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ZHCSKS2F April 2020 – June 2026 DRA821U , DRA821U-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

ALM|433

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾⁽²⁾

参数		最小值	最大值	单位
VDD_CORE	主域内核电源	-0.3	1.05	V
VDD_MCU	MCUSS 内核电源	-0.3	1.05	V
VDD_CPU	CPU 内核电源	-0.3	1.05	V
VDD_MCU_WAKE1	用于 MCU 唤醒功能的内核电源	-0.3	1.05	V
VDD_WAKE0	MAIN 域唤醒功能的内核电源，包括所有“CANUART”IO。	-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_DLL_MMC0	MMC0 DLL 模拟电源	-0.3	1.05	V
VDDAR_CORE	主域 RAM 电源	-0.3	1.05	V
VDDAR_MCU	MCUSS RAM 电源	-0.3	1.05	V
VDDAR_CPU	CPU RAM 电源	-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_SERDES0	SERDES0 模拟电源低电平	-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_SERDES0_C	SERDES0 时钟电源	-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_USB	USB0 0.8V 模拟电源	-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_PLL_DDR	DDR PLL 模拟电源	-0.3	1.05	V
VDDA_1P8_USB	USB0 1.8V 模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_1P8_SERDES0	SERDES0 模拟电源高电平	-0.3	2.2	V
VDDA_3P3_USB	USB0 3.3V 模拟电源	-0.3	3.8	V
VDDA_MCU_PLLGRP0	MCU PLL 组 0 的模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP0	主 PLL 组 0 的模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP4	主 PLL 组 4 的模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP6	主 PLL 组 6 的模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP8	主 PLL 组 8 的模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_WKUP	WKUP 域的振荡器电源	-0.3	2.2	V
VDDA_ADC_MCU	ADC 模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_MCU_TEMP	MCU 域中温度传感器 0 的模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_POR_WKUP	WKUP 域模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_TEMP0	温度传感器 0 的模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDA_TEMP1	温度传感器 1 的模拟电源	-0.3	2.2	V
VDDS_DDR⁽¹⁰⁾	DDR 接口电源	-0.3	1.2	V
VDDS_DDR_BIAS⁽¹⁰⁾	LPDDR4 的偏置电源	-0.3	1.2	V
VDDS_DDR_C⁽¹⁰⁾	DDR 存储器时钟位 (MCB) 宏的 IO 电源	-0.3	1.2	V
VDDS_MMC0	MMC0 IO 电源	-0.3	2.2	V
VDDA_OSC1	HFOSC1 电源	-0.3	2.2	V
VDDSHV0_MCU	IO 电源 MCUSS 通用 IO 组，以及 MCU 和主域热复位引脚	-0.3	3.8	V
VDDSHV0	主域的通用 IO 电源	-0.3	3.8	V
VDDSHV1_MCU	MCUSS IO 组 1 的 IO 电源	-0.3	3.8	V
VDDSHV2_MCU	MCUSS IO 组 2 的 IO 电源	-0.3	3.8	V
VDDSHV2	主域 IO 组 2 的 IO 电源	-0.3	3.8	V
VDDSHV5	主域 IO 组 5 的 IO 电源	-0.3	3.8	V
VPP_CORE	内核电子保险丝域的电源电压范围	-0.3	1.89	V
VPP_MCU	MCU 电子保险丝域的电源电压范围	-0.3	1.89	V
USB0_VBUS⁽⁹⁾	USB VBUS 比较器输入的电压范围	-0.3	3.6	V
所有失效防护 IO 引脚的稳态最大电压	I2C0_SCL、I2C0_SDA、WKUP_I2C0_SCL、WKUP_I2C0_SDA、MCU_I2C0_SCL、MCU_I2C0_SDA、EXTINTn	-0.3	3.8	V
	MCU_PORz、PORz	-0.3	3.8	V
	VMON2_IR_VCPU	-0.3	1.05	V
	VMON3_IR_VEXT1P8、VMON4_IR_VEXT1P8、VMON1_ER_VSYS⁽⁸⁾	-0.3	2.2	V
	VMON5_IR_VEXT3P3	-0.3	3.8	V
所有其他 IO 引脚的稳态最大电压⁽³⁾	所有其他 IO 引脚	-0.3	IO 电源电压 + 0.3	V
IO 引脚的瞬态过冲和下冲规格	20% 的 IO 电源电压在信号周期的 20% 以内（请参阅图 6-1，IO 瞬态电压范围）		0.2 × VDD⁽⁶⁾	V
闩锁性能，II 级 (125°C)⁽⁴⁾	电流测试	-100	100	mA
闩锁性能，II 级 (125°C)⁽⁴⁾	过压 (OV) 测试	不适用	1.5 × VDD⁽⁷⁾	V
T_STG⁽⁵⁾	贮存温度	-55	+150	°C

(1) 超出“绝对最大额定值”运行可能会对器件造成永久损坏。“绝对最大额定值”并不表示器件在这些条件下或在“建议运行条件”以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出节 6.3建议运行条件，但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。

(2) 除非另有说明，否则所有电压值均以其关联的 VSS 或 VSSA_x 为基准。

(3) 此参数适用于所有不具有失效防护功能的 IO 引脚，该要求适用于所有 IO 电源电压值。例如，如果施加到特定 IO 电源的电压为 0V，则由该电源供电的任何 IO 的有效输入电压范围将为 –0.3V 至 +0.3V。每当外设不是由用于为相应 IO 电源供电的相同电源供电时，都应特别注意。所连接的外设绝不能提供超出有效输入电压范围的电压（包括电源斜升和斜降序列），这一点很重要。

(4) 对于电流脉冲注入：
引脚应力符合 JEDEC JESD78E（II 级），并施加额定 I/O 引脚注入电流和钳位电压（最大推荐 I/O 电压的 1.5 倍和最大推荐 I/O 电压的负 0.5 倍）。
对于过压性能：
电源应力符合 JEDEC JESD78E（II 级）并施加额定电压注入。

(5) 对于卷带包装，贮存温度范围为 [–10°C；+50°C]，最大相对湿度为 70%。TI 建议在使用前恢复到环境室温。

(6) VDD 是 IO 相应电源引脚上的电压。

(7) 需要一个外部电阻分压器来创建 VMON 输入值，当 V_SYS 电平达到最小允许阈值时，该值在 V_TH = 0.45 时触发。建议使用至少为 10kΩ 的串联电阻 R2 (VMON_ER_VSYS = V_SYS × R1 / (R1 + R2)) 来限制电流。

(8) VMON1_ER_VSYS 引脚提供了一种监测系统电源的方法。更多信息，请参阅节 8.3.4“系统电源监测设计指南”。

(9) 需要使用外部电阻分压器来限制施加到该器件引脚的电压。有关更多信息，请参阅节 8.3.3 USB VBUS 设计指南。

(10) 单个 1.1V 电源必须驱动所有三个 VDDS_DDR、VDDS_DDR_BIAS、VDDS_DDR_C 电源。

失效防护 IO 终端的设计使其不依赖于相应的 IO 电源电压。这样便可在相应 IO 电源关闭时，将外部电压源连接到这些 IO 终端。I2C0_SCL、I2C0_SDA、WKUP_I2C0_SCL、WKUP_I2C0_SDA、MCU_I2C0_SCL、MCU_I2C0_SDA、EXTINTn、MCU_PORz、PORz、VMON1_ER_VSYS、VMON2_IR_VCPU、VMON3_IR_VEXT1P8、VMON4_IR_VEXT1P8、VMON5_ER_VEXT3P3 是仅有的失效防护 IO 端子。所有其他 IO 终端都不具有失效防护功能，对其施加的电压应限制为节 6.1中的所有 IO 引脚的稳态最大电压参数定义的值。

A. T_overshoot + T_undershoot < T_period 的 20%

图 6-1 IO 瞬态电压范围