ZHCSZ00A May 2024 – September 2025 DRV8000-Q1
PRODUCTION DATA
当半桥处于激活状态时,每个 MOSFET 上的模拟电流保护电路会在硬短路事件期间关断 MOSFET。如果输出电流超过过流阈值 IOCP_OUTX 且持续时间超过 tDG_OCP_HB,则会检测到过流故障。相应的输出为 Hi-Z(锁存行为),故障被锁存到寄存器 (HB_STAT1) 中。如果 VPVDD > 在 PVDD_OV_MODE 中配置的 VPVDD_OV,则会禁用半桥。
对于半桥驱动器的过流抗尖峰脉冲时间 tDG_OCP_HB,下表汇总了四个过流抗尖峰脉冲选项。
| OUTx_OCP_DG | 电压限值 | 抗尖峰脉冲时间 |
|---|---|---|
| 00b | VPVDD < VPVDD_OV | 6μs |
| 01b | VPVDD < VPVDD_OV | 10μs |
| 10b | VPVDD < VPVDD_OV | 15 μs |
| 11b | VPVDD < 20V | 60μs |
| VPVDD > 20V | 15 μs |
要重新激活驱动器,必须首先由 MCU 通过读取状态寄存器在寄存器中清除故障。下图显示了半桥的过流行为: