ZHCSSG9 june   2023 DAC539E4W

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性：阈值 DAC
    6. 6.6  电气特性：比较器
    7. 6.7  电气特性：通用
    8. 6.8  时序要求：I2C 标准模式
    9. 6.9  时序要求：I2C 快速模式
    10. 6.10 时序要求：I2C 超快速模式
    11. 6.11 时序要求：SPI 写入操作
    12. 6.12 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 0)
    13. 6.13 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 1)
    14. 6.14 时序图
    15. 6.15 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 智能数模转换器 (DAC) 架构
      2. 7.3.2 阈值 DAC
        1. 7.3.2.1 电压基准和 DAC 传递函数
          1. 7.3.2.1.1 电源作为基准
          2. 7.3.2.1.2 内部基准
          3. 7.3.2.1.3 外部基准
      3. 7.3.3 查询表 (LUT)
      4. 7.3.4 编程接口
      5. 7.3.5 非易失性存储器 (NVM)
        1. 7.3.5.1 NVM 循环冗余校验 (CRC)
          1. 7.3.5.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
          2. 7.3.5.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      6. 7.3.6 上电复位 (POR)
      7. 7.3.7 外部复位
      8. 7.3.8 寄存器映射锁定
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 比较器模式
        1. 7.4.1.1 可编程迟滞比较器
      2. 7.4.2 断电模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 编程模式
      2. 7.5.2 I2C 编程模式
        1. 7.5.2.1 F/S 模式协议
        2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
          1. 7.5.2.2.1 地址字节
          2. 7.5.2.2.2 命令字节
        3. 7.5.2.3 I2C 读取序列
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
      2. 7.6.2  DAC-x-MARGIN-HIGH 寄存器（地址 = 01h、07h、0Dh、13h）[复位 = 0000h]
      3. 7.6.3  DAC-x-MARGIN-LOW 寄存器（地址 = 02h、08h、0Eh、14h）[复位 = 0000h]
      4. 7.6.4  DAC-x-VOUT-CMP-CONFIG 寄存器（地址 = 03h、09h、0Fh、15h）[复位 = 0401h]
      5. 7.6.5  DAC-x-CMP-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 05h、0Bh、11h、17h）[复位 = 0000h]
      6. 7.6.6  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 1249h]
      7. 7.6.7  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 0000h]
      8. 7.6.8  COMMON-DAC-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 0000h]
      9. 7.6.9  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 00h、DEVICE-ID、VERSION-ID]
      10. 7.6.10 CMP-STATUS 寄存器（地址 = 23h）[复位 = 0000h]
      11. 7.6.11 DEVICE-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 8040h]
      12. 7.6.12 INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]
      13. 7.6.13 STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0003h]
      14. 7.6.14 SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 0000h]
      15. 7.6.15 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 0000h]
      16. 7.6.16 DAC-x-DATA 寄存器（SRAM 地址 = 21h、22h、23h、24h）[复位 = 8000h]
      17. 7.6.17 LUT-x-DATA 寄存器（SRAM 地址 = 25h 至 34h）[复位 =（请参阅寄存器说明）]
      18. 7.6.18 LOOP-WAIT 寄存器（SRAM 地址 = 35h）[复位 = 0000h]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.5 非易失性存储器 (NVM)

DAC539E4W 包含非易失性存储器 (NVM) 位。这些存储器位是用户可编程和可擦除的，并且会断电的情况下保留设定的值。所有寄存器位（如寄存器映射 部分中灰色单元格突出显示）都可以通过在 COMMON-TRIGGER 寄存器中设置 NVM-PROG = 1 来存储在 NVM 中。这个位会自动复位。当正在进行 NVM 写入或重新加载操作时，器件会将 GENERAL-STATUS 寄存器中的 NVM-BUSY 位设置为 1。在此期间，器件会阻止针对器件的所有读取/写入操作。写入或重新加载操作完成后，NVM-BUSY 位设置为 0；此时，允许对器件进行所有读取/写入操作。一旦发生 POR 事件，DAC539E4W 中所有寄存器的默认值都将立即从 NVM 加载。

DAC539E4W 还在 COMMON-TRIGGER 寄存器中实现了 NVM-RELOAD 位。将该位设置为 1 可以让器件启动 NVM 重新加载操作。NVM 重新加载操作使用 NVM 中存储的数据覆盖寄存器映射。完成后，器件将该位自动复位为 0。在 NVM-RELOAD 操作期间，NVM-BUSY 位设置为 1。