ZHCSYD9 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSYD9A June 2025 – September 2025 DLP391TP

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

FSB|154
- MCLG055

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内和电源电压下测得（除非另有说明）。在“建议运行条件”定义的限值内运行器件时，可实现本数据表中指定的器件的
功能性能。在高于或低于“建议运行条件”限值的条件下运行器件时，无法保证其性能。

参数		最小值	典型值	最大值	单位
电源电压范围
V_DD	LVCMOS 内核逻辑的电源电压LPSDR 低速接口的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾	1.71	1.8	1.95	V
V_DDI	SubLVDS 接收器的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾	1.71	1.8	1.95	V
V_OFFSET	HVCMOS 和微镜电极的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾⁽³⁾	9.5	10	10.5	V
V_BIAS	镜电极的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾	17.5	18	18.5	V
V_RESET	微镜电极的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾	-14.5	-14	-13.5	V
\| V_DDI - V_DD \|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁴⁾			0.3	V
\| V_BIAS-V_OFFSET \|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁵⁾			10.5	V
\| V_BIAS - V_RESET \|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁶⁾			33	V
LPSDR 接口
V_IH	高电平输入电压	0.7 × V_DD			V
V_IL	低电平输入电压			0.3 x V_DD	V
V_IH(AC)	AC 输入高电压	0.8 × V_DD		V_DD + 0.3	V
V_IL(AC)	AC 输入低电压	-0.3		0.2 × V_DD	V
VHyst	输入迟滞	0.1 × V_DD		0.4 × V_DD	V
f_{max_LS}	低速接口 LS_CLK 的时钟频率 ⁽⁷⁾	108		130	MHz
DCD_IN	LSIF 占空比失真 (LS_CLK) ⁽⁷⁾	44		56	%
SUBLVDS 接口
f_{max_HS}	高速接口 DCLK 的时钟频率 ⁽⁸⁾			720	MHz
DCD_IN	LVDS 占空比失真 (DCLK)	48		52	%
\| V_ID \|	LVDS 差分输入电压幅度 ⁽⁸⁾	150	250	350	mV
V_CM	共模电压 ⁽⁸⁾	700	900	1100	mV
V_SUBLVDS	SubLVDS 电压 ⁽⁸⁾	525		1275	mV
Z_IN	内部差分端接电阻	80	100	120	Ω
温度二极管
I_{TEMP_DIODE}	温度二极管的最大电流源			120	µA
环境
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度 ⁽⁹⁾⁽¹⁰⁾⁽¹¹⁾⁽¹²⁾	0		40 至 70	°C
T_DP-AVG	平均露点温度（非冷凝）⁽¹³⁾			28	°C
T_DP-ELR	高露点温度范围（非冷凝）⁽¹⁴⁾		28	36	°C
CT_ELR	高露点温度范围内的累积时间			24	月
Q_AP-ILL	窗口孔隙照明溢出 ⁽¹⁵⁾⁽¹⁶⁾⁽¹⁷⁾			17	W/cm²
照明
ILL_UV	波长 < 410nm 时的照明功率 ⁽⁹⁾⁽¹⁹⁾			10	mW/cm²
ILL_VIS	波长 ≥ 410nm 且 ≤ 800nm 时的照明功率 ⁽¹⁸⁾⁽¹⁹⁾			40	W/cm²
ILL_IR	波长 > 800nm 时的照明功率 ⁽¹⁹⁾			10	mW/cm²
ILL_BLU	波长 ≥ 410nm 且 ≤ 475nm 时的照明功率 ⁽¹⁸⁾⁽¹⁹⁾			12.8	W/cm²
ILL_BLU1	波长 ≥ 410nm 且 ≤ 440nm 时的照明功率 ⁽¹⁸⁾⁽¹⁹⁾			2.0	W/cm²

(1) 运行 DMD 需要以下所有电源：V_DD、V_DDI、V_OFFSET、V_BIAS 和 V_RESET。同时还需要所有的 VSS 连接。

(2) 所有电压值均以接地引脚 (VSS) 为基准。

(3) VOFFSET 电源电压瞬态必须处于指定的最大电压范围内。

(4) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_DDI – V_DD| 必须小于指定的限值。

(5) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_BIAS – V_OFFSET| 必须小于指定的限值。

(6) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_BIAS – V_RESET| 必须小于指定的限值。

(7) LS_CLK 必须按指定方式运行，以确保复位波形命令的内部 DMD 时序。

(8) 请参阅时序要求中的 SubLVDS 时序。

(9) 如果 DMD 同时暴露于温度和 UV 照明的最大建议运行条件下，则会缩短器件寿命。

(10) 阵列温度无法直接测量，必须通过在图 6-2 所示的测试点 (TP1) 测量的温度以及封装热阻（使用微镜阵列温度计算）进行分析计算。

(11) 长期定义为器件的使用寿命。

(12) 根据图 5-1，最大工作阵列温度根据 DMD 在终端应用中经历的微镜着陆占空比进行降额。有关微镜着陆占空比的定义，请参阅微镜着陆开/着陆关占空比。

(13) 器件不在高露点温度范围内的随时间变化的平均值（包括存储和运行）。

(14) 在存储和运行期间，暴露于高范围内的露点温度限制在 CT_ELR 的总累积时间以内。

(15) 适用于图 5-2 中定义的区域

(16) DMD 的工作区域被 DMD 窗口表面内的孔隙包围，该孔隙遮挡了正常视图的 DMD 器件组件的结构。该孔隙的大小可以预测多种光学条件。照亮有源阵列外部区域的溢出光会产生散射，并对使用 DMD 的终端应用的性能产生不利影响。照明光学系统的一项设计要求是尽可能减少入射到有源阵列外部的光通量。根据光学系统的特定光学架构和组装公差，有源阵列外部的溢出光量可能会导致系统性能下降。

(17) 要进行计算，请参阅窗口孔隙照明溢出计算。

(18) 入射到 DMD 上的最大允许光功率受到每个指定波长范围的最大光功率密度以及微镜阵列温度 (T_ARRAY) 的限制。

(19) 如需计算，请参阅微镜功率密度计算。