ZHCSNQ7C December   2020  – November 2022 DP83TG720R-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
    2. 6.1 引脚状态
    3. 6.2 引脚电源域
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 时序图
    8. 7.8 LED 驱动特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 诊断工具套件
        1. 8.3.1.1 信号质量指示器
        2. 8.3.1.2 时域反射计
        3. 8.3.1.3 数据路径内置自检
          1. 8.3.1.3.1 环回模式
          2. 8.3.1.3.2 数据生成器
          3. 8.3.1.3.3 编程数据路径 BIST
        4. 8.3.1.4 温度和电压检测
        5. 8.3.1.5 静电放电检测
      2. 8.3.2 合规性测试模式
        1. 8.3.2.1 测试模式 1
        2. 8.3.2.2 测试模式 2
        3. 8.3.2.3 测试模式 4
        4. 8.3.2.4 测试模式 5
        5. 8.3.2.5 测试模式 6
        6. 8.3.2.6 测试模式 7
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1  断电
      2. 8.4.2  复位
      3. 8.4.3  待机
      4. 8.4.4  正常
      5. 8.4.5  睡眠
      6. 8.4.6  状态转换
        1. 8.4.6.1 状态转换 #1 - 待机到正常
        2. 8.4.6.2 状态转换 #2 - 正常到待机
        3. 8.4.6.3 状态转换 #3 - 正常到睡眠
        4. 8.4.6.4 状态转换 #4 - 睡眠到正常
      7. 8.4.7  媒体相关接口
        1. 8.4.7.1 MDI 主模式和 MDI 从模式配置
        2. 8.4.7.2 自动极性检测和校正
      8. 8.4.8  MAC 接口
        1. 8.4.8.1 简化千兆位媒体独立接口
      9. 8.4.9  串行管理接口
      10. 8.4.10 直接寄存器访问
      11. 8.4.11 扩展寄存器空间访问
      12. 8.4.12 写入地址操作
        1. 8.4.12.1 示例 - 写入地址操作
      13. 8.4.13 读取地址操作
        1. 8.4.13.1 示例 - 读取地址操作
      14. 8.4.14 写入操作（无后增量）
        1. 8.4.14.1 示例 - 写入操作（无后增量）
      15. 8.4.15 读取操作（无后增量）
        1. 8.4.15.1 示例 - 读取操作（无后增量）
      16. 8.4.16 写入操作（有后增量）
        1. 8.4.16.1 示例 - 写入操作（有后增量）
      17. 8.4.17 读取操作（有后增量）
        1. 8.4.17.1 示例 - 读取操作（有后增量）
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 搭接配置
      2. 8.5.2 LED 配置
      3. 8.5.3 PHY 地址配置
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器访问汇总
      2. 8.6.2 DP83TG720 Registers
        1. 8.6.2.1 基址寄存器
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
  10. 10电源相关建议
  11. 11与 TI 的 100BT1 PHY 兼容
  12. 12布局
    1. 12.1 布局指南
      1. 12.1.1 信号布线
      2. 12.1.2 返回路径
      3. 12.1.3 物理媒体连接
      4. 12.1.4 金属浇注
      5. 12.1.5 PCB 层堆叠
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 接收文档更新通知
    2. 13.2 支持资源
    3. 13.3 商标
    4. 13.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 13.5 术语表
  14. 14机械、封装和可订购信息
    1. 14.1 封装选项附录
      1. 14.1.1 封装信息
      2. 14.1.2 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

14.1.1 封装信息

可订购器件状态 (1)封装类型封装图引脚包装数量环保计划 (2)铅/焊球镀层(4)MSL 峰值温度 (3)工作温度 (°C)器件标记(5)(6)
PDP83TG720SWCSTQ1早期样片VQFNRHA36250RoHSNiPdAuMSL3-260C-40 至 125
DP83TG720RWRHATQ1ACTIVEVQFNRHA36250RoHSNiPdAuMSL3-260C-40 至 125720R
DP83TG720RWRHARQ1ACTIVEVQFNRHA362500RoHSNiPdAuMSL3-260C-40 至 125720R
(1) 销售状态值定义如下：
正在供货：建议用于新设计的产品器件。
限期购买：TI 已宣布器件即将停产，但仍在购买期限内。
NRND：不建议用于新设计。为支持现有客户，器件仍在生产，但 TI 不建议在新设计中使用此器件。
PRE_PROD：未发布的器件，尚未投产，未向大众市场供货，也未在网络上供应，样片不可用 。
预发布：器件已发布，但未投产。可能提供样片，也可能无法提供样片。
已停产: TI 已停止生产该器件。
(2) 环保计划 - 规划的环保分级包括：无铅 (RoHS)，无铅（RoHS 豁免）或绿色（RoHS，无锑/溴）- 如需了解最新供货信息及更多产品内容详情，请访问 http://www.ti.com/productcontent。
待定：无铅/绿色转换计划尚未确定。
无铅 (RoHS)：TI 所说的“无铅”或“无 Pb”是指半导体产品符合针对所有 6 种物质的现行 RoHS 要求，包括要求铅的重量不超过同质材料总重量的 0.1%。因在设计时就考虑到了高温焊接要求，因此 TI 的无铅产品适用于指定的无铅作业。
无铅（RoHS 豁免）：该元件在以下两种情况下可享受 RoHS 豁免：1) 芯片和封装之间使用铅基倒装芯片焊接凸点；2) 芯片和引线框之间使用铅基芯片粘合剂。否则，元件将根据上述规定视为无铅（符合 RoHS）。
绿色（RoHS，无锑/溴）：TI 将“绿色”定义为无铅（符合 RoHS 标准）、无溴 (Br) 和无锑 (Sb) 基阻燃剂（Br 或 Sb 在同质材料中的质量不超过总质量的 0.1%）
(3) MSL，峰值温度-- 湿敏等级额定值（符合 JEDEC 工业标准分级）和峰值焊接温度。
(4) 铅/焊球镀层 - 可订购器件可能有多种镀层材料选项。各镀层选项用垂直线隔开。 如果铅/焊球镀层值超出最大列宽，则会折为两行。
(5) 器件上可能还有与标识、批次跟踪代码或环境分级相关的标记。
(6) 括号内将包含多个器件标记。不过，器件上仅显示括号中以“~”隔开的其中一个器件标志。如果某一行缩进，说明该行续接上一行，这两行合在一起表示该器件的完整器件标记。
重要信息和免责声明：本页面上提供的信息代表 TI 在提供该信息之日的认知和观点。TI 的认知和观点基于第三方提供的信息，TI 不对此类信息的正确性做任何声明或保证。TI 正在致力于更好地整合第三方信息。TI 已经并将继续采取合理的措施来提供有代表性且准确的信息，但是可能尚未对引入的原料和化学制品进行破坏性测试或化学分析。TI 和 TI 供应商认为某些信息属于专有信息，因此可能不会公布其 CAS 编号及其它受限制的信息。
在任何情况下，TI 对由此类信息产生的责任决不超过本文档中发布的 TI 每年销售给客户的 TI 器件总购买价。