT_VDS_DG = 11b 6 8 10 µs
tDS_HEAT_BLK VDS 过流保护消隐时间 HEAT_VDS_BLK = 00b 3.25 4 4.75 µs
HEAT_VDS_BLK = 01b 6 8 10 µs
HEAT_VDS_BLK = 10b 13 16 19 µs
HEAT_VDS_BLK = 11b 27 32 37 µs
VOL_HEAT 开路负载阈值电压 VSH_HS = 0V 1.8 2 2.2 V
IOL_HEAT 上拉电流源开路负载诊断已激活 VSH_HS = 0V；VSHheater = 4.5V 1 mA
tOL_HEAT 加热器 MOSFET 的开路负载滤波时间 2 ms
电致变色驱动器
RDSON ECFB 用于 EC 放电的低侧 MOSFET 导通电阻 VPVDD = 13.5V；TJ = 25˚C；IECFB = ±0.25A
ECFB_LS_EN = 1b		 1375 mΩ
RDSON ECFB 用于 EC 放电的低侧 MOSFET 导通电阻 VPVDD = 13.5V；TJ = 150˚C；IECFB = ±0.125A
ECFB_LS_EN = 1b		 2500 mΩ
IOC_ECFB 低侧 MOSFET 的过流阈值 VPVDD = 13.5V；IECFB 电流（灌电流） 0.5 1 A
tDG_OC_ECFB 过流关断抗尖峰脉冲时间 VPVDD <20V；IECFB 电流（灌电流） 40 µs
VPVDD >20V，IECFB 电流（灌电流） 15
µs
dVECFB/dt ECFB 低侧 MOSFET 的转换率 VPVDD = 13.5V，Rload = 64Ω 至 PVDD 7 V/µs
IOL_ECFB_LS 放电期间 EC 的开路负载检测阈值 EC_OLEN = 1b，ECFB_LS_EN = 1b 10 20 32 mA
tDG_OL_ECFB_LS 开路负载检测抗尖峰脉冲时间 EC_OLEN = 1b，ECFB_LS_EN = 1b 400 600 µs
VEC_CTRLmax ECFB 的最大 EC 控制电压目标 ECFB_MAX = 1b 1.4 1.6 V
VEC_CTRLmax ECFB 的最大 EC 控制电压目标 ECFB_MAX = 0b 1.12 1.28 V
VEC_res ECFB 可调电压的最小分辨率 EC_ON = 1b 23.8 mV
DNLECFB 微分非线性 EC_ON = 1b -2 2 LSB
|dVECFB| 目标和 ECFB 之间的电压偏差 Vtarget = 23.8mV，dVECFB=Vtarget - VECFB；|IECDRV| < 1µA –5% (–1LSB) +5% (+1LSB) mV
|dVECFB| 目标和 ECFB 之间的电压偏差 Vtarget = 1.5V，dVECFB=Vtarget - VECFB；|IECDRV| < 1µA –5% (–1LSB) +5% (+1LSB) mV
VECFB_HI 表示 ECFB 上的电压高于目标 EC_ON = 1b Vtarget + 0.12 V
VECFB_LO 表示 ECFB 上的电压低于目标 EC_ON = 1b Vtarget – 0.12 V
tFT_ECFB ECFB 高电平/低电平标志的滤波时间 EC_ON = 1b 32 µs
tBLK_ECFB EC 调节标志的消隐时间 任何 EC 目标电压变化 200 250 300 µs
VECFB_OV_TH ECFB 上的过压阈值 ECFB_OV_MODE = 01b 或 10b，EC_ON = 1b 3 V
tECFB_OV_DG ECFB 上的过压标志抗尖峰脉冲时间 ECFB_OV_MODE = 01b 或 10b，ECFB_OV_DG = 00b 16 20 24 µs
ECFB_OV_MODE = 01b 或 10b，ECFB_OV_DG = 01b 40 50 60 µs
ECFB_OV_MODE = 01b 或 10b，ECFB_OV_DG = 10b 80 100 120 µs
ECFB_OV_MODE = 01b 或 10b，ECFB_OV_DG = 11b 160 200 240 µs
VECDRVminHIGH EC_ON = 1 时 ECDRV 的输出电压范围 IECDRV = -10µA 4.5 6.5 V
VECDRVmaxLOW EC_ON = 0 时 ECDRV 的输出电压范围 IECDRV = 10µA 0 0.7 V
IECDRV 流入 ECDRV 的电流 Vtarget > VECFB + 500mV；
VECDRV = 3.5V		 -730 -80 µA
IECDRV 流入 ECDRV 的电流 Vtarget < VECFB - 500mV；
VECDRV = 1.0V；
Vtarget = 1 LSB；VECFB = 0.5V		 150 350 µA
RECDRV_DIS 快速放电模式下 ECDRV 上的下拉电阻 VECDRV = 0.7V；EC 使能，然后 EC<5:0> = 0 或 EC 禁用 11 kΩ
tDISCHARGE 自动放电脉冲宽度 ECFB_LS_PWM = 1b，ECFB_LS_EN = 1b 240 300 360 ms
tECFB_DISC_BLK 自动放电消隐时间 ECFB_LS_PWM = 1b，ECFB_LS_EN = 1b 2.25 3 3.75 ms
VDISC_TH PWM 放电电平 VECDRV ECFB_LS_PWM = 1b，ECFB_LS_EN = 1b 335 400 465 mV
VDISC_TH_DIFF PWM 放电阈值电平 VECDRV - VECFB ECFB_LS_PWM = 1b，ECFB_LS_EN = 1b -50 0 50 mV
VECFB_OLP_TH ECFB 上的开路负载检测阈值 EC_EN = 0b，EC_DIAG = 10b 2 V
IECFB_OLP 开路负载检测期间流入 ECFB 的电流 EC_EN = 0b，EC_DIAG = 10b 0.5 mA
tECFB_OLP ECFB 的开路负载滤波时间 EC_ON=0b，ECFB_DIAG=10b 2 3 4 ms
VECFB_SC_TH ECFB 上的短路检测阈值 EC_EN = 0b，EC_DIAG = 01b，ECFB_SC_RSEL=00b 25 mV
EC_EN = 0b，EC_DIAG = 01b，ECFB_SC_RSEL=01b 50 mV
EC_EN = 0b，EC_DIAG = 01b，ECFB_SC_RSEL=10b 100 mV
EC_EN = 0b，EC_DIAG = 01b，ECFB_SC_RSEL=11b 150 mV
IECFB_SC 短路检测期间流入 ECFB 的电流 EC_EN = 0b，EC_DIAG = 01b 50 mA
tECFB_SC ECFB 的短路诊断滤波器时间 EC_ON=0b，ECFB_DIAG=01b 2 3 4 ms
半桥驱动器
RON_OUT1,2_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 1A，TJ = 25˚C 775 mΩ
IOUT = 0.5A，TJ = 150˚C 1480 mΩ
RON_OUT1,2_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 1A，TJ = 25˚C 765 mΩ
IOUT = 0.5A，TJ = 150˚C 1460 mΩ
RON_OUT3,4_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 4A，TJ = 25˚C 220 mΩ
IOUT = 2A，TJ = 150˚C 450 mΩ
RON_OUT3,4_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 4A，TJ = 25˚C 220 mΩ
IOUT = 2A，TJ = 150˚C 450 mΩ
RON_OUT5_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 8A，TJ = 25˚C 80 mΩ
IOUT = 4A，TJ = 150˚C 160 mΩ
RON_OUT5_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 8A，TJ = 25˚C 75 mΩ
IOUT = 4A，TJ = 150˚C 150 mΩ
RON_OUT6_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 7A，TJ = 25˚C 90 mΩ
RON_OUT6_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 3.5A，TJ = 150˚C 180 mΩ
RON_OUT6_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 7A，TJ = 25˚C 95 mΩ
RON_OUT6_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 IOUT = 3.5A，TJ = 150˚C 190 mΩ
SROUT_HB 所有半桥 OUTx 的输出电压上升/下降时间，10% - 90% PVDD = 13.5V；OUTx_SR = 00b 1.6 V/µs
SROUT_HB 所有半桥 OUTx 的输出电压上升/下降时间，10% - 90% PVDD = 13.5V；OUTx_SR = 01b 13.5 V/µs
SROUT_HB 所有半桥 OUTx 的输出电压上升/下降时间，10% - 90% PVDD = 13.5V；OUTx_SR = 10b 24 V/µs
tPD_OUT_HB_HS_R HS 输出电压上升期间的传播时间 ON 命令或 INx（SPI 最后一次转换）至 OUTx 10% 电压上升（任何 SR 设置） 2 10 µs
tPD_OUT_HB_HS_F HS 输出电压下降期间的传播时间 ON 命令或 INx（SPI 最后一次转换）至 OUTx 10% 电压下降（任何 SR 设置） 1.5 11 µs
tPD_OUT_HB_LS_R LS 输出电压上升期间的传播时间 ON 命令或 INx（SPI 最后一次转换）至 OUTx 10% 电压上升（任何 SR 设置） 1.5 10 µs
tPD_OUT_HB_LS_F LS 输出电压下降期间的传播时间 ON 命令或 INx（SPI 最后一次转换）至 OUTx 10% 电压下降（任何 SR 设置） 1.5 10 µs
tDEAD_HS_ON HS 输出电压上升期间的死区时间 PVDD = 13.5V；OUTx_ITRIP_LVL = 00b，所有 SR 1 6 µs
tDEAD_HS_OFF HS 输出电压下降期间的死区时间 PVDD = 13.5V；OUTx_ITRIP_LVL = 00b，所有 SR 1 6 µs
tDEAD_LS_ON LS 输出电压上升期间的死区时间 PVDD = 13.5V；OUTx_ITRIP_LVL = 00b，所有 SR 1 7 µs
tDEAD_LS_OFF LS 输出电压下降期间的死区时间 PVDD = 13.5V；OUTx_ITRIP_LVL = 00b，所有 SR 1.7 14 µs
半桥保护电路
IOCP_OUT1,2 过流保护阈值 1.2 2.2 A
IOCP_OUT3,4 过流保护阈值 4 8 A
IOCP_OUT5 过流保护阈值 8 16 A
IOCP_OUT6 过流保护阈值 7 13 A
tDG_OCP_HB 半桥驱动器中的过流保护抗尖峰脉冲时间 OUTX_OCP_DG = 00b 4.5 6 7.3 µs
OUTX_OCP_DG = 01b 8 10 12 µs
OUTX_OCP_DG = 10b 12 15 18 µs
OUTX_OCP_DG = 11b 48 60 72 µs
IITRIP_OUT1,2 用于触发 OUT1 和 OUT2 的 ITRIP 调节的电流阈值 OUT1_ITRIP_LVL = 1b 且 OUT2_ITRIP_LVL = 1b 0.65 1.1 A
OUT1_ITRIP_LVL = 0b 且 OUT2_ITRIP_LVL = 0b 0.5 0.9 A
IITRIP_OUT3,4 用于触发 OUT3 和 OUT4 的 ITRIP 调节的电流阈值 OUT3_ITRIP_LVL = 10b 且 OUT4_ITRIP_LVL = 10b 2.9 4.1 A
OUT3_ITRIP_LVL = 01b 且 OUT4_ITRIP_LVL = 01b 1.6 3.25 A
OUT3_ITRIP_LVL = 00b 且 OUT4_ITRIP_LVL = 00b 1 1.6 A
IITRIP_OUT5 用于触发 OUT5 的 ITRIP 调节的电流阈值 OUT5_ITRIP_LVL = 10b 6.65 8.95 A
OUT5_ITRIP_LVL = 01b 5.65 7.8 A
OUT5_ITRIP_LVL = 00b 2.5 3.4 A
IITRIP_OUT6 用于触发 OUT6 的 ITRIP 调节的电流阈值 OUT6_ITRIP_LVL = 10b 5.35 7.35 A
IITRIP_OUT6 用于触发 OUT6 的 ITRIP 调节的电流阈值 OUT6_ITRIP_LVL = 01b 4.65 6.4 A
IITRIP_OUT6 用于触发 OUT6 的 ITRIP 调节的电流阈值 OUT6_ITRIP_LVL = 00b 1.75 2.75 A
fITRIP_HB 半桥驱动器的 ITRIP 调节的固定频率 OUTX_ITRIP_FREQ = 00b 17 20 23 kHz
OUTX_ITRIP_FREQ = 01b 8 10 12 kHz
OUTX_ITRIP_FREQ = 10b 4 5 6 kHz
OUTX_ITRIP_FREQ = 11b 2 2.5 3 kHz
tDG_ITRIP_HB 半桥驱动器的 ITRIP 调节抗尖峰脉冲时间 OUTX_ITRIP_DG = 00b 1.5 2 2.5 µs
OUTX_ITRIP_DG = 01b 4 5 6 µs
OUTX_ITRIP_DG = 10b 8 10 12 µs
OUTX_ITRIP_DG = 11b 16 20 24 µs
IOLA_OUT1,2 半桥 1 和 2 的欠流阈值 6 20 30 mA
IOLA_OUT3,4 半桥 3 和 4 的欠流阈值 15 50 90 mA
IOLA_OUT5 半桥 5 的欠流阈值 40 150 300 mA
IOLA_OUT6 半桥 6 的欠流阈值 30 120 240 mA
tOLA_HB 半桥开路负载信号的滤波时间 用于将状态位置位的开路负载条件的持续时间 10 ms
AIPROPI1,2 OUT1-2 的电流比例因子 650 A/A
AIPROPI3,4 OUT3-4 的电流比例因子 1940 A/A
AIPROPI5 OUT5 的电流比例因子 4000 A/A
AIPROPI6 OUT6 的电流比例因子 3500 A/A
IACC_1,2 OUT1-2 的电流检测输出精度 0.1A < IOUT1,2 < 0.25A -15 15 %
0.25A < IOUT1,2 < 0.5A -10 10 %
0.5A < IOUT1,2 < 1A -8 8 %
IACC_3,4 OUT3-4 的电流检测输出精度 0.1A < IOUT3,4 < 0.5A -15 15 %
0.5A < IOUT3,4 < 1A -12 12 %
1A < IOUT3,4 < 2A -10 10 %
2A < IOUT3,4 < 4A -8.5 8.5 %
IACC_5 OUT5 的电流检测输出精度 0.1A < IOUT5 < 0.8A -40 40 %
IACC_5 0.8A < IOUT5 < 2A -12 12 %
IACC_5 2A < IOUT5 < 4A -10 10 %
IACC_5 4A < IOUT5 < 8A -8 8 %
IACC_6 OUT6 的电流检测输出错误 0.1A < IOUT6 < 0.8A -40 40 %
IACC_6 0.8A < IOUT6 < 2A -12 12 %
IACC_6 2A < IOUT6 < 4A -10 10 %
IACC_6 4A < IOUT6 < 8A -8 8 %
RS_GND OLP 期间，检测到 OUTx 与 GND 之间的电阻阈值 VDVDD = 5V，VOLP_REF = 2.65V，OUTX_CNFG = 0b，HB_OLP_CNFG > 0b 和 HB_OLP_SEL > 0b 1 3 kΩ
RS_PVDD OLP 期间，检测到 OUTx 与 PVDD 之间的电阻阈值 VPVDD = 13.5V，VDVDD = 5V，VOLP_REF = 2.65V，OUTX_CNFG = 0b，HB_OLP_CNFG > 0b 且 HB_OLP_SEL > 0b 3 15 kΩ
RS_PVDD OLP 期间，检测到 OUTx 与 PVDD 之间的电阻阈值 5V ≤ VPVDD ≤ 35V，VDVDD = 5V，VOLP_REF = 2.65V，OUTX_CNFG = 0b，HB_OLP_CNFG > 0b 且 HB_OLP_SEL > 0b 1 40 kΩ
ROPEN_HB 检测到 OUTx 上的电阻阈值为开路 VDVDD = 5V，VOLP_REF = 2.65V，OUTX_CNFG = 0b，HB_OLP_CNFG > 0b 和 HB_OLP_SEL > 0b 35 1500 Ω
VOLP_REFH OLP 比较器基准电平高 OUTX_CNFG = 0b，HB_OLP_CNFG > 0b 且 HB_OLP_SEL > 0b
 		 2.65 V
VOLP_REFL OLP 比较器基准电平低 OUTX_CNFG = 0b，HB_OLP_CNFG > 0b 且 HB_OLP_SEL > 0b
 		 2 V
ROLP_PU OLP 期间 OUTx 至 VDD 的内部上拉电阻 OUTX_CNFG = 0b，HB_OLP_CNFG > 0b 且 HB_OLP_SEL > 0b
 		 1 kΩ
ROLP_PD OLP 期间 OUTx 至 VDD 的内部上拉电阻 OUTX_CNFG = 0b，HB_OLP_CNFG > 0b 且 HB_OLP_SEL > 0b
 		 1 kΩ
高侧驱动器
RDSON OUT7（低 RDSON 模式） 低电阻模式下的高侧 MOSFET 导通电阻 TJ = 25˚C；IOUT7 = ±0.5A 400 mΩ
TJ = 150˚C；IOUT7 = ±0.25A 730 mΩ
RDSON OUT7（高 RDSON 模式） 高电阻模式下的高侧 MOSFET 导通电阻 TJ = 25˚C；IOUT8 = ±0.25A 1200 mΩ
TJ  = 150˚C；IOUT8 = ±0.125A 2200 mΩ
RDSON OUT8 高侧 MOSFET 导通电阻 TJ = 25˚C；IOUT8 = ±0.25A 1200 mΩ
TJ  = 150˚C；IOUT8 = ±0.125A 2200 mΩ
RDSON OUT9 高侧 MOSFET 导通电阻 TJ = 25˚C；IOUT9 = ±0.25A 1200 mΩ
TJ = 150˚C；IOUT9 = ±0.125A 2200 mΩ
RDSON OUT10 高侧 MOSFET 导通电阻 TJ = 25˚C；IOUT10 = ±0.25A 1200 mΩ
TJ = 150˚C；IOUT10 = ±0.125A 2200 mΩ
RDSON OUT11 高侧 MOSFET 导通电阻 TJ = 25˚C；IOUT11 = ±0.25A 1200 mΩ
TJ = 150˚C；IOUT11 = ±0.125A 2200 mΩ
RDSON OUT12 高侧 MOSFET 导通电阻 TJ = 25˚C；IOUT12 = ±0.25A 1200 mΩ
TJ = 150˚C；IOUT12 = ±0.125A 2200 mΩ
SRHS_OUT7_HI OUT7 高 RDSON 模式的压摆率（最终 OUT 值的 10% 至 90%） OUT7_RDSON_MODE = 0b，PVDD = 13.5V，Rload = 64Ω 0.35 V/µs
SRHS_OUT7_LO OUT7 低 RDSON 模式的压摆率（最终 OUT 值的 10% 至 90%） OUT7_RDSON_MODE = 1b，PVDD = 13.5V，Rload = 16Ω。 0.29 V/µs
SRHS OUT8 –OUT12 的压摆率（最终 OUT 值的 10% 至 90%） PVDD = 13.5V，Rload 64Ω 1.6 V/µs
tPD_OUT7_HI_ON OUT7 高 RDSON 模式
的上升传播延迟时间驱动器（高侧导通命令（SPI 最后一次转换）到 OUT7 最终值的 10% 之间的延迟）		 OUT7_RDSON_MODE = 0b，PVDD=13.5V，Rload = 64Ω 16 µs
tPD_OUT7_HI_OFF OUT7 高 RDSON 模式
的下降传播延迟时间驱动器（高侧关断命令（SPI 最后一次转换）到 OUT7 最终值的 90% 之间的延迟）		 OUT7_RDSON_MODE = 0b，PVDD=13.5V，Rload = 64Ω 16 µs
tPD_OUT7_LO_ON OUT7 低 RDSON 模式的上升传播延迟时间驱动器（高侧导通命令（SPI 最后一次转换）到 OUT7 最终值的 10% 之间的延迟） OUT7_RDSON_MODE = 1b，PVDD=13.5V，Rload = 16Ω 19 µs
tPD_OUT7_LO_OFF OUT7 低 RDSON 模式
的下降传播延迟时间驱动器（高侧关断命令（SPI 最后一次转换）到 OUT7 最终值的 90% 之间的延迟）		 OUT7_RDSON_MODE = 1b，PVDD=13.5V，Rload = 16Ω 19 µs
tPD_HS_ON 高侧驱动器 OUT8 – OUT12 的上升传播延迟时间驱动器
（高侧导通命令（SPI 最后一次转换）到最终 OUTx 值的 10% 之间的延迟）		 PVDD= 13.5V，Rload = 64Ω 4 µs
tPD_HS_OFF 高侧驱动器 OUT8 – OUT12 的下降传播延迟时间驱动器
（高侧关断命令（SPI 最后一次转换）到最终 OUTx 值的 90% 之间的延迟）		 PVDD= 13.5V，Rload = 64Ω 4 µs
fPWMx(00) PWM 开关频率 PWM_OUTX_FREQ = 00b 78 108 138 Hz
fPWMx(01) PWM 开关频率 PWM_OUTX_FREQ = 01b 157 217 277 Hz
fPWMx(10) PWM 开关频率 PWM_OUTX_FREQ = 10b 229 289 359 Hz
fPWMx(11) PWM 开关频率 PWM_OUTX_FREQ = 11b 374 434 494 Hz
ILEAK_H OUT7-12 的高侧驱动器关断输出电流 VOUT = 0V；待机模式 -10 µA
高侧驱动器保护电路
IOC7 高 RDSON 模式下的过流阈值 OUT7_RDSON_MODE = 0b 500 1000 mA
低 RDSON 模式下的过流阈值 OUT7_RDSON_MODE = 1b 1500 3000 mA
IOC8、IOC9、IOC10、IOC11、IOC12 过流阈值 OUT8 - OUT12 OUTX_OC_TH = 0b 250 500 mA
OUTX_OC_TH = 1b 500 1000 mA
ICCM_OUT7 高侧驱动器 OUT7 高 RDSON 的恒定电流电平 OUT7_RDSON_MODE = 0b，OUT7_CCM_EN = 1b，OUT7_CCM_TO = 0b 180 250 330 mA
OUT7_RDSON_MODE = 0b，OUT7_CCM_EN = 1b，OUT7_CCM_TO = 1b 240 330 420 mA
ICCM_OUT7 高侧驱动器 OUT7 低 RDSON 的恒定电流电平 OUT7_RDSON_MODE = 1b，OUT7_CCM_EN = 1b，OUT7_CCM_TO = 0b 210 360 530 mA
ICCM_OUT7 高侧驱动器 OUT7 低 RDSON 的恒定电流电平 OUT7_RDSON_MODE = 1b，OUT7_CCM_EN = 1b，OUT7_CCM_TO = 1b 250 450 650 mA
ICCM 高侧驱动器 OUT8-12 的恒定电流电平 OUTX_CCM_EN = 1b，OUTX_CCM_TO = 0b 240 350 450 mA
OUTX_CCM_EN = 1b，OUTX_CCM_TO = 1b 320 450 580 mA
tCCMto 恒定电流模式时间到期 OUTX_CCM_EN = 1b 8 10 12 ms
VSC_DET OUT7-12 上的短路检测电压 2 V
tSC_BLK OUT7-12 中短路检测、ITRIP 调节和过流保护的消隐时间 40 µs
t_HS_DG_OUT7 OUT7 中短路检测、ITRIP 调节和过流保护的抗尖峰脉冲时间 OUT7_ITRIP_DG = 00b，PVDD≤20V 39 48 59 µs
OUT7_ITRIP_DG = 01b，PVDD≤20V 32 40 48 µs
OUT7_ITRIP_DG = 10b，PVDD≤20V 26 32 38 µs
OUT7_ITRIP_DG = 11b，PVDD≤20V 19 24 29 µs
PVDD > 20V 8 10 13 µs
fITRIP_HS_OUT7 高侧驱动器 OUT7 的 ITRIP 频率 OUT7_ITRIP_FREQ = 00b 1.7 kHz
OUT7_ITRIP_FREQ = 01b 2.2 kHz
OUT7_ITRIP_FREQ = 10b 3 kHz
OUT7_ITRIP_FREQ = 11b 4.4 kHz
t_HS_DG_OUTx OUT8-12 中短路检测、ITRIP 调节和过流保护的抗尖峰脉冲时间 OUTX_ITRIP_DG = 00b，PVDD≤20V 39 48 59 µs
OUTX_ITRIP_DG = 01b，PVDD≤20V 32 40 48 µs
OUTX_ITRIP_DG = 10b，PVDD≤20V 26 32 38 µs
OUTX_ITRIP_DG = 11b，PVDD≤20V 19 24 29 µs
PVDD > 20V 8 10 13 µs
fITRIP_HS_OUTX 高侧驱动器 OUT8-12 的 ITRIP 频率 HS_OUT_ITRIP_FREQ=00b 1.7 kHz
HS_OUT_ITRIP_FREQ=01b 2.2 kHz
HS_OUT_ITRIP_FREQ=10b 3 kHz
HS_OUT_ITRIP_FREQ=11b 4.4 kHz
IOLD7 OUT7 的开路负载阈值 OUT7_RDSON_MODE = 1b 15 30 mA
OUT7 的开路负载阈值 OUT7_RDSON_MODE = 0b 5 10 mA
IOLD8、IOLD9、IOLD10、IOLD11、IOLD12 OUT8 - OUT12 的开路负载阈值 OUTX_OLA_TH = 0b 1.3 3.3 mA
OUTX_OLA_TH = 1b 4 12 mA
tOLD_HS 高侧驱动器的开路负载信号滤波时间 用于将状态位置位的开路负载条件的持续时间 200 250 µs
AIPROPI7_HI 高导通电阻模式下 OUT7 的电流比例因子 OUT7_RDSON_MODE = 0b 250 A/A
AIPROPI7_LO 低导通电阻模式下 OUT7 的电流比例因子 OUT7_RDSON_MODE = 1b 750 A/A
AIPROPI8、AIPROPI9、AIPROPI10、AIPROPI11、AIPROPI12、  OUT8-12 的电流比例因子 250 A/A
IACC_7_HI_RDSON 高 RDSON 模式下 OUT7 的电流检测输出精度 0.1A < IOUT7 < 0.5A -18 18 %
IACC_7_HI_RDSON 高 RDSON 模式下 OUT7 的电流检测输出精度 IOUT7 = 0.25A -10 10 %
IACC_7_HI_RDSON 高 RDSON 模式下 OUT7 的电流检测输出精度 IOUT7 = 0.5A -9 9 %
IACC_7_LOW_RDSON 低 RDSON 模式下 OUT7 的电流检测输出精度 0.5A < IOUT7 < 1.5A -14 14 %
IACC_7_LOW_RDSON 低 RDSON 模式下 OUT7 的电流检测输出精度 IOUT7 = 1A -8 8 %
IACC_7_LOW_RDSON 低 RDSON 模式下 OUT7 的电流检测输出精度 IOUT7 = 1.5A -6 6 %
IACC_8-12_LO 低电流 OUT8-12 的电流检测输出精度 0.05A < IOUT8-12 < 0.1A -28 28 %
IACC_8-12_LO 低电流 OUT8-12 的电流检测输出精度  IOUT8-12 < 0.075A -20 20 %
IACC_8-12_LO 低电流 OUT8-12 的电流检测输出精度  IOUT8-12 < 0.1A -18 18 %
IACC_8-12_HI 高电流 OUT8-12 的电流检测输出精度 0.1A < IOUT8-12 < 0.5A -18 18 %
IACC_8-12_HI 高电流 OUT8-12 的电流检测输出精度 IOUT8-12 = 0.25A -10 10 %
IACC_8-12_HI 高电流 OUT8-12 的电流检测输出精度 IOUT8-12 = 0.5A -6 6 %
tIPROPI_BLK IPROPI 消隐时间 OUT7-12 变为高电平表示 IPROPI 就绪，此情况仅在监测高侧驱动器电流时适用 60 µs
IPROPI 多路复用器切换至 IPROPI 就绪 5 µs
保护电路
VPVDD_UV PVDD 欠压阈值 VPVDD 上升 4.425 4.725 5 V
VPVDD 下降 4.225 4.525 4.8 V
VPVDD_UV_HYS PVDD 欠压迟滞 上升至下降阈值 250 mV
tPVDD_UV_DG PVDD 欠压抗尖峰脉冲时间 8 10 12.75 µs
VPVDD_OV PVDD 过压阈值 VPVDD 上升，PVDD_OV_LVL = 0b 20 21 22 V
VPVDD 下降，PVDD_OV_LVL = 0b 19 20 21 V
VPVDD 上升，PVDD_OV_LVL = 1b 25.75 26.8 28 V
VPVDD 下降，PVDD_OV_LVL = 1b 24.75 25.8 27 V
VPVDD_OV_HYS PVDD 过压迟滞 上升至下降阈值 1 V
tPVDD_OV_DG PVDD 过压抗尖峰脉冲时间 PVDD_OV_DG = 00b 0.75 1 1.5 µs
PVDD_OV_DG = 01b 1.5 2 2.5 µs
PVDD_OV_DG = 10b 3.25 4 4.75 µs
PVDD_OV_DG = 11b 7 8 9 µs
VDVDD_POR DVDD 电源 POR 阈值 DVDD 下降 2.5 2.7 2.9 V
DVDD 上升 2.6 2.8 3 V
VDVDD_POR_HYS DVDD POR 迟滞 上升至下降阈值 100 mV
tDVDD_POR_DG DVDD POR 抗尖峰脉冲时间 5 12 25 µs
tWD 看门狗窗口最小值 WD_WIN = 0b 3.4 4 4.6 ms
WD_WIN = 1b 8.5 10 11.5 ms
看门狗窗口最大值 WD_WIN = 0b 10.5 12 13.5 ms
WD_WIN = 1b 85 100 115 ms
AIPROPI_PVDD_VOUT IPROPI PVDD 电压检测输出比例因子 (VPVDD / IIPROPI )  IPROPI_SEL = 10000b（5V 至 22V 检测范围） 9 11 13 V/mA
AIPROPI_PVDD_VOUT IPROPI PVDD 电压检测输出比例因子 (VPVDD / IIPROPI )  IPROPI_SEL = 101010b（20V 至 32V 检测范围） 13.5 16.5 19.5 V/mA
VIPROPI_TEMP_VOUT IPROPI 温度检测输出 -20 +20 °C
TOTW1 低温热警告温度 TJ 上升 110 125 140 °C
TOTW2 高温热警告温度 TJ 上升 130 145 160 °C
THYS 热警告迟滞 20 °C
TOTSD 热关断温度 TJ 上升 160 175 190 °C
THYS 热关断迟滞 20 °C
tOTSD_DG 热关断抗尖峰脉冲时间 10 µs