ZHCSNQ7D December 2020 – April 2025 DP83TG720R-Q1
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DC 特性 | ||||||
| XI | ||||||
| VIH | 高电平输入电压 | 1.3 | V | |||
| VIL | 低电平输入电压 | 0.5 | V | |||
| WAKE 引脚 | WAKE 引脚 | WAKE 引脚 | WAKE 引脚 | WAKE 引脚 | WAKE 引脚 | WAKE 引脚 |
| VIH | 高电平输入电压 | VSLEEP = 3.3V ± 10% | 2 | V | ||
| VIL | 低电平输入电压 | VSLEEP = 3.3V ± 10% | 0.8 | V | ||
| INH 引脚 | INH 引脚 | INH 引脚 | INH 引脚 | INH 引脚 | INH 引脚 | INH 引脚 |
| VOH | 高电平输出电压 | IOH = -2mA,VSLEEP = 3.3V ± 10% | 2.4 | V | ||
| 3.3V VDDIO (2) | ||||||
| VOH | 高电平输出电压 | IOH = -2mA,VDDIO = 3.3V ± 10% | 2.4 | V | ||
| VOL | 低电平输出电压 | IOL = 2mA,VDDIO = 3.3V ± 10% | 0.4 | V | ||
| VIH | 高电平输入电压 | VDDIO = 3.3V ± 10% | 2 | V | ||
| VIL | 低电平输入电压 | VDDIO = 3.3V ± 10% | 0.8 | V | ||
| 2.5V VDDIO (2) | ||||||
| VOH | 高电平输出电压 | IOH = -2mA,VDDIO = 2.5V ± 10% | 2 | V | ||
| VOL | 低电平输出电压 | IOL = 2mA,VDDIO = 2.5V ± 10% | 0.4 | V | ||
| VIH | 高电平输入电压 | VDDIO = 2.5V ± 10% | 1.7 | V | ||
| VIL | 低电平输入电压 | VDDIO = 2.5V ± 10% | 0.7 | V | ||
| 1.8V VDDIO (2) | ||||||
| VOH | 高电平输出电压 | IOH = -2mA,VDDIO = 1.8V ± 10% | VDDIO – 0.45 | V | ||
| VOL | 低电平输出电压 | IOL = 2mA,VDDIO = 1.8V ± 10% | 0.45 | V | ||
| VIH | 高电平输入电压 | VDDIO = 1.8V ± 10% | 0.7 * VDDIO | V | ||
| VIL | 低电平输入电压 | VDDIO = 1.8V ± 10% | 0.3 * VDDIO | V | ||
| IIH | 高输入电流 (MDIO) | VIN = VCC,-40°C 至 125°C | -5 | 5 | µA | |
| IIH | 输入高电流(RGMII 输入引脚、MDC) | VIN = VCC,-40°C 至 125°C | -20 | 20 | µA | |
| IOZ | 高输入电流 (MDIO) | VIN 从 0V 扫描至 VCC,-40°C 至 125°C | -40 | 40 | µA | |
| IIL | 输入低电流(RGMII 输入引脚、MDC、MDIO) | VIN = GND,-40°C 至 125°C | -40 | 5 | µA | |
| IOZL | INH | 6 | µA | |||
| IOZ | 三态输出电流 (5) | VIN 从 0V 扫描至 VCC,-40°C 至 125°C | -40 | 10 | µA | |
| IOZ | 三态输出电流 (6) | VIN 从 0V 扫描至 VCC,-40°C 至 125°C | -60 | 60 | µA | |
| CIN | 输入电容 | LVCMOS/LVTTL 引脚 (3) | 2 | pF | ||
| CIN | 输入电容 | LVCMOS/LVTTL 引脚 (4) | 4 | pF | ||
| XI | 1 | pF | ||||
| COUT | 输出电容 | LVCMOS/LVTTL 引脚 (3) | 2 | pF | ||
| COUT | 输出电容 | LVCMOS/LVTTL 引脚 (4) | 4 | pF | ||
| XO | 1 | pF | ||||
| Rpull-up | 集成上拉电阻 | INT、RESET | 6.5 | 9 | 12.5 | kΩ |
| Rpull-down | 集成下拉电阻 | STRP_1、RX_CTRL | 4.725 | 6.3 | 7.875 | kΩ |
| Rpull-down | 集成下拉电阻 | LED_1、RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_0 | 7.3 | 9 | 13 | kΩ |
| WAKE | 35 | 50 | 62.5 | kΩ | ||
| Rpull-down | 激活时的集成上拉电阻 | INH | 106 | Ω | ||
| Rseries | 集成 MAC 串联终端电阻器(默认) | RX_D[3:0]、RX_CTRL 和 RX_CLK | 24 | 42 | 52 | Ω |
| Rseries | 集成 MAC 串联终端电阻器(寄存器 <0x0456> = 0x0148) | RX_D[3:0]、RX_CTRL 和 RX_CLK | 30 | 52 | 65 | Ω |
| Rseries | 集成 MAC 串联终端电阻器(寄存器 <0x0456> = 0x0168) | RX_D[3:0]、RX_CTRL 和 RX_CLK | 40 | 70 | 84 | Ω |
| 电流消耗,睡眠模式 | ||||||
| ISLEEP | 睡眠电源电流 | VSLEEP | 485 | 840 | µA | |
| 电流消耗,复位置位 | ||||||
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 1.8V | VDDIO | 4 | 9 | mA | |
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 2.5V | VDDIO | 5 | 12 | mA | |
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 3.3V | VDDIO | 6.5 | 15 | mA | |
| IDDA3P3 | 内核电源电流,3.3V | VDDA3P3 | 5 | 8 | mA | |
| IDD1P0 | 内核电源电流,1.0V | VDD1P0 | 30 | 110 | mA | |
| 电流消耗,待机 | ||||||
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 1.8V | VDDIO | 4 | 11 | mA | |
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 2.5V | VDDIO | 6 | 13 | mA | |
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 3.3V | VDDIO | 8 | 15 | mA | |
| IDDA3P3 | 内核电源电流,3.3V | VDDA3P3 | 16 | 18 | mA | |
| IDD1P0 | 内核电源电流,1.0V | VDD1P0 | 33 | 112 | mA | |
| 电流消耗,工作模式,电压:+/- 10%,流量:100%,数据包大小:1518,内容:随机 | ||||||
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 1.8V | RGMII | 20 | 25 | mA | |
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 2.5V | RGMII | 26 | 30 | mA | |
| IDDIO | IO 电源电流,VDDIO = 3.3V | RGMII | 33 | 40 | mA | |
| IDDA3P3 | 内核电源电流,3.3V | RGMII | 85 | 89 | mA | |
| IDD1P0 | 内核电源电流,1.0V | RGMII | 177 | 250 | mA | |
| ISLEEP | 睡眠电源电流 | VSLEEP = 3.3V +/- 10% | 1000 | 1500 | µA | |
| MDI 特性 | ||||||
| VOD-MDI | 输出差分电压 | RL(diff) = 100Ω | 1.3 | V | ||
| RMDI-DIFF | 集成差分 MDI 终端(激活状态) | TRD_P、TRD_M | 100 | Ω | ||
| RMDI-DIFF | 集成差分 MDI 终端(睡眠状态) | TRD_P、TRD_M | 100 | Ω | ||
| 自举直流特性 | ||||||
| 2 级搭接 | ||||||
| Vbsl_1v8 | 自举阈值 | 模式 1,VDDIO = 1.8V ± 10%,2 级 | 0 | 0.35*VDDIO | V | |
| Vbsh_1v8 | 自举阈值 | 模式 2,VDDIO = 1.8V ± 10%,2 级 | 1.175 | VDDIO | V | |
| Vbsl_2v5 | 自举阈值 | 模式 1,VDDIO = 2.5V ± 10%,2 级 | 0 | 0.7 | V | |
| Vbsh_2v5 | 自举阈值 | 模式 2,VDDIO = 2.5V ± 10%,2 级 | 1.175 | VDDIO | V | |
| Vbsl_3v3 | 自举阈值 | 模式 1,VDDIO = 3.3V ± 10%,2 级 | 0 | 0.7 | V | |
| Vbsh_3v3 | 自举阈值 | 模式 2,VDDIO = 3.3V ± 10%,2 级 | 1.175 | VDDIO | V | |
| 3 级搭接 | ||||||
| Vbs1_1V8 | 自举阈值 | 模式 1,VDDIO = 1.8V ± 10%,3 级 | 0 | 0.35 * VDDIO | V | |
| Vbs2_1V8 | 自举阈值 | 模式 2,VDDIO = 1.8V ± 10%,3 级 | 0.40 * VDDIO | 0.75 * VDDIO | V | |
| Vbs3_1V8 | 自举阈值 | 模式 3,VDDIO = 1.8V ± 10%,3 级 | 0.84 * VDDIO | VDDIO | V | |
| Vbs1_2V5 | 自举阈值 | 模式 1,VDDIO = 2.5V ± 10%,3 级 | 0 | 0.19 * VDDIO | V | |
| Vbs2_2V5 | 自举阈值 | 模式 2,VDDIO = 2.5V ± 10%,3 级 | 0.27 * VDDIO | 0.41 * VDDIO | V | |
| Vbs3_2V5 | 自举阈值 | 模式 3,VDDIO = 2.5V ± 10%,3 级 | 0.58 * VDDIO | VDDIO | V | |
| Vbs1_3V3 | 自举阈值 | 模式 1,VDDIO = 3.3V ± 10%,3 级 | 0 | 0.18 * VDDIO | V | |
| Vbs2_3V3 | 自举阈值 | 模式 2,VDDIO = 3.3V ± 10%,3 级 | 0.22 * VDDIO | 0.42 * VDDIO | V | |
| Vbs3_3V3 | 自举阈值 | 模式 3,VDDIO = 3.3V ± 10%,3 级 | 0.46 * VDDIO | VDDIO | V | |
| 温度传感器 | ||||||
| 温度传感器分辨率 (LSB) | -40°C 至 125°C | 1.5 | ℃ | |||
| 温度传感器精度(单个器件的电压和温度变化) | -40°C 至 125°C | -7.5 | 7.5 | ℃ | ||
| 温度传感器精度(器件间的电压和温度变化) | -40°C 至 125°C | -21.5 | 20 | ℃ | ||
| 温度传感器范围 | -40 | 140 | ℃ | |||
| 电压传感器 | ||||||
| VDDA3P3 传感器范围 | 2.66 | 3.3 | 3.96 | V | ||
| VDDA3P3 传感器分辨率 (LSB) | -40°C 至 125°C | 8.6 | mV | |||
| VDDA3P3 传感器精度(电压和温度变化) | -40°C 至 125°C | 8.6 | mV | |||
| VDDA3P3 传感器精度(器件间) | -40°C 至 125°C | -68.8 | 68.8 | mV | ||
| VDD1P0 传感器范围 | 0.8 | 1.2 | V | |||
| VDD1P0 传感器分辨率 (LSB) | -40°C 至 125°C | 2.8 | mV | |||
| VDD1P0 传感器精度(电压和温度变化) | -40°C 至 125°C | 2.8 | mV | |||
| VDD1P0 传感器精度(器件间) | -40°C 至 125°C | -22.4 | 22.4 | mV | ||
| VDDIO 传感器范围 | 1.44 | 3.8 | V | |||
| VDDIO 传感器分辨率 (LSB) | -40°C 至 125°C | 15.4 | mV | |||
| VDDIO 传感器精度(电压和温度变化) | -40°C 至 125°C | 15.4 | mV | |||
| VDDIO 传感器精度(器件间) | -40°C 至 125°C | -78 | 78 | mV | ||