ZHCSNQ7C December 2020 – November 2022 DP83TG720R-Q1
PRODUCTION DATA
对于这些典型应用,请使用以下参数作为输入参数:
设计参数 | 示例值 |
---|---|
VDDIO | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
去耦电容器 VDDIO(引脚 34) | 10nF、100nF |
去耦电容器 VDDIO(引脚 22) | 10nF、100nF、2.2uF |
用于 VDDIO 的组合铁氧体磁珠 | BLM18HE102SN1 |
VDDA | 3.3V |
去耦电容器 VDDA(引脚 11) | 10nF、100nF、2.2uF |
用于 VDDA 的铁氧体磁珠 | BLM18KG601SH1 |
VDD1p0 | 1V |
去耦电容器 VDD1P0(引脚 9) | 10nF、100nF、2.2uF |
去耦电容器 VDDA(引脚 21) | 10nF、100nF、2.2uF |
用于 VDD1P0 的组合铁氧体磁珠 | BLM18KG601SH1 |
Vsleep | 3.3V |
直流阻断电容器 (1) | 0.1μF |
共模扼流圈 |
Murata:DLW32MH101XT2 |
共模终端电阻器 (1) (3) | 1kΩ |
MDI 耦合电容器 | 4.7nF |
ESD 分流器 | 100kΩ |
参考时钟 | 25MHz |