5 引脚配置和功能

图 5-1 VQFN (RGZ) 48 引脚封装和引脚功能

表 5-1 引脚功能

引脚		I/O⁽¹⁾	类型	说明
编号	名称		类型	说明
1	OUT4	O	电源	440mΩ 半桥输出 4。
2	PVDD	I	电源	器件驱动器电源输入。连接到电桥电源。在 PVDD 和 GND 引脚之间连接一个 0.1μF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器和大于或等于 10μF 的局部大容量电容。
3	VCP	I/O	电源	电荷泵输出。在 VCP 和 PVDD 引脚之间连接一个 1μF、16V 陶瓷电容器。
4	CP1H	I/O	电源	电荷泵开关节点。在 CP1H 引脚和 CP1L 引脚之间连接一个 100nF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。
5	CP1L	I/O	电源	电荷泵开关节点。在 CP1H 引脚和 CP1L 引脚之间连接一个 100nF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。
6	CP2H	I/O	电源	电荷泵开关节点。在 CP2H 引脚和 CP2L 引脚之间连接一个 100nF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。
7	CP2L	I/O	电源	电荷泵开关节点。在 CP2H 引脚和 CP2L 引脚之间连接一个 100nF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。
8	PVDD	I	电源	器件驱动器电源输入。连接到电桥电源。在 PVDD 和 GND 引脚之间连接一个 0.1µF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器和大于或等于 10µF 的局部大容量电容。
9	OUT5	O	电源	155mΩ 半桥输出 5。
10	PGND	I/O	接地	器件接地。连接到系统地。
11	OUT1	O	电源	1.54Ω 半桥输出 1。
12	OUT2	O	电源	1.54Ω 半桥输出 2。
13	GD_IN1	I	数字	栅极驱动器半桥和 H 桥控制输入 1。
14	GD_IN2	I	数字	栅极驱动器半桥和 H 桥控制输入 2。
15	PWM1	I	数字	用于对除电致变色和栅极驱动器之外所有驱动器进行调节的 PWM 输入 1。
16	nSCS	I	数字	串行芯片选择。此引脚上的逻辑低电平支持串行接口通信。内部上拉电阻。
17	SDI	I	数字	串行数据输入。在 SCLK 引脚的下降沿捕捉数据。内部下拉电阻。
18	SDO	O	数字	串行数据输出。在 SCLK 引脚的上升沿移出数据。推挽式输出。
19	SCLK	I	数字	串行时钟输入。串行数据会移出并在此引脚上的相应上升沿和下降沿被捕捉。内部下拉电阻。
20	IPROPI/PWM2	I/O	模拟	检测输出从任何驱动器负载电流反馈、PVDD 电压反馈或热仪表组温度反馈进行多路复用。也可针对半桥驱动器配置为第二个 PWM 引脚输入。
21	SO	O	模拟	分流放大器输出。
22	DRVOFF	I	模拟	栅极驱动器关断引脚。置为逻辑高电平可将高侧和低侧栅极驱动器输出拉低。内部下拉电阻。
23	nSLEEP	I	模拟	器件使能引脚。置为逻辑低电平可关断器件并进入睡眠模式。内部下拉电阻。
24	DVDD	I	电源	器件逻辑和数字输出电源输入。建议在 DVDD 和 GND 引脚之间连接一个 1.0µF、6.3V 的陶瓷电容器。
25	DGND	I/O	接地	器件接地。连接到系统地。
26	ECFB	I/O	电源	对于 EC 控制，引脚用作电压监控输入和快速放电低侧开关。如果不使用 EC 驱动功能，则通过 10kΩ 电阻器将此引脚连接到 GND。
27	ECDRV	O	模拟	对于 EC 控制，引脚控制外部 MOSFET 的栅极以进行 EC 电压调节
28	SH_HS	I	模拟	高侧加热器 MOSFET 的源极引脚和加热器负载的输出。连接到高侧 MOSFET 的源极。
29	GH_HS	O	模拟	加热器 MOSFET 的栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。
30	SN	I	模拟	放大器负输入。连接到分流电阻器的负端子。不建议对分流放大器的输入端进行额外滤波。
31	SP	I	模拟	放大器正输入。连接到分流电阻器的正端子。不建议对分流放大器的输入端进行额外滤波。
32	GH2	O	模拟	高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。不建议将栅极驱动串联电阻作为影响交叉转换时序的手段。
33	SH2	I	模拟	高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。
34	GL2	O	模拟	低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。
35	SL	I	模拟	低侧 MOSFET 栅极驱动感测和电源返回。通过指向低侧 MOSFET 接地回路的低阻抗路径连接到系统接地端。
36	GL1	O	模拟	低侧栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极。
37	SH1	I	模拟	高侧源极感测输入。连接到高侧 MOSFET 源极。
38	GH1	O	电源	高侧栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极。不建议将栅极驱动串联电阻作为影响交叉转换时序的手段。
39	OUT12	O	电源	1.2Ω 高侧驱动器输出 12。连接到低侧负载。
40	OUT11	O	电源	1.2Ω 高侧驱动器输出 11。可配置为 EC 驱动器的 SC 保护开关。连接到低侧负载。
41	OUT10	O	电源	1.2Ω 高侧驱动器输出 10。连接到低侧负载。
42	OUT9	O	电源	1.2Ω 高侧驱动器输出 9。连接到低侧负载。
43	OUT8	O	电源	1.2Ω 高侧驱动器输出 8。连接到低侧负载。
44	OUT7	O	电源	具有可配置的 R_DSON (400mΩ/1200mΩ) 的高侧驱动器输出。连接到低侧负载。
45	PVDD	I	电源	器件驱动器电源输入。连接到电桥电源。在 PVDD 和 GND 引脚之间连接一个 0.1µF、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器和大于或等于 10µF 的局部大容量电容。
46	OUT6	O	电源	185mΩ 半桥输出 6。
47	PGND	I/O	接地	器件接地。连接到系统地。
48	OUT3	O	电源	440mΩ 半桥输出 3。

(1) I = 输入，O = 输出