ZHCSS22 april   2023 DLP670RE

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  存储条件
    3. 6.3  ESD 等级
    4. 6.4  建议的工作条件
    5. 6.5  热性能信息
    6. 6.6  电气特性
    7. 6.7  时序要求
    8. 6.8  系统安装接口负载
    9. 6.9  微镜阵列物理特性
    10. 6.10 微镜阵列光学特性
    11. 6.11 窗口特性
    12. 6.12 芯片组元件使用规格
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电源接口
      2. 7.3.2 时序
    4. 7.4 器件功能模式
    5. 7.5 光学接口和系统图像质量注意事项
      1. 7.5.1 数字光圈和杂散光控制
      2. 7.5.2 光瞳匹配
      3. 7.5.3 照明溢出
    6. 7.6 微镜阵列温度计算
    7. 7.7 微镜着陆开或着陆关占空比
      1. 7.7.1 微镜着陆开或着陆关占空比的定义
      2. 7.7.2 DMD 的着陆占空比和使用寿命
      3. 7.7.3 着陆占空比和运行 DMD 温度
      4. 7.7.4 估算产品或应用的长期平均着陆占空比
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
  10. 9 电源要求
    1. 9.1 DMD 电源要求
    2. 9.2 DMD 电源上电程序
    3. 9.3 DMD 电源断电过程
  11. 10器件文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 器件支持
      1. 10.2.1 器件命名规则
      2. 10.2.2 器件标识
    3. 10.3 文档支持
      1. 10.3.1 相关文档
    4. 10.4 接收文档更新通知
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4 建议的工作条件

在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）在该表定义的限值内运行器件时，可实现本数据表中指定的器件的功能性能。在高于或低于这些限值的条件下运行器件时，不暗示任何性能水平。
最小值 标称值 最大值 单位
电源电压(1)(2)
VCC LVCMOS 内核逻辑的电源电压 3.15 3.3 3.45 V
VCCI LVDS 接收器的电源电压 3.15 3.3 3.45 V
VOFFSET HVCMOS 和微镜电极的电源电压(2) 8.25 8.5 8.75 V
VBIAS 微镜电极的电源电压 15.5 16 16.5 V
VRESET 微镜电极的电源电压 –9.5 -10 -10.5 V
|VCCI–VCC| 电源电压变化（绝对值）(3) 0 0.3 V
|VBIAS–VOFFSET| 电源电压变化（绝对值）(4) 8.75 V
LVCMOS 引脚
VIH 高电平输入电压(5) 1.7 2.5 VCC + 0.15 V
VIL 低电平输入电压(5) -0.3 0.7 V
IOH VOH = 2.4V 时的高电平输出电流 -20 mA
IOL VOL = 0.4V 时的低电平输出电流 15 mA
tPWRDNZ PWRDNZ 脉冲宽度(6) 10 ns
SCP 接口
ƒSCPCLK SCP 时钟频率(7) 500 kHz
tSCP_DS SCPDI 时钟建立时间（SCPCLK 下降沿之前）(8) 800 ns
tSCP_DH SCPDI 保持时间（SCPCLK 下降沿之后）(8) 700 ns
tSCP_BYTE_INTERVAL 连续字节之间的时间 1 µs
tSCP_NEG_ENZ SCPENZ 的下降沿和 SCPCLK 的第一个上升沿之间的时间。 30 ns
tSCP_PW_ENZ SCPENZ 无效脉冲宽度（高电平） 1 µs
tSCP_OUT_EN SCPENZ 之后 SCP 输出缓冲器恢复（从三态）所需的时间 1.5 ns
ƒclock SCP 电路时钟振荡器频率 (9) 9.6 11.1 MHz
LVDS 接口
ƒclock LVDS 接口的时钟频率，DCLK（所有通道） 400 430 MHz
|VID| 输入差分电压（绝对值）(10) 200 400 600 mV
VCM 共模(10) 1200 mV
VLVDS LVDS 电压(10) 0 2000 mV
tLVDS_RSTZ LVDS 接收器从 PWRDNZ 恢复所需的时间 10 ns
ZIN 内部差分端接电阻 95 105 Ω
ZLINE 线路差分阻抗（PWB/引线） 90 100 110 Ω
环境
TARRAY 长期工作时的阵列温度(11)(12)(13)(14) 10 40 至 70(14) °C
短期工作（最长 500 个小时）时的阵列温度(12)(15) 0 10
TWINDOW 工作时的窗口温度(16) 85 °C
T|DELTA | 窗口边沿上的任意点与陶瓷测试点 TP1 之间的绝对温度差值。(17) 15 °C
TDP-AVG 平均露点温度（非冷凝）(18) 28 °C
TDP-ELR 高露点温度范围（非冷凝）(19) 28 36 °C
CTELR 高露点温度范围内的累积时间 24 月
灯
ILLUV 照明，波长 < 395nm(11) 0.68 2.0 mW/cm2
ILLVIS 照明，波长介于 395nm 和 800nm 之间(20) 29.3 W/cm2
ILLIR 照明，波长 > 800nm 10 mW/cm2
固态
ILLUV 照明，波长 < 410nm(11) 0.45 mW/cm2
ILLVIS 照明，波长介于 410nm 和 800nm 之间(20) 34.7 W/cm2
ILLIR 照明，波长 > 800nm 10 mW/cm2
(1) DMD 正常运行需要电源电压 VCC、VCCI、VOFFSET、VBIAS 和 VRESET。还必须连接 VSS。
(2) VOFFSET 电源电压瞬态必须处于指定的最大电压范围内。
(3) 为防止电流过大，电源电压变化 |VCCI – VCC| 必须小于指定的限值。
(4) 为防止电流过大，电源电压变化 |VBIAS – VOFFSET| 必须小于指定的限值。有关其他信息，请参阅节 9。
(5) VIH 和 VIL 的测试条件：
频率 = 60MHz。最大上升时间 = 2.5ns（20% 至 80%）
频率 = 60MHz。最大下降时间 = 2.5ns（80% 至 20%）
(6) PWRDNZ 输入引脚将 SCP 复位并禁用 LVDS 接收器。PWRDNZ 输入引脚覆盖 SCPENZ 输入引脚并使 SCPDO 输出引脚处于三态。
(7) SCP 时钟是选通时钟。占空比应为 50% ± 10%。SCP 参数与 DCLK 的频率相关。
(8) 请参阅图 6-2。
(9) SCP 内部振荡器被指定运行所有 SCP 寄存器。所有 SCP 操作都需要 DCLK。
(10) 请参阅图 6-3、图 6-4 和图 6-5。
(11) 如果该 DMD 同时暴露于最大温度和 UV 照明（请参阅节 6.4），则会缩短器件寿命。
(12) 阵列温度无法直接测量，必须通过在图 7-1 所示测试点 1 (TP1) 测量的温度以及封装热阻（使用节 7.6中的计算）进行分析计算。
(13) 长期定义为使用寿命期间的平均值。
(14) 根据图 6-1，最大工作阵列温度应根据 DMD 在最终应用中经历的微镜着陆占空比进行降额。请参阅节 7.7。
(15) 短期是器件使用寿命期间的总累积时间。
(16) 图 7-1 中热测试点 TP2、TP3、TP4 和 TP5 的位置旨在测量最高窗口边沿温度。对于大多数应用，所示位置代表最高窗口边沿温度。如果特定应用导致窗口边沿上的其他点处于更高的温度，则应将测试点添加到这些位置。
(17) 温度差值是陶瓷测试点 1 (TP1) 和窗口边沿上任意位置（如图 7-1 所示）之间的最大差值。图 7-1 中显示的窗口测试点 TP2、TP3、TP4 和 TP5 旨在产生最坏情况下的温度差值。如果特定应用导致窗口边沿上的另一个点产生更大的温度差值，则应使用该点。
(18) 器件不在“高露点温度范围”内的随时间变化的平均值（包括存储和运行）。
(19) 在存储和运行期间，暴露于高范围内的露点温度应限制在 CTELR 的总累积时间以内。
(20) DMD 上可能入射的最大光功率受最大光功率密度和微镜阵列温度的限制。
GUID-FB0E7B60-702F-4785-B150-C49C4F8DA327-low.gif图 6-1 建议的最高 DMD 温度 - 降额曲线