ZHCSKS2F April   2020  – June 2026 DRA821U , DRA821U-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 4 器件比较
    1. 4.1 相关产品
  6. 5 端子配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
    3. 5.3 信号说明
      1. 5.3.1  ADC
        1. 5.3.1.1 MCU 域
      2. 5.3.2  DDRSS
        1. 5.3.2.1 MAIN 域
        2. 5.3.2.2 DDRSS 映射
      3. 5.3.3  GPIO
        1. 5.3.3.1 MAIN 域
        2. 5.3.3.2 WKUP 域
      4. 5.3.4  I2C
        1. 5.3.4.1 MAIN 域
        2. 5.3.4.2 MCU 域
        3. 5.3.4.3 WKUP 域
      5. 5.3.5  I3C
        1. 5.3.5.1 MAIN 域
        2. 5.3.5.2 MCU 域
      6. 5.3.6  MCAN
        1. 5.3.6.1 MAIN 域
        2. 5.3.6.2 MCU 域
      7. 5.3.7  MCSPI
        1. 5.3.7.1 MAIN 域
        2. 5.3.7.2 MCU 域
      8. 5.3.8  UART
        1. 5.3.8.1 MAIN 域
        2. 5.3.8.2 MCU 域
        3. 5.3.8.3 WKUP 域
      9. 5.3.9  MDIO
        1. 5.3.9.1 MCU 域
        2. 5.3.9.2 MAIN 域
      10. 5.3.10 CPSW2G
        1. 5.3.10.1 MCU 域
      11. 5.3.11 CPSW5G
        1. 5.3.11.1 MAIN 域
      12. 5.3.12 ECAP
        1. 5.3.12.1 MAIN 域
      13. 5.3.13 EQEP
        1. 5.3.13.1 MAIN 域
      14. 5.3.14 EPWM
        1. 5.3.14.1 MAIN 域
      15. 5.3.15 USB
        1. 5.3.15.1 MAIN 域
      16. 5.3.16 SERDES
        1. 5.3.16.1 MAIN 域
      17. 5.3.17 OSPI
        1. 5.3.17.1 MCU 域
      18. 5.3.18 Hyperbus
        1. 5.3.18.1 MCU 域
      19. 5.3.19 GPMC
        1. 5.3.19.1 MAIN 域
      20. 5.3.20 MMC
        1. 5.3.20.1 MAIN 域
      21. 5.3.21 CPTS
        1. 5.3.21.1 MAIN 域
        2. 5.3.21.2 MCU 域
      22. 5.3.22 MCASP
        1. 5.3.22.1 MAIN 域
      23. 5.3.23 DMTIMER
        1. 5.3.23.1 MAIN 域
        2. 5.3.23.2 MCU 域
      24. 5.3.24 仿真和调试
        1. 5.3.24.1 MAIN 域
      25. 5.3.25 系统和其他
        1. 5.3.25.1 启动模式配置
          1. 5.3.25.1.1 MAIN 域
          2. 5.3.25.1.2 MCU 域
        2. 5.3.25.2 时钟
          1. 5.3.25.2.1 MAIN 域
          2. 5.3.25.2.2 WKUP 域
        3. 5.3.25.3 系统
          1. 5.3.25.3.1 MAIN 域
          2. 5.3.25.3.2 WKUP 域
          3. 5.3.25.3.3 VMON
        4. 5.3.25.4 EFUSE
      26. 5.3.26 电源
    4. 5.4 引脚多路复用
    5. 5.5 未使用引脚的连接
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  上电小时数 (POH)
    5. 6.5  运行性能点
    6. 6.6  电气特性
      1. 6.6.1  I2C 开漏失效防护 (I2C OD FS) 电气特性
      2. 6.6.2  失效防护复位（FS 复位）电气特性
      3. 6.6.3  HFOSC 电气特性
      4. 6.6.4  eMMCPHY 电气特性
      5. 6.6.5  SDIO 电气特性
      6. 6.6.6  ADC12BT 电气特性
      7. 6.6.7  LVCMOS 电气特性
      8. 6.6.8  USB2PHY 电气特性
      9. 6.6.9  SERDES 电气特性
      10. 6.6.10 DDR 电气特性
    7. 6.7  一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 6.7.1 OTP 电子保险丝编程的建议运行条件
      2. 6.7.2 硬件要求
      3. 6.7.3 编程序列
      4. 6.7.4 对硬件保修的影响
    8. 6.8  热阻特性
      1. 6.8.1 热阻特性
    9. 6.9  温度传感器特性
    10. 6.10 时序和开关特性
      1. 6.10.1 时序参数和信息
      2. 6.10.2 电源时序
        1. 6.10.2.1  电源压摆率要求
        2. 6.10.2.2  组合式 MCU 域和 Main 域上电时序
        3. 6.10.2.3  组合式 MCU 域和 Main 域下电时序 - 选项 1
        4. 6.10.2.4  组合式 MCU 域和 Main 域下电时序 - 选项 2
        5. 6.10.2.5  独立的 MCU 域和 Main 域上电时序
        6. 6.10.2.6  独立的 MCU 域和 Main 域下电时序 — 选项 1
        7. 6.10.2.7  独立的 MCU 域和 Main 域下电时序 — 选项 2
        8. 6.10.2.8  独立的 MCU 域和 Main 域，仅 MCU 时序的进入和退出
        9. 6.10.2.9  独立的 MCU 域和 Main 域，DDR 保持状态的进入和退出
        10. 6.10.2.10 独立的 MCU 域和 Main 域，GPIO 保持时序的进入和退出
      3. 6.10.3 系统时序
        1. 6.10.3.1 复位时序
        2. 6.10.3.2 安全信号时序
        3. 6.10.3.3 时钟时序
      4. 6.10.4 时钟规格
        1. 6.10.4.1 输入时钟/振荡器
          1. 6.10.4.1.1 WKUP_OSC0 内部振荡器时钟源
            1. 6.10.4.1.1.1 负载电容
            2. 6.10.4.1.1.2 并联电容
          2. 6.10.4.1.2 WKUP_OSC0 LVCMOS 数字时钟源
          3. 6.10.4.1.3 辅助 OSC1 内部振荡器时钟源
            1. 6.10.4.1.3.1 负载电容
            2. 6.10.4.1.3.2 并联电容
          4. 6.10.4.1.4 辅助 OSC1 LVCMOS 数字时钟源
          5. 6.10.4.1.5 未使用辅助 OSC1
          6. 6.10.4.1.6 WKUP_LF_CLKIN 内部振荡器时钟源
          7. 6.10.4.1.7 未使用 WKUP_LF_CLKIN
        2. 6.10.4.2 输出时钟
        3. 6.10.4.3 PLL
        4. 6.10.4.4 建议的时钟和控制信号转换行为
        5. 6.10.4.5 接口时钟规范
          1. 6.10.4.5.1 接口时钟术语
          2. 6.10.4.5.2 接口时钟频率
      5. 6.10.5 外设
        1. 6.10.5.1  ATL
          1. 6.10.5.1.1 ATL_PCLK 时序要求
          2. 6.10.5.1.2 ‌ATL_AWS[x] 时序要求
          3. 6.10.5.1.3 ‌ATL_BWS[x] 时序要求
          4. 6.10.5.1.4 ‌ATCLK[x] 开关特性
        2. 6.10.5.2  CPSW2G
          1. 6.10.5.2.1 CPSW2G RMII 时序
            1. 6.10.5.2.1.1 RMII[x]_REFCLK 时序要求 — RMII 模式
            2. 6.10.5.2.1.2 RMII[x]_RXD[1:0]、RMII[x]_CRS_DV 和 RMII[x]_RXER 时序要求 — RMII 模式
            3. 6.10.5.2.1.3 RMII[x]_TXD[1:0] 和 RMII[x]_TXEN 开关特性 — RMII 模式
          2. 6.10.5.2.2 CPSW2G RGMII 时序
            1. 6.10.5.2.2.1 RGMII[x]_RCLK 时序要求 — RGMII 模式
            2. 6.10.5.2.2.2 RGMII[x]_RD[3:0] 和 RGMII[x]_RCTL 的时序要求 — RGMII 模式
            3. 6.10.5.2.2.3 RGMII[x]_TCLK 开关特性 — RGMII 模式
            4. 6.10.5.2.2.4 RGMII[x]_TD[3:0] 和 RGMII[x]_TCTL 开关特性 — RGMII 模式
        3. 6.10.5.3  CPSW5G
          1. 6.10.5.3.1 CPSW5G MDIO 接口时序
          2. 6.10.5.3.2 CPSW5G RMII 时序
            1. 6.10.5.3.2.1 RMII[x]_REFCLK 时序要求 — RMII 模式
            2. 6.10.5.3.2.2 RMII[x]_RXD[1:0]、RMII[x]_CRS_DV 和 RMII[x]_RXER 时序要求 — RMII 模式
            3. 6.10.5.3.2.3 RMII[x]_TXD[1:0] 和 RMII[x]_TXEN 的开关特性 – RMII 模式
          3. 6.10.5.3.3 CPSW5G RGMII 时序
            1. 6.10.5.3.3.1 RGMII[x]_RCLK 时序要求 — RGMII 模式
            2. 6.10.5.3.3.2 RGMII[x]_RD[3:0] 和 RGMII[x]_RCTL 的时序要求 — RGMII 模式
            3. 6.10.5.3.3.3 RGMII[x]_TCLK 开关特性 — RGMII 模式
            4. 6.10.5.3.3.4 RGMII[x]_TD[3:0] 和 RGMII[x]_TCTL 的开关特性 – RGMII 模式
        4. 6.10.5.4  DDRSS
        5. 6.10.5.5  ECAP
          1. 6.10.5.5.1 ECAP 的时序要求
          2. 6.10.5.5.2 ECAP 的开关特性
        6. 6.10.5.6  EPWM
          1. 6.10.5.6.1 EPWM 的时序要求
          2. 6.10.5.6.2 EPWM 的开关特性
        7. 6.10.5.7  EQEP
          1. 6.10.5.7.1 EQEP 的时序要求
          2. 6.10.5.7.2 EQEP 的开关特性
        8. 6.10.5.8  GPIO
        9. 6.10.5.9  GPMC
          1. 6.10.5.9.1 GPMC 和 NOR 闪存 - 同步模式
            1. 6.10.5.9.1.1 GPMC 和 NOR 闪存时序要求 - 同步模式
            2. 6.10.5.9.1.2 GPMC 和 NOR 闪存开关特性 — 同步模式
          2. 6.10.5.9.2 GPMC 和 NOR 闪存 - 异步模式
            1. 6.10.5.9.2.1 GPMC 和 NOR 闪存时序要求 – 异步模式
            2. 6.10.5.9.2.2 GPMC 和 NOR 闪存开关特性 – 异步模式
          3. 6.10.5.9.3 GPMC 和 NAND 闪存 - 异步模式
            1. 6.10.5.9.3.1 GPMC 和 NAND 闪存时序要求 – 异步模式
            2. 6.10.5.9.3.2 GPMC 和 NAND 闪存开关特性 – 异步模式
        10. 6.10.5.10 HyperBus
          1. 6.10.5.10.1 HyperBus 初始化的时序要求
          2. 6.10.5.10.2 HyperBus 166MHz 开关特性
          3. 6.10.5.10.3 HyperBus 100MHz 开关特性
        11. 6.10.5.11 I2C
        12. 6.10.5.12 I3C
        13. 6.10.5.13 MCAN
        14. 6.10.5.14 MCASP
          1. 6.10.5.14.1 MCASP 的时序要求
        15. 6.10.5.15 MCSPI
          1. 6.10.5.15.1 MCSPI - 控制器模式
          2. 6.10.5.15.2 MCSPI - 外设模式
        16. 6.10.5.16 eMMC/SD/SDIO
          1. 6.10.5.16.1 MMCSD0 - eMMC 接口
            1. 6.10.5.16.1.1 旧 SDR 模式
            2. 6.10.5.16.1.2 高速 SDR 模式
            3. 6.10.5.16.1.3 高速 DDR 模式
            4. 6.10.5.16.1.4 HS200 模式
            5. 6.10.5.16.1.5 HS400 模式
          2. 6.10.5.16.2 MMCSDi — MMCSD1 — SD/SDIO 接口
            1. 6.10.5.16.2.1 默认速度模式
            2. 6.10.5.16.2.2 高速模式
            3. 6.10.5.16.2.3 UHS-I SDR12 模式
            4. 6.10.5.16.2.4 UHS-I SDR25 模式
            5. 6.10.5.16.2.5 UHS-I SDR50 模式
            6. 6.10.5.16.2.6 UHS-I DDR50 模式
            7. 6.10.5.16.2.7 UHS-I SDR104 模式
        17. 6.10.5.17 NAVSS
          1. 6.10.5.17.1 CPTS 输入的时序要求
          2. 6.10.5.17.2 CPTS 输出的开关特性
        18. 6.10.5.18 OSPI
          1. 6.10.5.18.1 带数据训练的 OSPI
            1. 6.10.5.18.1.1 OSPI 开关特性 - 数据训练
          2. 6.10.5.18.2 无数据训练的 OSPI
            1. 6.10.5.18.2.1 OSPI 开关特性 - DDR 模式
            2. 6.10.5.18.2.2 OSPI 开关特性 - SDR 模式
            3. 6.10.5.18.2.3 OSPI 时序要求 - DDR 模式
            4. 6.10.5.18.2.4 OSPI 时序要求 - SDR 模式
        19. 6.10.5.19 PCIE
        20. 6.10.5.20 计时器
          1. 6.10.5.20.1 计时器的时序要求
          2. 6.10.5.20.2 计时器的开关特性
        21. 6.10.5.21 UART
          1. 6.10.5.21.1 UART 时序要求
          2. 6.10.5.21.2 UART 开关特性
        22. 6.10.5.22 USB
      6. 6.10.6 仿真和调试
        1. 6.10.6.1 调试跟踪
        2. 6.10.6.2 IEEE 1149.1 标准测试访问端口 (JTAG)
          1. 6.10.6.2.1 JTAG 电气数据和时序
            1. 6.10.6.2.1.1 IEEE 1149.1 JTAG 的时序要求
            2. 6.10.6.2.1.2 IEEE 1149.1 JTAG 在推荐工作条件下的开关特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 处理器子系统
      1. 7.2.1 Arm Cortex-A72
      2. 7.2.2 Arm Cortex-R5F
    3. 7.3 其他子系统
      1. 7.3.1 MSMC
      2. 7.3.2 NAVSS
        1. 7.3.2.1 NAVSS0
        2. 7.3.2.2 MCU_NAVSS
      3. 7.3.3 PDMA 控制器
      4. 7.3.4 外设
        1. 7.3.4.1  ADC
        2. 7.3.4.2  ATL
        3. 7.3.4.3  CPSW2G
        4. 7.3.4.4  CPSW5G
        5. 7.3.4.5  DCC
        6. 7.3.4.6  DDRSS
        7. 7.3.4.7  ECAP
        8. 7.3.4.8  EPWM
        9. 7.3.4.9  ELM
        10. 7.3.4.10 ESM
        11. 7.3.4.11 EQEP
        12. 7.3.4.12 GPIO
        13. 7.3.4.13 GPMC
        14. 7.3.4.14 Hyperbus
        15. 7.3.4.15 I2C
        16. 7.3.4.16 I3C
        17. 7.3.4.17 MCAN
        18. 7.3.4.18 MCASP
        19. 7.3.4.19 MCRC 控制器
        20. 7.3.4.20 MCSPI
        21. 7.3.4.21 MMC/SD
        22. 7.3.4.22 OSPI
        23. 7.3.4.23 PCIE
        24. 7.3.4.24 串行器/解串器
        25. 7.3.4.25 WWDT
        26. 7.3.4.26 计时器
        27. 7.3.4.27 UART
        28. 7.3.4.28 USB
  9. 8 应用、实施和布局
    1. 8.1 电源映射
    2. 8.2 器件连接和布局基本准则
      1. 8.2.1 电源去耦和大容量电容
        1. 8.2.1.1 配电网络实施指南
      2. 8.2.2 外部振荡器
      3. 8.2.3 JTAG 和 EMU
      4. 8.2.4 复位
      5. 8.2.5 未使用的引脚
      6. 8.2.6 JacintoTM 7 器件硬件设计指南
    3. 8.3 外设和接口的相关设计信息
      1. 8.3.1 LPDDR4 电路板设计和布局布线指南
      2. 8.3.2 OSPI 和 QSPI 电路板设计和布局指南
        1. 8.3.2.1 无环回和内部焊盘环回
        2. 8.3.2.2 外部电路板环回
        3. 8.3.2.3 DQS（仅适用于八路闪存器件）
      3. 8.3.3 USB VBUS 设计指南
      4. 8.3.4 系统电源监测设计指南
      5. 8.3.5 高速差分信号布线指南
      6. 8.3.6 散热解决方案指导
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
      1. 9.1.1 标准封装编号法
      2. 9.1.2 器件命名约定
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ALM|433
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6.6 ADC12BT 电气特性

在建议的工作条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
模式 0 中的焊球名称：MCU_ADC0_AIN[7:0]
焊球编号：J18 / H17 / K18 / J17 / M17 / K17 / L18 / L17
VMCU_ADC0_AIN[7:0] 满标量程输入范围 VSS VDDA(2) V
DNL 微分非线性 -1 0.5 4 LSB
INL 积分非线性 ±1 ±4 LSB
LSBGAIN-ERROR 增益误差 ±2 LSB
LSBOFFSET-ERROR 偏移误差 ±2 LSB
CIN 输入采样电容 5.5 pF
SNR 信噪比 输入信号：-0.5dB 满量程的 200kHz 正弦波 70 dB
THD 总谐波失真 输入信号：-0.5dB 满量程的 200kHz 正弦波 75 dB
SFDR 无杂散动态范围 输入信号：-0.5dB 满量程的 200kHz 正弦波 80 dB
SNR(PLUS) 信噪比和失真 输入信号：-0.5dB 满量程的 200kHz 正弦波 69 dB
RMCU_ADC0_AIN[0:7] MCU_ADC0_AIN[7:0] 的输入阻抗 f = 输入信频率 [1/((65.97 × 10–-12) × fSMPL_CLK)] Ω
IIN 输入漏电流 MCU_ADC0_AIN[7:0] = VSS 5 μA
MCU_ADC0_AIN[7:0] = VDDA_ADC_MCU 10 μA
采样动态
FSMPL_CLK SMPL_CLK 频率 60 MHz
tC 转换时间 13 ADC0 SMPL_CLK 周期
tACQ 采集时间 2 257 ADC0 SMPL_CLK 周期
TR 采样率 ADC0 SMPL_CLK = 60MHz 4 MSPS
CCISO 通道间隔离 100 dB
通用输入模式(1)
VIL 输入低电压 0.35 × VDDA(2) V
VILSS 输入低电压稳态 0.35 × VDDA(2) V
VIH 输入高电压 0.65 × VDDA(2) V
VIHSS 输入高电压稳态 0.65 × VDDA(2) V
VHYS 输入迟滞电压 200 mV
II 输入漏电流 VI = 1.8V 或 0V 2 μA
(1) MCU_ADC0 可配置为以通用输入模式运行，其中所有 MCU_ADC0_AIN[7:0] 输入均通过 ADC0_CTRL 寄存器 (gpi_mode_en = 1) 全局启用，以作为数字输入运行。
(2) VDDA 表示相应的电源。有关电源名称和相应焊球的更多信息，请参阅 表 5-1 的“电源”列。