ZHCSSG9 june   2023 DAC539E4W

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性：阈值 DAC
    6. 6.6  电气特性：比较器
    7. 6.7  电气特性：通用
    8. 6.8  时序要求：I2C 标准模式
    9. 6.9  时序要求：I2C 快速模式
    10. 6.10 时序要求：I2C 超快速模式
    11. 6.11 时序要求：SPI 写入操作
    12. 6.12 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 0)
    13. 6.13 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 1)
    14. 6.14 时序图
    15. 6.15 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 智能数模转换器 (DAC) 架构
      2. 7.3.2 阈值 DAC
        1. 7.3.2.1 电压基准和 DAC 传递函数
          1. 7.3.2.1.1 电源作为基准
          2. 7.3.2.1.2 内部基准
          3. 7.3.2.1.3 外部基准
      3. 7.3.3 查询表 (LUT)
      4. 7.3.4 编程接口
      5. 7.3.5 非易失性存储器 (NVM)
        1. 7.3.5.1 NVM 循环冗余校验 (CRC)
          1. 7.3.5.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
          2. 7.3.5.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      6. 7.3.6 上电复位 (POR)
      7. 7.3.7 外部复位
      8. 7.3.8 寄存器映射锁定
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 比较器模式
        1. 7.4.1.1 可编程迟滞比较器
      2. 7.4.2 断电模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 编程模式
      2. 7.5.2 I2C 编程模式
        1. 7.5.2.1 F/S 模式协议
        2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
          1. 7.5.2.2.1 地址字节
          2. 7.5.2.2.2 命令字节
        3. 7.5.2.3 I2C 读取序列
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
      2. 7.6.2  DAC-x-MARGIN-HIGH 寄存器（地址 = 01h、07h、0Dh、13h）[复位 = 0000h]
      3. 7.6.3  DAC-x-MARGIN-LOW 寄存器（地址 = 02h、08h、0Eh、14h）[复位 = 0000h]
      4. 7.6.4  DAC-x-VOUT-CMP-CONFIG 寄存器（地址 = 03h、09h、0Fh、15h）[复位 = 0401h]
      5. 7.6.5  DAC-x-CMP-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 05h、0Bh、11h、17h）[复位 = 0000h]
      6. 7.6.6  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 1249h]
      7. 7.6.7  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 0000h]
      8. 7.6.8  COMMON-DAC-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 0000h]
      9. 7.6.9  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 00h、DEVICE-ID、VERSION-ID]
      10. 7.6.10 CMP-STATUS 寄存器（地址 = 23h）[复位 = 0000h]
      11. 7.6.11 DEVICE-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 8040h]
      12. 7.6.12 INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]
      13. 7.6.13 STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0003h]
      14. 7.6.14 SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 0000h]
      15. 7.6.15 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 0000h]
      16. 7.6.16 DAC-x-DATA 寄存器（SRAM 地址 = 21h、22h、23h、24h）[复位 = 8000h]
      17. 7.6.17 LUT-x-DATA 寄存器（SRAM 地址 = 25h 至 34h）[复位 =（请参阅寄存器说明）]
      18. 7.6.18 LOOP-WAIT 寄存器（SRAM 地址 = 35h）[复位 = 0000h]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 电气特性：比较器

所有最小/最大规格的条件为 –40°C ≤ TA ≤ +125°C，所有典型规格的条件为 TA = 25°C，1.7V ≤ VDD ≤ 5.5V，DAC 基准连接至 VDD，增益 = 1 ×（在电压输入模式下），且数字输入处于 VDD 或 AGND（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
静态性能
偏移误差(1) (2) 1.7V ≤ VDD ≤ 5.5V，DAC 处于中标度，比较器输入处于高阻态，且 DAC 采用外部基准运行。 -6 0 6 mV
偏移误差时间漂移(1) VDD = 5.5V，外部基准，TA = 125°C，AINx 处于高阻态模式，DAC 处于满量程且 VAINX 为 0V 或 DAC 处于零标度且 VAINX 为 1.84V，10 年连续运行的额定漂移 4 mV
输出
输入电压 VREF 连接到 VDD，AINx 电阻器网络连接到接地 0 VDD V
VREF 连接到 VDD，AINx 电阻器网络断开接地 0 VDD × (1/3 – 1/100)
VOL 逻辑低输出电压 ILOAD = 100μA，输出处于开漏模式 0.1 V
动态性能
tresp 输出响应时间 DAC 处于中标度且具有 10 位分辨率，AINx 输入处于高阻态，AINx 节点处的转换步长为 (VDAC – 2LSB) 至 (VDAC + 2LSB)，转换时间在输出的 10% 至 90% 之间测得，输出电流为 100μA，比较器输出配置为推挽模式，比较器输出的负载电容器为 25pF 10 µs
(1) 根据设计和特征确定；未经生产测试。
(2) 此规格不包括 DAC 的总体未调误差 (TUE)。