微镜阵列温度无法直接测量,因此必须根据封装外部的测量点、封装热阻、电功率和照明热负荷进行分析计算。以下公式提供了阵列温度与基准陶瓷温度(图 6-2 中的热测试 TP1)之间的关系:
TARRAY = TCERAMIC + (QARRAY × RARRAY-TO-CERAMIC)
QARRAY = QELECTRICAL + QILLUMINATION
其中
- TARRAY = 计算得出的阵列温度 (°C)
- TCERAMIC = 测得的陶瓷温度 (°C)(TP1 位置)
- RARRAY-TO-CERAMIC = 节 5.5 中指定的阵列至陶瓷 TP1 的封装热阻 (°C/W)
- QARRAY = 阵列上的总(电功率 + 吸收功率)DMD 功率(瓦特)
- QELECTRICAL = 标称电功率(瓦特)
- QINCIDENT = 入射照明光功率(瓦特)
- DMD 平均热吸收率 = 0.54
- QILLUMINATION =(DMD 平均热吸收率 × QINCIDENT)(瓦特)
DMD 的电功率耗散是可变的,取决于电压、数据速率和工作频率。计算阵列温度时使用的标称电功率耗散为 0.5W。从光源吸收的功率是可变的,具体取决于微镜的工作状态和光源的强度。上面显示的公式对于单芯片或多芯片 DMD 系统有效。它假设阵列上的照明分布为 83.7%,阵列边界上的照明分布为 16.3%。
以下是典型投影应用的示例计算:
方程式 1. QINCIDENT = 12.1W (measured)
方程式 2. TCERAMIC = 53.0°C (measured)
方程式 3. QELECTRICAL = 0.5W
方程式 4. QARRAY = 0.5W + (0.54 × 12.1W) = 7.034W
方程式 5. TARRAY = 53.0°C + (7.034W × 2.3°C/W) = 69.2°C